光电并购中谷光电的可行性研究报告(增长).pdf
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1、映瑞光电科技(上海)有限公司 关于收购江苏中谷光电股份有限公司及公 司未来发展规划的可行性研究报告 映瑞光电科技(上海)有限公司 二一四年十月 第一章项目概况 1.1 、LED简介 LED (Light-Emitting Diode,发光二极管)是继原始的油灯和蜡烛、白炽 灯、荧光灯之后的第四代照明光源。如图所示。 LED 光源是一种光电转化效率极高的冷光源, 能耗只有白炽灯的 1/8 1/10 , 而使用寿命理论可达10 万小时,是白炽灯的约 50 倍,并且该光源还具有发光纯 度高、使用安全,免维护,无污染等优点,所以得到了世界各国的大力推广。 2003 年 6 月科技部联合信息产业部、建设
2、部等部门启动“国家半导体照明 工程”后,国家相关部门、行业和地方政府非常重视LED产业的发展。科技部已 经将“半导体照明产业化技术开发”项目列入国家科技攻关重大项目计划。2006 年初,国务院发布了国家中长期科学和技术发展规划纲要(20062020) , “高 效节能、长寿命半导体照明产品” 被列入中长期规划第一重点领域(能源) 第一优 先主题 ( 工业节能 ) ,在国内外引起广泛关注,我国LED产业正在进入自主创新、 实现跨越式发展的重大历史机遇期。LED产业的发展也符合国家重点发展的战略 性新兴产业七大产业中节能环保产业和新能源产业的发展需求。 1.2 、映瑞光电简介 映瑞光电科技(上海)
3、有限公司成立于2010年 7 月,是一家在中国大陆从 事 LED及相关产业链设计、 研发与制造的中外合作的高科技企业。公司的产品主 要为高亮度 LED外延片、芯片,业务涵盖了从外延片、芯片的各个环节。 1.3 、中谷光电简介 江苏中谷光电股份有限公司成立于2010年 10 月 29 日,主要从事发光二极 管外延片、芯片的研发、制造、销售、封装;发光二极管产品应用系统工程的安 装、调试和维修;经营本企业自产产品及技术的出口业务和本企业所需的机械设 备、 零配件、原辅材料及技术的进口业务。 目前主要产品包括LED外延片、芯片。 1.4 、收购中谷光电的必要性 在 2010至 2012年期间, LE
4、D市场和宏观经济形势对项目的实施造成了重大 的影响: 一方面, 2010 年国内的 LED外延、芯片产业处于发展初期, 政府大规模对 LED上游产业,特别是 MOCVD 设备进行专项补贴。在补贴的刺激下,国内LED上 游产业急速扩产, 低端、同质化 LED芯片产品充斥市场, 造成 LED芯片每年降价 的幅度在 20%-30% 。 另一方面,宏观经济环境变化,银行银根紧缩,同时受LED市场变化的影 响,银行对 LED芯片企业的贷款收紧。 在此宏观环境影响下,映瑞光电果断的减少了MOCVD 设备的投入,将更多 资金投入到 LED产品的研发。 2012年 7 月映瑞光电的 LED白光芯片产品光效已
5、经超过了 135lm/W ,达到当时国内领先水平。 2013 年,公司成功研发了垂直结构 LED芯片(光效达到 160lm/W)、GX-C新型外延结构以及0920高端 LED芯片, 均达到国内领先、国际先进的水平。至2013年映瑞光电实现销售收入超过9000 万元。2014年起,LED芯片市场将进入高速稳定的发展期市场规模高速稳定 的增长、芯片价格及利润将趋于稳定。进入2014 年,映瑞光电的市场份额不断 扩大,外延片、芯片均供不应求,因此,急需扩大生产规模。 同时,中谷光电由于宏观经济环境的影响,未能形成大规模的生产。 基于市场的变化以及映瑞光电和中谷光电的发展情况:映瑞光电需新增 MOCV
6、D 设备及芯片生产设备; 中谷光电未形成大规模生产的MOCVD 设备需重新开 工生产。因此,映瑞光电与中谷光电的经营管理层协商,拟通过映瑞光电收购中 谷光电:一方面,中谷光电的生产能力能够帮助映瑞光电快速的将此前研发的投 入转换为生产力, 利用公司的技术优势快速扩张,实现公司的高速发展; 另一方 面,映瑞光电也能够将先进的技术注入中谷光电,使中谷光电形成规模化生产。 映瑞并购中谷对于双方均是急迫且必要的,能够使双方共赢。 第二章市场分析 2.1 、LED产业链 LED产业链(以本项目主要产品蓝宝石衬底LED为例)如下: 1)蓝宝石厂商以高纯度氧化铝制成蓝宝石晶棒,并加工成 LED外延片用的 蓝
7、宝石衬底 2)外延 / 芯片厂购入蓝宝石基板(衬底),放入MOCVD 设备(炉子)中, 在衬底表面生长半导体外延层,该阶段性产品为外延片; 3)外延片再通过研磨抛光、蒸镀、光刻等工艺制作电极并按一定的规定尺 寸切割成大量的 LED 芯片(或称为晶粒); 4)封装厂将 LED芯片根据不同要求进行封装; 5)下游客户将封装后的LED器件运用至照明、电视背光等领域。 映瑞光电现有业务即处于LED产业的上游,即购入蓝宝石基板(衬底)生 产及销售外延片及LED芯片。如图所示。 图 LED产业链及映瑞光电现有业务 2.2 、LED应用市场 LED产业发展历程,就是发光效率提升,生产成本不断下降,先后经历从
8、 信号指示、显示屏、液晶背光到照明的发展阶段。目前信号指示、显示屏、背光 已经逐渐进入发展的成熟期,而LED照明刚进入高速发展的窗口期。如图所示。 图 LED应用市场发展情况 1)LED背光市场 LED 背光需求方面,在2013 年后进入成熟阶段,未来实际需求将出现下 降。背光的高增长阶段已经过去,从主要电子产品的LED 背光渗透率来看都已 经到了比较高的水平, 虽然不再是需求增长的主要因素,但却是 LED器件稳定而 巨大的下游应用市场。 图 中国 LED背光市场规模 2)显示屏市场 LED显示屏方面, 2012年中国 LED显示屏产值达 241 亿元人民币,同比增 长 10% 。随着 LED
9、显示屏的普及,这一市场已相对成熟,未来的未来的增长相对 有限,预计 2013-15 年,LED显示屏市场增速在10-15% 。 图 中国 LED显示屏市场规模 3)LED照明市场 2013 年全球 LED照明市场规模达到165 亿美元, LED照明渗透率达到 18% 。 至 2015 年,全球 LED照明市场规模将达到365 亿美元,渗透率达到33.5%。 图 全球 LED照明市场及渗透率(来源:LEDinside ) 2013年中国 LED照明市场规模达到 31.9 亿美元, LED照明渗透率达到 20% 。 至 2015 年,中国 LED照明市场规模将达到76.0 亿美元,渗透率达到38.
10、4%。 图 中国 LED照明市场及渗透率(来源:LEDinside ) 2.3 、LED芯片市场 1)中国 LED芯片市场 据高工 LED统计数据,2013 年中国大陆 LED芯片市场规模达 84 亿 ,较 2012年增 17% ,至 2017 年芯片市场每年增速约15% ,如图所示。 图中国 LED芯片市场规模(数据来源:高工产业研究所) 2)高亮 LED芯片市场 高亮发光二极管( High brightness light emitting diodes,HB-LED )综 合具备了高输出、 高效率和长寿命等优势。 全球的制造商们正在开发能够实现光 通量更高、寿命更长、色彩更丰富而且单位功
11、率发光度更高的LED器件。 高亮 LED芯片的主要应用市场有三个,即以智能机为主的Flash LED;以 通用照明、探照灯、路灯、工矿灯为主的大功率照明LED ;以及汽车照明 LED 。 如图所示。 图 高亮 LED的主要应用市场 据 Digitimes 统计数据 , 2013年全球高亮 LED芯片市场规模达 45 亿美金。 国内高亮 LED芯片占比仅 5% ,约 2.25 亿美元,国内的高亮LED芯片市场发展空 间巨大。 2014 至 2017年,全球高亮 LED芯片市场增速约10% 图 全球高亮 LED芯片市场规模 主要的高亮 LED芯片产品形态包括正装LED 、倒装 LED和垂直结构 L
12、ED ,如 下图所示。 图 高亮 LED芯片的产品形态 从技术开发难度来看,垂直结构LED技术难度最高,倒装结构次之,正装 结构相对最为简单。各种芯片结构对比如下表所示。 各类型高亮 LED对比 结构类型成本技术难度可靠性散热光效 正装结构低低低差低 倒装结构中等中高差高 垂直结构中等高高好最高 目前主流高亮 LED芯片厂商均能生产传统正装结构LED芯片。由于垂直结 构技术难度高,多数二线厂商将发展方向聚焦在倒装LED芯片,但一线大厂如 CREE 、欧司朗、三星等均将垂直结构LED作为其主要的高亮LED芯片发展方向。 除了 CREE 、欧司朗及三星以外,目前全球并无其他厂商能够大规模稳定的 量
13、产垂直结构 LED芯片。CREE 、欧司朗及三星的垂直结构LED芯片仅占全球高亮 LED市场的 20% ,仍有巨大的市场空间。 映瑞光电已经完成了垂直结构LED芯片的研发,良率高、能够稳定的大规 模量产,目前正在小规模试产,2014年 Q2 ,完成垂直结构的小规模试产。2014 至 2015 年 Q2 ,垂直结构 LED量产爬坡阶段完成, 2015 年 Q3开始大规模量产。 倒装结构方面,映瑞光电的研发也在同时进行,预计2014年 Q2完成倒装 结构的研发, 2014年 Q3至 2014年 Q4完成倒装结构的量产爬坡期,2015 年 Q1 开始量产。 目前主流厂商的研发进展如下表所示。 2.4
14、 、业内主流厂商经营情况分析 1)三安光电 三安光电通过参股璨圆、收购美国流明,解决上游外延芯片技术,中高端 应用领域逐步实现进口替代。璨圆光电在LED 背光芯片上有很强的优势,三安 光电入股璨圆后, 背光芯片技术上有了很大的提高,根据我们最近的调研, 下游 背光封装厂商正逐步加大国产LED 芯片的采购比例,公司的芯片在国内厂家中 最具竞争力。 (数据来源: Wind) 2)CREE 垂直结构 LED芯片的技术领先性,能够为企业创造巨大的价值。目前,全 球唯一量产垂直结构LED芯片的厂商 CREE , 其 LED封装 (含芯片)毛利率约 45% 。 图 CREE公司 LED产品销售收入及毛利预
15、测(来源:ThomsonOne ) 3)小结 三安光电和美国CREE 是 LED产业内最具代表性的两家企业, 从对这两家企 业的分析: LED外延芯片是技术和资本双密集型产业,由于行业特点,目前行业 的主要的盈利模式有以下两点: 1、依靠政府补贴和低成本优势的规模化生产 三安光电在 GaN基 LED芯片方面采取的策略均是大规模的生产蓝宝石衬底 平面结构 LED芯片。 三安光电获得了内地政府的补贴,在政府和内地低成本的劳动力,两家公 司的盈利水平较为稳定和持续。 2、高端芯片的技术优势 相较于中国内地(以三安光电为代表)的规模化生产,美国厂商CREE 依靠 其独特的垂直结构LED芯片技术,占领了
16、高毛利的高端LED芯片市场。其毛利远 高于三安光电。 LED外延、 芯片厂商的盈利需要政府的大力支持或者厂商本身的技术优势。 映瑞光电拥有垂直结构和倒装结构LED的核心技术,能够研发出高端、 高毛利的 高亮 LED芯片,与中谷光电开展合作后,能够扩大产能。同时,映瑞与中谷的发 展均得到当地政府及产业区管委会的大力支持(上海临港产业区管委会与南通苏 通产业区)。映瑞并购中谷之后,一方面,技术上比较领先,另一方面,政府也 大力支持, 再技术和政府支持方面均符合行业发展的需求,因此,映瑞和中谷将 能够成为国内最具竞争力的LED芯片制造商。 第三章映瑞光电发展情况 3.1 、概况 映瑞光电科技(上海)
17、有限公司(以下简称“映瑞光电”)成立于2010 年 7 月,是一家在中国大陆从事LED及相关产业链设计、研发与制造的中外合作的 高科技企业。映瑞光电在2010 年 7 月 29 日和上海临港集团签约LED光电项目, 双方将共同在上海临港产业区打造国家级LED产业化示范基地,中共中央政治局 委员、市委书记俞正声出席签约仪式。 公司主要产品为LED外延片及 LED芯片,产品受到全球最大的LED芯片厂 商台湾晶元光电、 台湾第四大 LED芯片厂泰谷光电及国内上市公司 瑞丰光电的认可,技术水平达到国内顶级、 国际领先水平。公司产品除了外延片、 芯片以外,还在积极开发倒装芯片和垂直芯片等国际领先的LED
18、芯片技术,力争 在 2016 年达到国际顶级水平。 3.2 、公司市场情况 2013年,由于公司技术研发的大幅度进步公司全年实现出货9663万元。 2014年 1-9 月,公司出货与2013年同比大幅增长,实现出货合计1.18 亿元, 同比增长 73% ,其中 2014 年 7-9 月连续 3 个月销售收入超过2000 万元。如图所 示。 图 映瑞光电 2014年出货情况以及与2013 年的同比情况 201 201 730 806 918 1023 1009 754 1205 324 356 545 1103 1502 1802 2000 2002 2200 0 500 1000 1500 2
19、000 2500 1月2月3月4月5月6月7月8月9月 2013年 2014年 3.3 、技术研发情况 3.3.1 技术研发团队介绍 2013 年,由李起鸣博士牵头,并带领美国博士团队归国加盟映瑞光电,在 映瑞光电的技术发展进程中引入国外先进的研发管理模式和顶级的LED外延芯 片技术。 1)李起鸣博士 李起鸣博士, 74 年出生于天津,祖籍山东。北航材料学士、清华核材料硕 士、美国新墨西哥州大学博士,化学工程博士。SiC, SiGe,III-Nitride半导 体顶级专家,曾担任美国能源部Sandia 国家实验室科学家、美国能源部EERE 半导体照明中心科学家、美国电子材料学会(EMC )特约
20、分会主席;具有多年国 际发行专业期刊审稿人、 国际大型公司技术投资顾问经验;发表高影响指数文章 二十余篇、国际会议上做报告近40 次;获得美国专利 5 项、美国能源部内部发 明 11 项、获得美国国家实验室颁发的专利奖、多次获得美国国家实验室杰出雇 员奖表彰。 2)其他核心团队成员 团队其他核心成员来自美国新墨西哥州立大学及耶鲁大学,在LED及半导 体产业方面拥有多年的研究和产业化经验,团队成员的专业方向涵盖了理论、模 拟、工艺等 LED产业所需的全部方面。 表 核心技术团队成员 序号姓名主要经历 1 张磊 美国新墨西哥大学博士 美国 Nanocrystal Corporation创始人及技术
21、总监, 拥有 18 年半导体光电领域的研发 经验 , 并主导与EPISTAR 、 FOREPI等世界知名LED公司研发项目 获得 4 项国际及美国专利, 国际知名的学术期刊及学术会议上发表专著论文三十余篇 2 张宇 耶鲁大学 / 山东大学联合培养博士,耶鲁大学副研究员 申报美国和国际专利十余项,国际会议报告近20 次,发表专著论文三十余篇 Epistar,Bridgelux等世界知名LED公司合作开发新技术 3 徐慧文 双博士:美国新墨西哥州大学电子工程博士;湖南大学光学博士 发表专著论文十余篇 4 琚晶 美国新墨西哥州大学博士,电子工程 发表专著论文十余篇 专长:芯片光电性能模拟 3.3.2
22、 技术研发进展 2013 年公司在技术研发方面有重大突破, 主要聚焦在新型外延结构的开发、 电极结构的优化、芯片小型化技术、垂直结构LED开发等方面。 1)新型外延结构开发 公司在外延结构中创新性的引入新型电子阻挡层(E-Block Layer, 简称 EBL ) 结构。传统外延结构中, 大电流下电子泄露极易导致漏电,进而导致芯片在大电 流驱动下衰减过快。 映瑞在外延结构中引入新型电子阻挡层以后,发光效率在低 电流密度下提升 5% 、高电流密度下提升15% ,如图所示。 图 新型 EBL对发光效率的提升(图中蓝线为新型EBL结构) 2)高反射金属电极开发 LED芯片电极的金属部分无法透光, 利
23、用金属电极将入射至金属表面的光反 射回 LED芯片内部,进而使其出射至芯片外部, 是整个 LED行业所面临的共同课 题。 李起鸣博士团队加盟公司之后,将部分研发精力集中在高反射金属电极的 开发方面, 2013年 9 月完成了高反射金属电极的第一轮开发,芯片整体出光效 率提升 5% ;2013 年 12 月完成了第二轮开发,芯片整体出光效率再度提升3% 。 3)新材料 ITO 透明电极开发 ITO 为透明电极材料,它需要同时具有好的导电性和透光性,以提高LED 的发光效率。产线起初使用电子束蒸镀的方法实现ITO 沉积。 2013年公司新引 进反应等离子体沉积设备(Reactive Plasma
24、Deposition,简称 RPD ),用于开 发新材料 ITO 透明电极。通过一系列理论和实验证明, 用 RPD 蒸镀的 ITO 有更好 的导电性和透光率,有利于提高LED芯片的发光效率。公司采用RPD设备之后, 芯片整体光效提升3% 以上。 4)芯片小型化技术 技术团队加盟公司之后,芯片尺寸从2013 年 4 月的 1128(面积 0.19mm2 ) 缩小至 2013 年 7 月的 0928(面积 0.16mm2 ),至 2013 年 12 月,量产芯片尺寸 进一步缩减至 0920(面积 0.11mm2 ) 从 1128到 0920,芯片尺寸缩减进一步加强了公司产品的竞争力: A)芯片的性
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