IC资料-GM2106-cn.pdf
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1、 成都国腾微电子有限公司成都国腾微电子有限公司 GM2106 GM2106 1024K8bit 1024K8bit 全静态非易失性全静态非易失性 SRAM 数据手册 2003.11 数据手册 2003.11 成都国腾微电子有限公司 GM2106 NV-SRAM NV-SRAM 版本记录:1.0 当前版本时间:2003 年 11 月 版本记录:1.0 当前版本时间:2003 年 11 月 新旧版本改动比较: 新旧版本改动比较: 旧版 旧版 文档页数 文档页数 当前版本 当前版本 文档页数 文档页数 主题(和旧版本相比的主要变化) 主题(和旧版本相比的主要变化) 如果您有技术、交付或价格方面的任何
2、问题,请联系成都国腾微电子有限公司的相关办公室或当地的代理商, 或访问我们的网站: ,谢谢! 编制时间:2003 年 11 月 编制时间:2003 年 11 月 由成都国腾微电子有限公司发布 由成都国腾微电子有限公司发布 发布地点:成都 发布地点:成都 成都国腾微电子有限公司版权所有。 成都国腾微电子有限公司版权所有。 注意: 注意: 以下内容所包含的所有部分仅仅对当前描述的器件承担相关责任,不包括相应的应用手册、使用过程和电路实 现。 以下内容描述的仅仅是跟当前器件相关的内容,不应作为固定的产品特性,也不包括将来可能的设计更改和参 数变化。 因为技术发展的需要,或许会导致任何产品具备一些危险
3、性,如果有任何相关的疑问,请咨询成都国腾微电子 有限公司的相关部门。 数据手册 第 1 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 1 概述概述 GM2106 是一款 1024K8 位全静态非易失性 SRAM。器件采用先进的控制电路与自行设计的电 源管理芯片。系列化产品充分满足客户不同情况的需求。我们提供的 DIP 封装形式与各厂商生产的 NVSRAM 完全兼容, 在不修改任何电路的情况下完全能够正常工作, 提供的工作电压为 3V 或者 5V。 工作环境包括加强商业级和工业级。 2 特征特征 内带优质锂电池以保持片内 SRAM 数据,工业级选用进口优质 BR
4、 系列芯片专用电池,加 强商业级选用 CR 系列优质高效电池 工作温度范围:加强商业级-20+70 工业 -40+85 无外部电源供电条件下数据保持时间 10 年 36 脚 DIP 封装 外部电源掉电,内部数据自动保护 可替代 1024K 8 易失性静态 RAM,EEPROM 和 FLASH 无限多次读写操作 低功耗 CMOS 技术 55ns 或 70ns 读写速度 工作电压为 3V 或者 5V 工作电压在正负 5%间可正常工作 可选加强商业级(-20+70) ,工业级(-40+85) JEDEC 标准 36-PIN DIP 封装 3 封装及引脚功能说明封装及引脚功能说明 采用 DIP-36
5、封装,引脚排布见图 1 所示: 图图 1 引脚排布图引脚排布图 数据手册 第 2 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 该芯片的各引脚功能描述见表 1: 表表 1 芯片功能说明芯片功能说明 引脚名引脚名 方向方向 说明说明 NC 空闲 A19A0 Out 地址线 DQ0DQ7 In/Out 数据线 /CE In 片选信号 /OE Out 输出允许信号 /WE In 写允许信号 GND In 地 VCC In 电源 4 8M 系列产品选择表系列产品选择表 系列产品选择参照表 2: 表表 2 系列产品列表系列产品列表 型号型号 读写速度读写速度 工作温度工
6、作温度 工作电压工作电压 封装封装 GM2106-55LLIW 55ns -40+85 3V DIP36 GM2106-55LLCW 55ns -20+70 3V DIP36 GM2106-55LLIF 55ns -40+85 5V DIP36 GM2106-55LLCF 55ns -20+70 5V DIP36 5 芯片功能详细描述芯片功能详细描述 5.1 功能描述功能描述 该器件内带锂电池和保护电路,能够自动监测电源电压。上电过程中,器件默认进入写保护状 态,当电源电压上升到设定值(VTH1)经过短暂延时,写保护才关闭,器件可以正常工作;这样就 可以防止器件在上电的过程中出现误操作。器件在
7、使用过程中,器件实时监测电源电压,当电源电 压低于设定值(VTH2)时,内部电源自动切换到由锂电池供电,同时写保护开启;芯片进入数据保 持状态,无法对芯片进行读写。 芯片读芯片读 当 CE,OE 信号脚都为低电平时对芯片进行读操作,此时由 A0-A19 确定 1024K 的访问空间, 最后一位的地址输入信号确定后,8 位有效数据被送到数据总线上,完成数据读操作。 芯片写芯片写 当 CE,WE 信号脚都为低电平时对芯片进行写操作。CE 和 WE 信号下降沿标志着写周期的开 始,写周期的检测由 CE 和 WE 的上升沿来决定,写周期中所有的地址线将保持有效,在其他操作 之前 WE 必须回到高阻态。
8、在写周期时 OE 控制信号线将保持高(DISABLE)以避免总线争夺。当 输出总线被禁止时,WE 将从下降沿开始禁止输出。 数据手册 第 3 页 共 11 页 2003 年 11 月 成都国腾微电子有限公司 GM2106 芯片保持芯片保持 当 VCC 电压低于写保护电压时, 对器件的读写操作将不能正常进行, 此时芯片被锁住, 当 VCC 继续下降到电池切换点时, 器件电源由备用电池供电, 器件内部数据维持由电池提供电能, 直到 VCC 电压上升到正常水平为止。 5.2 读写操作时序读写操作时序 读周期开关特性读周期开关特性 表表 3 读周期参数读周期参数 符号符号 说明说明 55ns 最小值最
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