阻容吸收元件的选择.doc
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1、整流晶闸管阻容吸收元件的选择电容的选择: C=(2.5-5)10的负8次方If (单位F)If=0.367Id 硅整流件正向平均电流Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管 可以计算C=(2.5-5)10的负8次方500=1.25-2.5F 电容器耐压:UC=(1.11.5)UrwmUrwm-硅整流件的额定反向峰值电压选用2.5F,1kv 的电容器 电阻的选择: R=(2-4) 535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5(pfv2fc)的平方10的负12次方R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u-三相电压的有效值追加的分数是不是太少。算了,还是港告诉你吧!电阻
2、:10欧姆,电容0.5微法电阻功率:P=F*C*Um*10(-6) 为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中,常在其两端并联RC串联网络,该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道,晶闸管有一个重要特性参数断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳
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- 吸收 元件 选择
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