SJ-T-10698-1996.pdf
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1、K 吕 3 备案号: 8 1 一1 9 9 7 SJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 S J / T 1 0 6 9 8 一1 9 9 6 非晶硅标准太阳电池 Amo r p h o u s s i l i c o n r e f e r e n c e s o l a r c e l l 1 9 9 6 - 0 7 - 2 2 发布 1 9 9 6 - 1 1 - 0 1 实施 中华人民共和国电子工业部批准 前言 本标准由电子工业部标准化研究所归口。 本标准由 南开大学光电 子薄膜器件与技术研究所, 电 子工业 部标准化 研究 所, 有色金属研 究总院负贵起草。 本标准生
2、要起 草人: 李长健。 纪善恩. 王世 昌。 胡汛, 由志德。 中华 人民 共 和 国电 子 行业 标 准 非晶硅标准太阳电池 Si / T 1 0 6 9 8 -1 9 9 6 Amo 印h o u s s i l ic o n r e f e ren c e s o l a r c e l l 范围 本标准规定了非晶硅 A ML . 5标准太阳电池( 以下简称“ 非晶硅标准太阳电池” ) 的要求、 试验方法、 检验规则、 分类与命名以及标志、 包装、 储存、 运输等。 本标准还规定了二级非晶硅标准太阳电池的标定方法和记录内容。 本标准适用于单结和叠层非晶硅太阳电池. 不适用于弱光非晶硅太阳
3、电池。 2 引用标准 下列标准所包含的条文, 通过本标准中引用而构成本标准的条文。本标准出版时, 所示版 本均为有效。所有标准都会被修订, 使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能 性。 G B 1 1 0 1 1 一 8 9非晶硅太阳电池电性能测试的一般规定 I E C 9 0 4 一 2一 8 9标准太阳电池的要求 3定义 本标准采用下列定义。 3 . 1 弱光非晶硅太阳电池d im l i g h t a m o r p h o u s s i l i c o n s o la r c e l ls 指应用于弱光条件下的非晶硅太阳电池。所谓弱光一般指室内人造光源如荧光灯、 白炽
4、灯等所发的光, 其光照度在 2 0 L x 到 1 0 0 0 1 二之间。白天室内散射光亦可看作是弱光条件。目 前弱光非晶硅太阳电池主要应用于电子计算器和电子手表上。 3 . 2 E V A( e t h y l e n e 一v i n y l a d e t a t e c o p o l y me r s ) 一种聚烯烃塑料, 可谓“ 热熔胶” , 又称E V A膜。 4分类与命名 4. 1 分类 非晶硅标准太阳电池可用经老炼、 筛选的单结和叠层非晶硅太阳电池来制作, 也可以用单 晶硅太阳电池加适当滤光片来制作。 非晶硅标准太阳电池分为一级、 二级标准太阳电池。由国家专门计量单位对一级
5、和二级 标准太阳电池进行标定。 中华人民共和国电子工业部 1 9 9 6 - 0 7 - 2 2批准1 9 9 6 - 1 1 - 0 1 实施 S J / T 1 0 6 9 8 一1 9 9 6 一级非晶硅标准太阳电池是以国家标准辐射计或其他光能计量标准器具为基准, 在自然 光或太阳模拟器条件下加以标定的专用太阳电池。 二级非晶硅标准太阳电池在自然光或太阳模拟器条件下依据一级非晶硅标准太阳电池进 行标定。 4. 2命名 非晶硅标准太阳电池型号命名方法见表 t o 示例 : 1 A S 9 5 0 1 ( 丁丁 爪 - A 号 9 5 年 制 造 顺 序 号 为 , , 1 一表 示 单 结
6、 非 晶 硅 太 阳 电 池 一标 非 晶 硅 标 准 太 阳 电 池 L - 一表示“ 一级” 表 1 第 一 部 分 孚 第 二 部 分 ;rF 价 第 三 部 分第 四部 分 符 号 意 义 单 结 非 晶 硅 标 准 太 阳 电 池 符号 用 四 位 有 效 数 字 表 示 意 义 前 两 位 为 年 代 号 , 后 两 位 为 顺 序 号 二 级 非 晶 硅 标 准 太 阳 电 池 叠 层 非 晶 硅 标 准太 阳 电 池 5要求 5. 1 外观 非晶硅标准太阳电池表面应完整、 清洁、 无机械损伤, 电池与基座应粘贴牢固, 边缘要密 封。 5. 2视角 非晶硅标准太阳电池的视角应大于
7、 1 6 0 0 a 5 . 3 设计与结构 5 . 3 . 1 选作标定用的太阳电池的光谱响应保证该电池在以后的使用中由于光谱响应不匹配 而引起的电性能测量误差不大于士1 %。光谱失配误差按 G B 1 1 0 1 1 中的附录 A计算。 5 . 3 . 2 非晶硅标准太阳电池采用封装形式, 它由窗口玻璃、 太阳电池、 金属外壳、 滤光片、 连接 导线及插座、 透明胶组成。金属外壳的上表面及内表面应具有不反射的光学特性。温度传感 器应紧密附着于太阳电池的背表面。封装的具体要求按I E C 9 0 4 一 2 一 8 9 第九 章的规定。对 于玻璃衬底非晶硅标准太阳电池不需另加窗口保护玻璃。
8、5 . 3 . 3 非晶硅太阳电池一般由分割成条状的若干单体电池串联而成。因此用作非晶硅标准 太阳电池的电池应至少包括彼此串联的三个单体电池。 5 . 3 . 4 预封装 用来制作非晶硅标准太阳电池的非晶硅电池应进行预封装。预封装用热压 E VA膜或其 一2 一 S J / T 1 0 6 9 8-1 9 9 6 他 材 料 。 5 . 4 老炼与筛选 用来制作非晶硅标准太阳电池的单结和叠层非晶硅电池必须进行老炼。选择电性能稳定 者作为非晶硅标准太阳电池, 即其光伏特性( 主要指短路电流) 在老炼的最后一个月内( 自然阳 光下) 或最后6 0 h , 内( 模拟阳光下) 的变化值不大于初始值的
9、 5 %0 5 . 5 温度测量误差 非晶硅太阳电池的温度测量误差应不大于 士1 C o 5 . 6 绝缘电阻 太阳电池、 金属外壳以及测温元件三者之间的绝缘电阻应大于 l 0 0 Mf 3 , 5 . 7 环境适应性 5 . 7 . 1 高温贮存 非晶硅标准太阳电池在温度 8 5 士2 的条件下, 存放 1 6 h , 5 . 7 . 2 低温贮存 非晶硅标准太阳电池在温度一4 0 士3 的条件下, 存放 1 6 h . 5 . 7 . 3 温度冲击 非晶硅标准太阳电池在温度-4 0 C -8 5 的条件下. 以5 C / mi n 的温度变化速率循环1 0 次 。 5 . 7 . 4 稳态
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