模拟电子技术基本概念复习题及答案教材.pdf
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1、1 模电基本概念复习题 一、判断下列说法是否正确 1、 凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 2、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有vN= vP。 3、 当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。 4、 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 5、 在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于 各输入电流之代数和。 6、 温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 7、 因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 8、 因为 P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。 9、 在
2、 N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。 12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。 13、由于放大的对象是变化量, 所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫 无变化。 14、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 15、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。 16、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。 18、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。 19、只要是
3、共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。 20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻。 21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小。 22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小。 23、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,它只能放大交流信号。 24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响。 25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件, 是电流控制器件, 沟道越宽电流越大。 2 26、在由耗尽型 N 沟道 MOSFET 管组成的放大电路中,若 GS V小于零,则 iD0。 27
4、、若增强型 N 沟道 MOS 管的 vGS大于开启电压 VT,则输入电阻会明显变小。 28、N 沟道 JFET 在正常工作时的 vGS不能大于零。 29、耗尽型 MOS 管在栅源电压 uGS为正或为负时均能实现压控电流的作用。 30、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏 相结合的偏置方式。 31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式。 32、增强型 MOS 管采用自给偏压时,漏极电流iD必为零。 33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100,将它们连成两级放大电 路,其电压放大倍数为10000。 34、集成运放内部第一级是差动放大电路,因
5、此它有两个输入端。 35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 36、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路。 37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。 38、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号。 39、对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模输入交流通路中, 长尾电阻 Re一概可视为短路。 40、用电流源代替 Re后电路的差模电压放大倍数增加。 41、带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性范围内, 不论是双端输出还是单端 输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小 无关。 42、集成运放的输入失调电压VI
6、O是两输入端电位之差。 43、反馈量仅仅决定于输出量。 44、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反馈。 45、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。 46、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反馈。 47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。 48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈。 49、共集放大电路 AuUE ;UBUCBUBUBUEDVC4T/2 (T为电网电压的周期),测得输出电压平均值UO(AV)可能的数值为: A14VB12V C9V D4.5V (1)正常情况下 UO(AV)( B ) ; (2)电容虚焊时
7、 UO(AV)(9 ) ; (3)负载开路时 UO(AV)(A ) ; 12 (4)一只整流管和电容同时开路时UO(AV)( D ) ; 73、单相桥式整流电路中,若有一只二极管接反,则(C ) 。 A输出电压约为 2UDB变为半波直流C整流管将因电流过大而烧坏。 三、填空题 (答案附后 ) 1、 频率失真是由于放大电路的不够宽引起的,非线性失真是由于放大器件的 特性引起的。 2、 工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短 ,虚断。理想集成运算 放大器的放大倍数Av,输入电阻 ri,输出电阻 ro。 3、比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 4、 集成运放应用电路如
8、果工作在线性放大状态,一般要引入_。负反馈 5、 在 N 型半导体中,多数载流子是;在 P 型半导体中,多数载流子是。 6、 本征半导体是,其载流子是和,两种载流子的浓度。 7、 当 PN 结外加正向电压时, P 区接电源极,N 区接电源极。 8、 当 PN 结外加正向电压时,扩散电流漂移电流。 9、 PN 结的 P 区接电源的正极, N 区接负极称 PN 结为。 10、二极管的正向电阻,反向电阻,故二极管最主要的特性是。 11、硅二极管导通后,其管压降是基本不变的,典型值为伏;其门坎电压 Uth约 为伏。 12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要。 13、二极管最主要的特性是 _ _,
9、 它的两个主要参数是反映正向特性的_和反 映反向特性的_ 。 14、三极管能起放大作用的内部条件是:发射区掺杂浓度,基区掺杂浓度比发射 区掺杂浓度,基区宽度。 15、BJT 的输出特性上可划分为三个区分别、。 16、当温度升高时,双极型三管的将,反向饱和电流 ICEO 。 17、当温度升高时,双极性三极管的正向结压降VBE。 18、BJT 工作在放大区的外部条件是:。 19、BJT 工作在饱和区时二个PN 结的偏置情况为:发射结,集电结。 20、测得某电路中 NPN 管得BE0.7V,CE0.2V,由此可判定它工作在 _ _区。 21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
10、试判断各晶体管的 13 类型(是 PNP管还是 NPN管, 是硅管还是锗管 ), 并区分 e、b、c 三个电极。 A管;B管;C管。 22、放大电路中动态工作点在负载线上移动。 23、双极型三极管是控制型控制器件。 24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,试判断这些晶体管分别处 于那种工作状态(饱和、截止、放大、倒置或已损坏)。 A管;B管;C管。 25、图(a) 和(b) 是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们 的导电类型分别为_ 型和 _型,用半导体材料_和 _ 制成,电流放大系数 分别为 _ 和_。 26、在模拟电子电路测试中,常用信号作为标准
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