IC-芯片封装流程.pptx
《IC-芯片封装流程.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《IC-芯片封装流程.pptx(43页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介,FOL Back Grinding背面减薄,Taping 粘胶带,Back Grinding 磨片,De-Taping 去胶带,将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨,来减薄晶圆达到 封装需要的厚度(8mils10mils); 磨片时,需要在正面(Active Area)贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后,去除胶带,测量厚度;,FOL Wafer Saw晶圆切割,Wafer Mount 晶圆安装,Wafer Saw 晶圆切割,Wafer Wash 清洗,将晶圆粘贴在蓝膜(Mylar)上,使得即使被
2、切割开后,不会散落; 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice,方便后面的 Die Attach等工序; Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘,清洁Wafer;,FOL Wafer Saw晶圆切割,Wafer Saw Machine,Saw Blade(切割刀片): Life Time:9001500M; Spindlier Speed:3050K rpm:Feed Speed:3050/s;,FOL 2nd Optical Inspection二光检查,主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查,是否有出现废品。,Chippin
3、g Die 崩 边,FOL Die Attach 芯片粘接,Write Epoxy 点银浆,Die Attach 芯片粘接,Epoxy Cure 银浆固化,Epoxy Storage: 零下50度存放;,Epoxy Aging: 使用之前回温,除去气泡;,Epoxy Writing: 点银浆于L/F的Pad上,Pattern可选;,FOL Die Attach 芯片粘接,芯片拾取过程: 1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片,使之便于 脱离蓝膜; 2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片,完成从Wafer 到L/F的运输过程; 3、Collect以一定
4、的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上,具体位置可控; 4、Bond Head Resolution: X-0.2um;Y-0.5um;Z-1.25um; 5、Bond Head Speed:1.3m/s;,FOL Die Attach 芯片粘接,Epoxy Write: Coverage 75%;,Die Attach: Placement0.05mm;,FOL Epoxy Cure 银浆固化,银浆固化: 175C,1个小时; N2环境,防止氧化:,Die Attach质量检查: Die Shear(芯片剪切力),FOL Wire Bonding 引线焊接,利用高纯度的金线(Au)
5、 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。,FOL Wire Bonding 引线焊接,Key Words: Capillary:陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool,内部为空心,中间穿上金线,并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点; EFO:打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温,将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊点(Bond B
6、all); Bond Ball:第一焊点。指金线在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接点,一般为一个球形; Wedge:第二焊点。指金线在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接点,一般为月牙形(或者鱼尾形); W/B四要素:压力(Force)、超声(USG Power)、时间(Time)、温度(Temperature);,FOL Wire Bonding 引线焊接,陶瓷的Capillary,内穿金线,并且在EFO的作用下,高温烧球;,金线在Cap施加的一定压力和超声的作用下,形成Bond Ball;,金线在Cap施加的一定压力作用下,形成Wedge;,FOL Wire Bondin
7、g 引线焊接,利用高纯度的金线(Au) 、铜线(Cu)或铝线(Al)把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点,Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。,FOL Wire Bonding 引线焊接,EFO打火杆在磁嘴前烧球,Cap下降到芯片的Pad上,加Force和Power形成第一焊点,Cap牵引金线上升,Cap运动轨迹形成良好的Wire Loop,Cap下降到Lead Frame形成焊接,Cap侧向划开,将金线切断,形成鱼尾,Cap上提,完成一次动作,FOL Wire Bonding 引线焊接,Wire Bon
8、d的质量控制: Wire Pull、Stitch Pull(金线颈部和尾部拉力) Ball Shear(金球推力) Wire Loop(金线弧高) Ball Thickness(金球厚度) Crater Test(弹坑测试) Intermetallic(金属间化合物测试),Size,Thickness,FOL 3rd Optical Inspection三光检查,检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品,EOL End of Line后段工艺,Molding 注塑,EOL,Laser Mark 激光打字,PMC 高温固化,De-flash/ Plating 去溢料/电镀,T
9、rim/Form 切筋/成型,4th Optical 第四道光检,Annealing 电镀退火,Note: Just For TSSOP/SOIC/QFP package,EOL Molding(注塑),为了防止外部环境的冲击,利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程,并需要加热硬化。,Before Molding,After Molding,EOL Molding(注塑),Molding Tool(模具),EMC(塑封料)为黑色块状,低温存储,使用前需先回温。其特 性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。 Molding参数: Molding Tem
10、p:175185C;Clamp Pressure:30004000N; Transfer Pressure:10001500Psi;Transfer Time:515s; Cure Time:60120s;,Cavity,L/F,L/F,EOL Molding(注塑),Molding Cycle,-L/F置于模具中,每个Die位于Cavity中,模具合模。 -块状EMC放入模具孔中,-高温下,EMC开始熔化,顺着轨道流向Cavity中,-从底部开始,逐渐覆盖芯片,-完全覆盖包裹完毕,成型固化,EOL Laser Mark(激光打字),在产品(Package)的正面或者背面激光刻字。内容有:产品
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- IC 芯片 封装 流程
链接地址:https://www.31doc.com/p-5519074.html