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1、Question Answer 作为 Contact Etch 时栅极的保护层。 29. 为何在离子注入后 , 需要热处理 ( Thermal Anneal) 的工艺 ? 答:为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤; N-Well PP N-Well PP LDD 离子植入 N-Well PP 形成 Spacer N-Well P+ P+ N+/P+高浓度离子植入 使注入离子扩散至适当的深度; 使注入离子移动到适当的晶格位置。 30. SAB 是什幺的缩写 ? 目的为何? 答: SAB:Salicide block, 用于保护硅片表面,在RPO (Resist Protect Oxide) 的保
2、护下硅片不与其它Ti, Co 形成硅化物 (salicide) 31. 简单说明 SAB 工艺的流层中要注意哪些 ? 答:SAB 光刻后( photo) ,刻蚀后 (etch)的图案(特别是小块区域) 。要 确定有完整的包覆( block)住必需被包覆( block )的地方。 remain oxide ( 残留氧化层的厚度 )。 32. 何谓硅化物 ( salicide)? 答: Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻 值(Rs, Rc ) 。 33. 硅化物 (salicide) 的形成步骤主要可分为哪些? 答: Co(或 Ti)+TiN
3、的沉积; 第一次 RTA(快速热处理)来形成Salicide 。 有 P-Well CO Sailcide N+N+ RPO 保护的地方 不会形成Salicide 将未反应的 Co(Ti) 以化学酸去除。 第二次 RTA (用来形成 Ti 的晶相转化 , 降低其阻值 )。 34. MOS 器件的主要特性是什幺? 答:它主要是通过栅极电压(Vg)来控制源,漏极 (S/D)之间电流,实现其 开关特性。 35. 我们一般用哪些参数来评价device 的特性? 答:主要有 Idsat 、Ioff、Vt、Vbk(breakdown) 、Rs、Rc;一般要求 Idsat 、 Vbk (breakdown)
4、 值尽量大,Ioff、Rc 尽量小, Vt、Rs 尽量接近设计 值. 36. 什幺是 Idsat?Idsat 代表什幺意义? 答:饱和电流。 也就是在栅压 (Vg)一定时,源/漏(Source/Drain) 之间流动的 最大电流 . 37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat? 答:Poly CD(多晶硅尺寸 )、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度 )、AA(有源区 ) 宽度、 Vt imp. 条件、 LDD imp. 条件、 N+/P+ imp. 条件。 38. 什幺是 Vt? Vt 代表什幺意义? 答:阈值电压( Threshold Voltage ) ,就是产生强反转所
5、需的最小电压。当 栅极电压 Vg 对良率有影响 Non-Killer defect = 不会对良率造成影响 Nuisance defect =因颜色异常或 film grain 造成的 defect, 对良率亦无影 响 80. YE 一般的工作流程 ? 答: Inspection tool 扫描 wafer 将 defect data 传至 YMS 检查 defect 增加数是否超出规格 若超出规格则将wafer 送到 review station review 确认 defect 来源并通知相关单位一同解决 81. YE 是利用何种方法找出缺陷(defect)? 答:缺陷扫描机(defect
6、 inspection tool)以图像比对的方式来找出defect. 并产出 defect result file. 82. Defect result file包含那些信息 ? 答: Defect 大小 位置,坐标 Defect map 83. Defect Inspection tool 有哪些型式? 答:Bright field & Dark Field 84. 何谓 Bright field? 答:接收反射光讯号的缺陷扫描机 85. 何谓 Dark field? 答:接收散射光讯号的缺陷扫描机 86. Bright field 与 Dark field 何者扫描速度较快 ? 答:Da
7、rk field 87. Bright field 与 Dark field 何者灵敏度较好 ? 答:Bright field 88. Review tool 有哪几种? 答:Optical review tool 和 SEM review tool. 89. 何为 optical review tool? 答:接收光学信号的optical microscope. 分辨率较差 ,但速度较快 ,使用较方便 90. 何为 SEM review tool? 答:SEM (scanning electron microscope) review tool 接收电子信号 . 分辨率较高 但速度慢 ,可分
8、析 defect 成分,并可旋转或倾斜 defect 来做分析 91. Review Station 的作用 ? 答: 藉由 review station 我们可将Inspection tool 扫描到的 defect 加以分类 ,并做 成分析 ,利于寻找 defect 来源 92. YMS 为何缩写 ? 答:Yield Management System Light sourcevisibleUV and visible Laser (532nm,2W) Laser (488nm,75mW) 光源入射角度normal(直射 )normalnormaloblique(斜射 ) WPH (每小时
9、产出数量) 23pcs23pcs17pcs(5X)14pcs(5um) scan layer Throughput 快 Sensitivity较差 价格低 优缺点 Throughput 慢 Sensitivity好 价格高 L/S layer,CMPfilm deposition,CMP Bright fieldDark field 93. YMS 有何功能 ? 答: 将 inspection tool 产生的 defect result file 传至 review station 回收 review station 分类后的资料 储存 defect 影像 94. 何谓 Sampling p
10、lan? 答:即为采样频率 ,包含: 那些站点要 Scan 每隔多少 Lot 要扫 1 个 Lot 每个 Lot 要扫几片 Wafer 每片 Wafer 要扫多少区域 95. 如何决定那些产品需要scan? 答: 现阶段最具代表性的工艺技术。 有持续大量订单的产品。 96. 选择监测站点的考虑为何? 答: 以 Zone partition 的观念,两个监测站点不可相隔太多工艺的步骤。 由 yield loss analysis 手法找出对良率影响最大的站点。 容易作线上缺陷分析的站点。 97. 何谓 Zone partition 答:将工艺划分成数个区段,以利辨认缺陷来源。 98. Zone
11、partition 的做法? 答: 应用各检察点既有的资料可初步判断工艺中缺陷主要的分布情况。 应用既有的缺陷资料及defect review 档案可初步辨认异常缺陷发生的工 艺站点。 利用工程实验经由较细的Zone partition 可辨认缺陷发生的确切站点或机 台 99. 何谓 yield loss analysis? 答:收集并分析各工艺区间所产生的缺陷对产品良率的影响以决定改善良率的可 能途径。 100. yield loss analysis的功能为何? 答: 找出对良率影响最大的工艺步骤。 经由 killing ratio 的计算来找出对良率影响最大的缺陷种类。 评估现阶段可达成的最高良率。 101. 如何计算 killing ratio? 答:藉由 defect map 与 yield map 的迭图与公式的运算,可算出某种缺陷对良率 的杀伤力。 您好,欢迎您阅读我的文章,本WORD文档可编辑修改,也可以直接打印。阅读过后,希望您提出保贵的意见或建议。阅读和学习是一种非常好的习惯,坚持下去,让我们共同进步。
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