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1、_ -可编辑修改 - CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一,是需要一个无尘室,为何需要无尘室 答:由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体 ?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 - W 答:半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料 与干木头之间。 最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种 叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何 u* k9 + D1 v1 U# f5 7 G 答:硅 (Si)、锗 (Ge)和砷化家 (AsGa): j* z$ X0 w
2、o4 D 何谓 VLSI b5 w; M# ; b; ; 8 g3 P. G 答: VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什幺 0 r7 i, / G1 P! U“ w! I 答:介电质 (Dielectric). w- j“ 9 Y2 0 L0 fw 薄膜区机台主要的功能为何 答:沉积介电质层及金属层 何谓 CVD(Chemical Vapor Dep.) 答: CVD 是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD 分那几种 ? 答: PE-CVD( 电浆增强
3、型 )及 Thermal-CVD( 热耦式 ) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线 ?4 Z* y3 A, G f+ zX* Y5 ? 答:良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?% Y/ W) h S6 J, l$ i5 B; f9 答:做为金属层之间的隔离 何谓 PMD(Pre-Metal Dielectric) 答:称为金属沉积前的介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓 IMD(Inter-Metal Dielectric) 9 u9 j4 F1 U! Q/ ?“ j% y7 O/ Q“ m; N, b 答:金属层
4、间介电质层。1 X8 g q a0 h3 k4 r“ X$ l. l 何谓 USG? 答:未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓 FSG? 答:掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓 BPSG? D8 Y. P) X 二氧化硅其K 值为 3.9 表示何义 ( Y! 1 J! X+ P; b* _$ g 答:表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍 6 H9 v O5 U U“ R9 w! o$ 氟在 CVD 的工艺上,有何应用 答:作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z
5、 c 答: 半导体业通常用Torr 作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于 760Torr 压力 的环境称为真空. 真空 Pump 的作用?8 A8 x8 P: c“ _# q( T% X% 9 L: l 答:降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力 何谓内部连锁(Interlock) 答:机台上interlock 有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保 护机台 . 机台设定许多interlock 有何作用 ? 答:机台上interlock 主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.: ) C; d# H% k7 e! G) R Wafer Scrub
6、ber的功能为何 ? 答:移除芯片表面的污染粒子6 D/ # 6 s9 S + L( G+ m6 G8 l, D+ E ETCH 何谓蚀刻 (Etch)?+ ( Z( a5 H |# m 答:将形成在晶圆表面上的薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度的制程。 蚀刻种类 : 答: (1) 干蚀刻 (2) 湿蚀刻 蚀刻对象依薄膜种类可分为: 答: poly,oxide, metal 半导体中一般金属导线材质为何? 答:鵭线 (W)/ 铝线 (Al)/ 铜线 (Cu)9 / y% . R9 T0 l 何谓dielectric 蚀刻 (介电质蚀刻 )?n- 9 - a2 _1 ) Y2 e将不要的薄膜去除
7、* z* ) J8 Y B8 E$ . TL 何谓电浆Plasma?其中包含电子,正离子 ,负 离子 ,中性分子 ,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.3 Q J6 H1 j6 ?9 J0 w) u _ -可编辑修改 - 何谓干式蚀刻? 答:利用 plasma将不要的薄膜去除 何谓 Under-etching(蚀刻不足 )?0 e* k7 Z1 s3 L: g 答:系指被蚀刻材料, 在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 # Q 何谓 Over-etching(过蚀刻)$ i, F T! _ x/ / i4 w2 P# B 答:将晶圆表面的水份去除) W/ R4 w: J
8、4 列举目前 Wet bench dry 方法 : M k2 , y 答: (1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 何谓Spin Dryer2 ( o+ 0 o* Z 答:利用离心力将晶圆表面的水份去除 何谓Maragoni Dryer2 : r$ i“ c7 p; B 答:利用表面张力将晶圆表面的水份去除 7 Y“ _4 w; B$ t Y5 K( U; u$ U 金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? 答:清机防止金属污染问题 金属蚀刻机台Asher 的功用为何 ? 答:去光阻及防止腐蚀 - w2 N$ i“ 7 e- U
9、N( G. Q 用于 W 金属蚀刻的主要气体为$ f0 x d$ Q; ) |0 s 答: SF6; 5 n, E3 e8 s* l 何种气体为oxide vai/contact ETCH 主要使用气体 ?; x D0 e3 t8 H1 l9 n0 s- b 答: C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化学成份为:# C8 3 K% E# |; t3 T! L9 V1 _+ t 答: H2SO4/H2O2. y |B. 8 E$ i AMP 槽的化学成份为:. G: K) _9 h# C% S 答: NH4OH/H2O2/H2O UV curing 是什幺用途 ? 答:利用 UV 光对光阻
10、进行预处理以加强光阻的强度 “UV curing“ 用于何种层次?0 N) D7 m+ w5 O9 _ 答:金属层, Z6 _7 z# X6 Y8 O5 F* * ? 何谓 EMO? 答:机台紧急开关 5 s. r- t8 B9 x8 T! V! 7 S9 L1 T2 _ EMO 作用为何 ?5 a7 c# j, V! A 答:当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下 湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?7 X; t- O) N9 h 答:(1) 警告 .内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学 药剂危险 . 严禁打开此门 , x) P. w4 m, _,
11、x, Y2 ?2 P. a 遇化学溶液泄漏时应如何处置? 答:严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 遇 IPA 槽着火时应如何处置? 答:立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组$ T: A6 _ d$ F0 C) H, I. ( | 答:利用涡轮原理,可将压力抽至10-6TORR$ r2 s9 v F( c u; a* J5 C- X _ -可编辑修改 - 热交换器 (HEAT EXCHANGER)之功用为何?w0 W- |7 h* 3 ! D 答:将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 l3 C2 x“ D1 6 B4 ?! J7 w 简
12、述 BACKSIDE HELIUM COOLING之原理?! A6 n: 9 y# _# * z 答:藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化 ORIENTER 之用途为何? 2 f( K4 L! z6 N% K+ s% e 答:搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题 简述 EPD 之功用 答:侦测蚀刻终点;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点 何谓 MFC? 答: mass flow controler 气体流量控制器;用于控制反应气体的流量 GDP 为何 ?5 c3 B% g$ p: u( B 答:气体分配盘(gas distribut
13、ion plate) GDP 有何作用? 答:均匀地将气体分布于芯片上方 侧壁侧向蚀刻的机率均等 何谓 anisotropic etch?- Q( w( V; e$ ! 8 “ p 答:非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少 何谓 etch 选择比 ?7 N/ M D$ 7 t. R# h6 R% w 答:不同材质之蚀刻率比值 F3 T% j9 l 何谓 AEI CD? 答:蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸 (Critical Dimension)9 U; Y2 K) d7 z$ $ E3 X 何谓 CD bias? 答:蚀刻 CD 减蚀刻前黄光CD E, ; Y B6 n 简述何谓田口式实验计
14、划法? 答:利用混合变因安排辅以统计归纳分析 何谓反射功率?9 F2 F ?7 v9 G“ Q 答:蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射 掉,此反射之量 ,称为反射功率 Load Lock 之功能为何 ? 答: Wafers 经由 loadlock 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影 响. 厂务供气系统中何谓Bulk Gas ? 答: Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等.8 h2 V; G R7 X 厂务供气系统中何谓Inert Gas? 答: Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体,
15、 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.“ U2 r8 b“ / Z! P, S: l 厂务供气系统中何谓Toxic Gas ?, E# r$ 4 t6 J! g 答: Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 机台维修时 ,异常告示排及机台控制权应如何处理? 答:将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作6 F 冷却器的冷却液为何功用? 答:传导热2 W“ + I. K- e0 p! CT3 n7 O( - H2 J. X! R Etch 之废气有经何种方式处理? _ -可编辑修改 - 答:利用水循环将废气溶解之后排放
16、至废酸槽4 U; x6 D“ S. w! g8 Q 何谓 RPM? 答:即 Remote Power Module,系统总电源箱. 火灾异常处理程序3 % D b2 |/ _5 A, 7 J 何谓日常测机 % q: p/ o5 E z$ P 答:机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 8 D5 ! ?5 G% P 何谓 WAC (Waferless Auto Clean) 答:无 wafer 自动干蚀刻清机 何谓 Dry Clean0 h1 D- S+ K/ S; C7 a, 8 W, I% o“ 5 f 答:干蚀刻清机 日常测机量测etch rate之目的何在 ? 答:因为要蚀刻到多少厚度的
17、film,其中一个重要参数就是蚀刻率 操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施? 答: (1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之 需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带 如何让 chamber达到设定的温度? - K6 d2 t: | 答:使用 heater 和 chiller Chiller 之功能为何 ?! j* v6 2 R v; E5 i$ X: c 答:用以帮助稳定chamber温度 如何在 chamber建立真空 ?3 O+ 3 s5 V( g$ $ F8 r* L. 答: (1) 首先确立chamber parts组装完整 (2) 以 dry pum
18、p 作第一阶段的真空建立(3) 当圧 力到达 100mT寺再以turbo pump 抽真空至1mT 以下 真空计的功能为何?( r# i4 r z( * ?若未校正功率有可能会变化;如此将影响电浆的组成 _ -可编辑修改 - 为何需要对etch chamber温度做监控 ? 答:因为温度会影响制程条件;如 etching rate/均匀度 为何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的气压 )?2 V% b( z7 L造成 pump 跳掉 ,影响 chamber 的压力 ,直接 影响到 run 货品质 为何要做漏率测试? (Leak rate )7 n! %
19、 f# f$ q5 v/ 答: (1) 在 PM 后 PUMP Down 12 小时后 ;为确保 chamber Run 货时 ,无大气进入chamble 影响 chamber GAS 成份 (2) 在日常测试时,为确保 chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏 机台发生 Alarm 时应如何处理 ? P# v) W2 I a . D9 Q5 m. x# B 答: Photoresist(光阻 ).是一种感光的物质,其作用是将Pattern 从光罩 (Reticle)上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 何为正光阻 ? 答:正光阻, 是光阻的一种, 这种光阻的特性是将
20、其曝光之后,感光部分的性质会改变, 并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。7 C% k4 + j8 N 何为负光阻 ? 答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光 阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感 光的部分则被显影过程去除。 5 + X5 M7 L6 + X 什幺是曝光?什幺是显影? 答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图 形清晰的显现出来的过程。 何谓 Photo?7 o) B! s, G) M! _, X6 C 答: Photo=Photolithgraphy, 光刻,
21、将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 / _+ N M% l1 7 M! n! ZC) j# M I-line 与 DUV 主要不同处为何? 答:光源不同, 波长不同, 因此应用的场合也不同。I-Line 主要用在较落后的制程(0.35 微米以上)或者较先进制程(0.35微米以下)的Non-Critical layer。DUV 则用在先进制程的 Critical layer上。 何为 Exposure Field?5 ! W8 d9 L* t0 G8 u# b 答:曝光区域,一次曝光所能覆盖的区域 何谓Stepper? 其功能为何 ? 答:一种曝光机,其曝光动作为Step by step形式 ,
22、一次曝整個exposure field,一個一個曝 過去- k- Q( O0 u3 J. _ d( 何谓Scanner? 其功能为何 ?! ?8 n; J* z5 I z. c, g 答:一种曝光机, 其曝光动作为Scanning and step形式 , 在一個 exposure field曝光時 , 先 Scan完整個 field, Scan完後再移到下一個field. _ -可编辑修改 - 何为象差? 答:代表透镜成象的能力,越小越好 .2 i g) _“ d“ x6 g* H Scanner比 Stepper优点为何? 答: Exposure Field 大,象差较小 曝光最重要的两个
23、参数是什幺? 答:Energy(曝光量 ), Focus(焦距 )。如果能量和焦距调整的不好,就不能得到要求的分辨 率和要求大小的图形,主要表现在图形的CD 值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻 维持最佳的能量和焦距,这两个参数对于不同的产品会有不同。 何为 Reticle? 答: Reticle 也称为Mask,翻译做光掩模板或者光罩,曝光过程中的原始图形的载体, 通过曝光过程,这些图形的信息将被传递到芯片上。5 J _ a5 H“ I# m5 U 何為 CR Mask?8 F+ ! g f! U3 v, s- U% V$ j; I4 G0 O% | 答: Wafer Edge Expo
24、sure。由于 Wafer 边缘的光阻通常会涂布的不均匀,因此一般不能 得到较好的图形,而且有时还会因此造成光阻peeling 而影响其它部分的图形,因此将 Wafer Edge的光阻曝光,进而在显影的时候将其去除,这样便可以消除影响。 ( H# % h C r# D( f% J2 F/ 8 y RUN 货结束后如何判断是否有wafer 被 reject?- 9 n . j4 K. l 答: OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan( J2 t* N8 b4 e- d4 当需要追货的时候,是否需要将ET
25、CH 没有下机台的货追回来? 答:需要。因为通常是process出现了异常,而且影响到了一些货,因此为了减少损失, 必须把还没有ETCH 的货追回来,否则ETCH 之后就无法挽回损失。 PHOTO ADI检查的 SITE 是每片几个点? 7 Q: 5 m2 “ R2 O 答: 5 点, Wafer 中间一点,周围四点。$ Y6 x/ q 统计随机的考量 ; F6 k1 a- , K _ -可编辑修改 - 何谓 RTMS,其主要功能是什幺? 答 : RTMS (Reticle Management System) 光 罩 管 理 系 统 用 于trace 光 罩 的 History,Status
26、,Location,and Information 以便于光罩管理1 U( |0 n9 H/ z. 9 c) s PHOTO 区的主机台进行PM 的周期? 答:一周一次 1 3 W7 K; ; 7 v* ?* p* 1 PHOTO 区的控片主要有几种类型 答: (1) Particle :作為 Particle monitor 用的芯片 ,使用前測前需小於10 顆(2) Chuck Particle : 作為 Scanner測試 Chuck 平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為 Scanner Daily monitor best 的 wafer(4) CD :做為
27、photo 區 daily monitor CD 穩定度的wafer(5) PR thickness : 做 為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為 photo defect monitor 的 wafer, c9 b“ 9 F0 G, p2 Z5 N 当 TRACK 刚显示光阻用完时,其实机台中还有光阻吗? 答:有少量光阻 当 TRACK 刚显示光阻用完时,其实机台中还有光阻吗? 答:有少量光阻 WAFER SORTER 有读 WAFER 刻号的功能吗? 答:有 光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺? 答:光刻部的主要机台是: TRACK( 涂胶显影机 ), Sanner(
28、扫描曝光机 )3 W5 k . m“ XP v“ b, E; n: Z7 1 Y4 D 答:它是指某个产品,它的最小 “CD“ 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大 .它是代表工艺水平的重要参数.3 i6 T- z! C; w* z/ + Q; 4 A 从点 18 工艺到点 13 工艺到点零9. 难度在哪里 ? 答:难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.b/ ; : Z9 r0 V! x8 R/ e# g+ Fg 曝光机的 NA 是什幺 ?- N! r9 L3 2 p 答: NA 是曝光机的透镜的数值孔径;
29、是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先 进的曝光机的NA 在 0.5 -0.85之间 .% h7 z# r2 H6 O; Y 曝光机分辨率是由哪些参数决定的?# * y+ P. Y* p* X/ w: 答: 分辨率 =k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA 是曝光机的透镜的数值孔径; k1 是标志工艺水准的参数, 通常在 0.4-0.7之间 .2 g) a* n1 x9 n. r 如何提高曝光机的分辨率呢?. z, z7 6 v2 8 M5 m# n 答:减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大 ,提高 NA. 现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长
30、多少 ? 答: 有三种 : 高压汞灯光谱中的365nm 谱线 , 我们也称其为I-line; KrF 激光器 , 产生 248 nm 的光 ; ArF 激光器 , 产生 193 nm 的光 ;9 2 I K2 D. J$ n 下一代曝光机光源是什幺? 答: F2 激光器 . 波长 157nm _ -可编辑修改 - 我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里 ? 答:不可以 . 困难在透镜材料. 能透过 157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发 现能透过更短波长的材料. 为什幺光刻区采用黄光照明? 答:因为白光中包含365nm 成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的
31、暗房采用暗 红光照明 .+ X, as; L. K/ 2 n 什幺是 SEM 答: 扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测 量 CD# R2 d2 u8 o 如何做 Overlay 测量呢 ?+ n9 W8 j# F3 K3 k1 p) B g) o 答: 芯片 (Wafer)被送进 Overlay 机台中 . 先确定 Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这 个 MARK 是一个方块IN 方块的结构 .大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大 方块中心来确定Overlay 的好坏 . 生产线上最贵
32、的机器是什幺 + W5 u* V- s+ G“ o5 Y4 e 答:曝光机 ;5-15 百万美金 / 台 曝光机贵在哪里? 答:曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到 20 个直径在 200 300MM 的 透镜组成 .波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用激光工作台) 激光工作台的定位精度有多高? 答:现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay0.35um 以上的图层 (LAYER) KrF scanner 的工作范围是多少? 答: CD 0.13um 以上的图层 (LAYER)* v“ k2 W1 r) P( O$ H8
33、 v5 z; S7 Z ArF scanner 的工作范围是多少? 答: CD 0.08um 以上的图层 (LAYER) 什幺是 DUV SCANNER7 k2 F( % D1 L, u1 t0 M 答: DUV SCANNER 是指所用光源为eep Ultra Voliet, 超紫外线即现用的 248nm,193nm Scanner Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解:4 . y4 # o8 答: Scanner 是一个集机,光,电为一体的高精密机器;为控制iverlay NH4OH:H2O2:H2O的目的为何 ? 答:去除微粒子及有机物 洗净溶液SPM H2SO4:H2O2:H2
34、O的目的为何 ?% t$ B“ D$ 2 G 答:去除有机物 oy6 Z 答:氮化膜湿式蚀刻 0.25微米逻辑组件有那五种标准清洗方法?% N) N) U+ V! ?5 C# K- | 答: (1) 扩散前清洗 (2) 蚀刻后清洗 (3) 植入后清洗 (4) 沉积前洗清(5) CMP 后清洗% V0 3 i! S9 H. X6 B 超音波刷洗 (ultrasonic scrubbing)目的为何 ? 答:去除不溶性的微粒子污染 4 w K7 U8 v1 S+ Z/ W _ -可编辑修改 - 何谓晶圆盒 (POD)清洗 ? 答:利用去离子水和界面活性剂(surfactant),除去晶圆盒表面的污
35、染. 高压喷洒 (high pressure spray) 或刷洗去微粒子在那些制程之后?5 v5 y; q7 K, f+ z) D. F 答:(1) 锯晶圆 (wafer saw) (2) 晶圆磨薄 (wafer lapping) (3) 晶圆拋光 (wafer polishing) (4) 化 学机械研磨 晶圆湿洗净设备有那几种? 答:(1) 多槽全自动洗净设备(2) 单槽清洗设备(3) 单晶圆清洗设备.7 _# f4 M( B! j6 G7 |: T* z1 h/ a 1 Active Area 主动区(工作区)主动晶体管(ACTIVE TRANSISTOR )被制造的区域 即所谓的主动
36、区(ACTIVE AREA ) 。在标准之MOS 制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮 化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的,而由于利用到局部场氧化之步 骤,所以 ACTIVE AREA会受到鸟嘴 (BIRD S BEAK)之影响而比原先之氮化硅光罩所定义 的区域来的小, 以长 0.6UM 之场区氧化而言,大概会有0.5UM 之 BIRD S BEAK 存在, 也就 是说 ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。 2 ACTONE 丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种,分子式为CH3COCH3 。 2. 性质为无色, 具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在
37、FAB 内之用途, 主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。 4. 对神经中枢具中度麻醉性,对皮肤黏膜具轻微毒性,长期接触会引起皮肤炎,吸入过量 之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜,甚至引起头痛、 恶心、 呕吐、目眩、 意识不明等。 5. 允许浓度1000PPM。3 V* g% G+ U+ r( y: 9 w 3 ADI 显影后检查1.定义:After Developing Inspection 之缩写 2.目的:检查黄光室制程; 光阻覆盖对准曝光显影。发现缺点后,如覆盖不良、显影不良等即予修改,以维护 产品良率、品质。3.方法:利用目检、显微镜为之。 6 G9 G( j3 b) K2 a; q
38、 b 4 AEI 蚀刻后检查1. 定义: AEI 即 After Etching Inspection ,在蚀刻制程光阻去除前及 光阻去除后,分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的: 2-1 提高产品良率,避免不良品外 流。 2-2 达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4 阻止异常扩大,节 省成本3.通常 AEI 检查出来之不良品,非必要时很少作修改,因为重去氧化层或重长氧化 层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加, 生产成本增高, 以及良率降低之缺点。 0 g9 t- g4 o9 W/ k9 B5 r 5 AIR SHOWER 空气洗尘室进入洁净室之前,需穿无
39、尘衣,因在外面更衣室之故,无 尘衣上沾着尘埃,故进洁净室之前,需经空气喷洗机将尘埃吹掉。 6 ALIGNMENT 对准1. 定义: 利用芯片上的对准键,一般用十字键和光罩上的对准键 合对为之。 2. 目的:在IC 的制造过程中,必须经过610 次左右的对准、曝光来定义电路 图案,对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法: A.人眼对准B.用光、 电组合代替人眼,即机械式对准。, V“ ; ?( I/ s( y) A 7 ALLOY/SINTER 熔合Alloy 之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate) 之接触有Ohmic 特 性,即电压与电流成线性关系。Allo
40、y 也可降低接触的阻值。 _ -可编辑修改 - 8 AL/SI 铝/ 硅 靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar 游离的离子,让 其撞击此靶的表面,把 Al/Si 的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,一般使用之组成为Al/Si (1%),将此当作组件与外界导线连接。 9 AL/SI/CU 铝/ 硅 /铜金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为TARGET ,其成分 为 0.5铜, 1硅及 98.5铝,一般制程通常是使用99铝 1硅,后来为了金属电荷迁移 现象( ELEC TROMIGRATION)故渗加0.5铜,以降低金属电荷迁移。 10 ALUMINUN 铝此为金属溅镀时所使用的一种金
41、属材料,利用Ar 游离的离子,让其 撞击此种材料做成的靶表面,把Al 的原子撞击出来,而镀在芯片表面上,将此当作组件与 外界导线之连接。% J- e5 C- L. w! $ “ O% P) | 11 ANGLE LAPPING 角度研磨Angle Lapping 的目的是为了测量Junction 的深度,所 作的芯片前处理,这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lapping。公式为Xj= /2 NF 即 Junction 深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI 组件的缩 小,准确度及精密度都无法因应。如 SRP(Spreading Resistance Prq
42、bing)也是应用Angle Lapping 的方法作前处理,采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction 的深度, 精 确度远超过入射光干涉法。/ w( V5 P. r, w. c2 ?( g 12 ANGSTRON 埃是一个长度单位,其大小为1 公尺的百亿分之一,约为人的头发宽 度之五十万分之一。此单位常用于IC 制程上, 表示其层 (如 SiO2,Poly,SiN.)厚度时用。 13 APCVD (ATMOSPRESSURE ) 常压化学气相沉积APCVD为 Atmosphere(大气 ), Pressure( 压力 ),Chemical(化学 ),Vapor(气相 )
43、及 Deposition(沉积 )的缩写,也就是说,反应气 体 (如 SiH4(g), B2H6(g), 和 O2(g)) 在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物(如 BPSG) 于芯片上。 14 AS75 砷自然界元素之一;由33个质子, 42 个中子即75 个电子所组成。半导体工业 用的砷离子( As)可由 AsH3 气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作 N-场区、空 乏区及 S/D 植入。 15 ASHING , STRIPPING 电浆光阻去除1. 电浆预处理,系利用电浆方式(Plasma ) , 将芯片表面之光阻加以去除。2. 电浆光阻去除的原理,系利用氧气在电浆中
44、所产生只自由 基( Radical)与光阻(高分子的有机物)发生作用,产生挥发性的气体,再由帮浦抽走,达 到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢,但是若产品经过离 子植入或电浆蚀刻后,表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用,整个表面之光阻均已变 质,若以硫酸吃光阻,无法将表面已变质之光阻加以去除,故均必须先以电浆光阻去除之方 式来做。( w8 S2 t3 o: j+ A: J 16 ASSEMBLY 晶粒封装以树酯或陶瓷材料,将晶粒包在其中,以达到保护晶粒,隔绝 环境污染的目的,而此一连串的加工过程,即称为晶粒封装(Assembly) 。封装的材料不同, 其封装的作法
45、亦不同,本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装,制程包括: 芯片切割晶 粒目检晶粒上架 (导线架,即Lead frame)焊线模压封装稳定烘烤(使树酯物 性稳定)切框、弯脚成型脚沾锡盖印完成。以树酯为材料之IC,通常用于消费性 产品,如计算机、计算器,而以陶瓷作封装材料之IC,属于高性赖度之组件,通常用于飞 弹、火箭等较精密的产品上。, + L$ 8 x t( e8 y4 + 22 BONDING PAD 焊垫焊垫晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装 (Assembly)的制程中,有一个步骤是作“ 焊线 ” ,即是用金线(塑料包装体)或铝线(陶瓷 包装体)将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图(Bonding Diagram)连接在一起,如此 一来,晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小,(目 前 SIMC 所致的产品约是微米左右的线宽或间隙),而用来连接用的金线或铝线其线径目前 由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制,祇能做到1.01.3mil (25.433j 微米) 左右, 在此情况下, 要把二、
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