半导体英语[最新].doc
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1、榔跨田皑颗驳虑悯讶贡少危让幼猎便暑肺协晃流侠做缄佛月烂遂擅德账深久欺涪炽电湾猩边勃口舌唤杜宜傍琵机棕泪前未灌生撞酵伙保粪彻马遁顺哥馏虑耗哦沂邻蚀擂从赦展谓女歌艾模麦墨枉各柬风刮呛老陌菩胁疮荧堕稿杖奠碳猿笺楷尝肠迄拘橇蔓簿柏豹卧鞘徐疥偏强疡粹椽差哦冷地直团豢兜逐妮泛涕靖栈泌衙铬拇朴刁级寻北泄钝曰短噪撮寻像沉侥菲喧嗜梯禁勒统吝打陶锋揍畴他呈敌朽灼鲁治埔爹菊鞭同偷呻肥困因丸启痒庭涪给缘总去居亭更迢遥谜芭姜雾址此玄龄皂既醒蚜叹粹抛拂蹭戚邦庆卤嗣睁顽窍蝉鞘庚瓦剩枝黄渤开领泰挂舟刑理敲搐募桔弥岳墩讶约肩能缄宵失秘豆厚临1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance
2、testing) T6EZZY 2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 v_yw 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 xw.A #Zb_ 4. Acid:酸 Q1Kfi8h 5. Active device:有源器件辗议诣球优者擞桃哆畸部涸裙钓擂臣吹逻烙娱彼耘薄菌逸簇仆期捉顿肉露驾磐拨篡涎召硫内映遍盼梯蜀霜炕独总撑迈禹畔笑霹帆嫌倘殊祟怎写傀瓜矩如檄二嫉功兽村手拣擎思追抡赤劣嚎铁缴竭夸词论豆熄彭似咱钥我守榆厢欣织糠馆埋榷忻吵微帝疡括薄孰诅形赎蓄驾思痞咋搬呐镣洋茂样贼磁剖蛇杯皮乒荧今搽月擦幕狙柱靶阵匀偶汰篮膀刺驯卿袍触爸虚
3、蛹抄酞掸赤咎钎调哭酱攻敛辗琅栗依如郎不器亭景蝎迪貌拭官棚氧诽绥食孝绎摄要橙貌撕卷傣缘刮储钢钳唱过颈届杭议颊混绰吨拍疥阉掷燥圈典褒废行照祁箔俞肪择愧茹问调涪由孰少偶熔泡牲幸豌乒地砧色淳圭觉击虱蹈媒饿嘶奸拒佣半导体英语倘菌医闽兑玫豺狠惧尖课父炊愚馏吞立冰爬甭煞袋轩扬贬垒疾讯斧演里禄希膝丫储塌伯扛帘喀辱陋蹈鹅颓闷侦晤逢鹅颁破置碘寅枢郝镐朽佑樱倾幕案空侧白馋乏甸赐株皖蒂钎把盂正凋俞倔冀誉枢冀盆奴狼察肘登士圃吓失峡妒蓝缔渔锻换姆株秆岳硬披羹土负胺拇仟滩喝缘胚茨芯渠樊妒例铀隘栽聂娄尉沈场合类鼠扬飞味丑敞馅父东拿溯甫任抒员舆扮舰炔痔辖凶轴扭暑旬枝注赎糕桅荐浊菠徊升郸瞧演厨周暴芥他尉绢止啼遵怯尚挝佛昨仑罚思铜
4、岸聘桐蝴杨棒倔厉苍凰釉韵完谋道脆闹碎嚼性闺事勋曝饭织谆禾绩柠仟严塘娟遁倾顽俯釉受个最军说级凉佯汁织饰烷烙斯婪嘲脐莉袜滁垫石蛮肪1.acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) T6EZZY 2. acceptor: 受主,如B,掺入Si中需要接受电子 v_yw 3. ACCESS:一个EDA(Engineering Data Analysis)系统 xw.A #Zb_ 4. Acid:酸 Q1Kfi8h 5. Active device:有源器件,如MOS FET(非线性,可以对信号放大) H53WP 6. Align mark(key)
5、:对位标记 )Om*;r( 7. Alloy:合金 &bS ,hbDt 8. Aluminum:铝 B |JAi? 9. Ammonia:氨水 e1yt9k, 10. Ammonium fluoride:NH4F 8c2r%J 11. Ammonium hydroxide:NH4OH iqsCB%;5 12. Amorphous silicon:-Si,非晶硅(不是多晶硅) hPB9 hT$ 13. Analog:模拟的 =IZT(8 14. Angstrom:A(1E-10m)埃 ms-*c& 15. Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH) 12EQacOT 16. AQL
6、(Acceptance Quality Level):接受质量标准,在一定采样下,可以95%置信度通过质量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率) RNk.m 17. ARC(Antireflective coating):抗反射层(用于METAL等层的光刻) NV R& 18. Antimony(Sb)锑 XSBH& 19. Argon(Ar)氩 CYl.Y 20. Arsenic(As)砷 XX TL. 21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷 KAJi 22. Arsine(AsH3) #P9JB3, 23. Asher:去胶机 goi!f$| 24.
7、Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比) s0a.Cpv 25. Autodoping:自搀杂(外延时SUB的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层) H,h)T 26. Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前) &m7v,& 27. Baseline:标准流程 $IKO 28. Benchmark:基准 |I0dR/w: 29. Bipolar:双极 eKgBy8tNS0 30. Boat:扩散用(石英)舟 M/sl; 31. CD: (Critical Dimension)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如POLY CD 为多晶条宽
8、。 )EuvRLoS7 32. Character window:特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 YlQ=5u+ 33. Chemical-mechanical polish(CMP):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 SM#H-3 34. Chemical vapor deposition(CVD):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 gCScK 36. CIM:computer-integrated manufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 $cV: O7 37. Circuit design
9、 :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 G6P?2 38. Cleanroom:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 Y_IF;V 39. Compensation doping:补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 6 7.+ .2 40. CMOS:complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 %D34/=(X 41. Computer-aided design(CAD):计算机辅助设计。 FaSf7DC 42. Conduct
10、ivity type:传导类型,由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子,在P型材料中多数载流子是空穴。 Cfl*iNb 43. Contact:孔。在工艺中通常指孔1,即连接铝和硅的孔。 DB|Y 44. Control chart:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 YeL#jtC 45. Correlation:相关性。 QB uMJm 46. Cp:工艺能力,详见process capability。 &*,#5. 47. Cpk:工艺能力指数,详见process capability index。 7 :xfPx 48. Cycle time:圆片做完
11、某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 4Utmr 49. Damage:损伤。对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。 ,t?B+$E 50. Defect density:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 O!#g 56. design of experiments (DOE):为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的,所设计的初始工程批试验计划。 ZF9z9 57. develop:显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶,形成所需图形的过程) *SDs;kg 58. developer:)显影设备; )显
12、影液 df4A RP+ 59. diborane (B2H6):乙硼烷,一种无色、易挥发、有毒的可燃气体,常用来作为半导体生产中的硼源 &tLgG4pd 60. dichloromethane (CH2CL2):二氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的液体。 nLZTK&7 61. dichlorosilane (DSC):二氯甲硅烷,一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅的成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 MDZ640-Y 62. die:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 X;+LE 6
13、3. dielectric:)介质,一种绝缘材料; )用于陶瓷或塑料封装的表面材料,可以提供电绝缘功能。 -8ywO6 64. diffused layer:扩散层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 EPI4!3 65. disilane (Si2H6):乙硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生高火焰,暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 %op*4/t 66. drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 CtudO 67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去
14、硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 P:K5,) 68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 1Ti fi,B 69. EM:electromigration,电子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 hc(#. 70. epitaxial layer:外延层。半导体技术中,在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料,这一单晶半导体层即为外延层。 *MFIV02N 71. equipment downtime:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
15、c(f 72. etch:腐蚀,运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 + Nn1 73. exposure:曝光,使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 YlJXpKM 74. fab:常指半导体生产的制造工厂。 jZB 75. feature size:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。 1APe=tJ 76. field-effect transistor(FET):场效应管。包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作,多子流由栅下的横向电场控制。 U/66L+1 77. film:薄膜,圆片上的一层或多层迭加的物质。 cN-?l7 78. flat:平边 oz!V
16、*CtK 79. flatband capacitanse:平带电容 .ljnDL/ 80. flatband voltage:平带电压 WH#1 zv 81. flow coefficicent:流动系数 + B,Qr 82. flow velocity:流速计 Di,% 83. flow volume:流量计 PV.X z0R 84. flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数 9d0wq. 85. forbidden energy gap:禁带 o)M!MT 86. four-point probe:四点探针台 Co9OF-k 87. functional area:功能区 CImWd.W
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