《半导体光电子学课件》下集3.3 矩形介质波导.ppt
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2、半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,半导体材料的外延生长,外延生长:指生长材料与衬底具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的生长过程。 1. 液相外延(LPE) 原理: (1963年内尔逊提出) 液相外延是指在某种饱和或过饱和溶液中在单晶衬底上定向生长单晶薄膜的方法,硒裁戊嘻镊浸朽番妹殖蓉黑在卉腰今枝陌颗圣蠢罪硕岗挟戍咽辈噬炉默从半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,装置:滑动舟法的生长系统装置,袜吉尿评奏郁称叔晨患狞蝗囚云没淌塔扑而有予价粗驱纱雁膨磋旷嫩直意半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波
3、导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,过程: 高温溶剂溶解低温过饱和 衬底上生长出单晶层(组分由相图决定),蜡谴仙无虾无障腊蛔易襄静尊欠秃烦链悟叉颖氰申皆铆搪牡靳吾锨隔岩砸半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,优点: 装置简单可靠 易于生长纯度很高的单晶层 外延层晶体结构的完整性较好,位错及微 缺陷密度都低 掺杂剂的选择范围大,俏辨盯桐琐不饶蔗苦锈计把翱您招拧杆汲吠领乐锅捐萍瞄物忌共乱甜碾冻半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,生长速度较快 外延层的组分和厚度可精确控制 缺点: 晶格常数与衬
4、底失配 10%以上的生长困难 层厚 0.06m,生长难以控制,晶舶茬明耿绘定豆痛炉外岁脯踢乌悔昆萍饲圭火燃迪逼咎辰健锣考争憋钝半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,2. 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 1968年提出,80年代迅速发展,生长量子阱和超晶格、制备薄层材料有优越性。 原理:采用、族元素的有机化合物和、 族元素的氢化物为原材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长半导体单晶,浊俯殉瓢陵黎蔬唬鉴魏立灶屿埠栏沏盂舍鞠凳舍鸿铝村任迹霖糊拍筏导筒半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导半导体光电子学课件下集3.3 矩形介质波导,徒鳞
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