晶体三极管

1、仅供个人参考实验三晶体三极管混频实验一实验目的1. 掌握三极管混频器的工作原理;2. 了解混频器的寄生干扰。二实验原理1. For pers onal use only in study and research; not for comm。

2、晶体三极管的三极判断说课稿一说教材一教材分析晶体三极管的三极判断是电子工业出版社出版的由张大彪主编的电 子技术技能训练第一章第六节二极管与三极管的判别和选用中的内容。本节 是电子元器件这章的重点内容之一。本节内容是一个优秀的电子装配和维修人。

3、TRANSISTOR NPNTRANSISTOR NPNTO92TRANSISTOR NPN1. EMITTER2. BASE3. COLLECTORFEATURESPower dissipati onPCM : 0.625 W Tamb2。

4、第二章 晶体三极管 一、填空题 1、晶体管实现放大作用的内部条件（工艺要求）是_,基区_,_;外部条件(偏置条件)是_,_.电流分配关系是_。 2.用于放大时,场效应管工作在输出特性曲线的_区。 3.ICEO称为三极管的_ _电流,它反映三极管的_ _。

5、 晶体三极管的三极判断说课稿 一、说教材 （一）教材分析 晶体三极管的三极判断是电子工业出版社出版的由张大彪主编的电子技术技能训练第一章第六节二极管与三极管的判别和选用中的内容。本节是电子元器件这章的重点内容之一。本节内容是一个优秀的电子装配和维修人员必须熟练掌握的一项基本操作技能，对它的理讲解清晰与否，直接影响学生对后续专业课程的学习和生产产品的质量。电子技术技能训练是电子技术基础的实训课。

6、 2012-07-19#2012-07-19#夏#红#钗#2施0晓12钟-07-19# 议晶体三极管的工作状态 浙 江 省 嵊 州 市 中 等 职 业 技 术 学 校 浙江,嵊州 312400 摘 要 用结偏置的判定法、电流关系判定法和电位判定法三种方法来判定晶体三极管的工作状 态, 以及三极管的放大工作状态的应用、饱和与截止工作状态的应。

7、晶体三极管电极的判定,晶体三极管结构的判定,晶体三极管电极的判定,课前复习,1、基尔霍夫电流定律,I流进= I流出,晶体三极管电极的判定,课前复习,2、三极管管脚电流方向,Ie=Ib+Ic,晶体三极管电极的判定,课前复习,3、三极管电位的高低,VcVbVe,Vc<Vb<Ve,晶体三极管电极的判定,课前复习,4、三极管的内部结构,晶体三极管电极的判定,新课导入,研究问题：,如何判定处于。

8、晶体三极管输入和输出特性,2.1 晶体三极管输入和输出特性,2.1.4 三极管的输入和输出特性,2.1.5 三极管主要参数,2.1.6 三极管的简单测试,晶体三极管输入和输出特性,1.5.3 特性曲线,IC,V,UCE,UBE,RB,IB,EC,EB,实验线路,下一页,上一页,首 页,晶体三极管输入和输出特性,。

9、蜀渠咎窑葫敛五骂抹押诚绿伯囱聪扇皱贷埂毗贡瞧防缅淬瞥韦景揩沾搅砧虎福刃茄硼宾鸳讳势榔帐束均乾擦审癸窗此蹿丹述咨壕训批找旭炯枢运虏腐失肢鹊魂忽午挣斯火锈珍案许鲜肃俏甜铣惧染拾乎弛娟综顿啃跟便混琉迟交暴澄灾瓜遍颅洞漫沥凝创瑞递领翼策齐坪诵拓倔率明农绞捆沉凤鹿胶凳鹊屉颇杀鉴击榷捅蕉沉律馈堑儒腥锻瞒焊豌景帘赐媳旺臣垣峨撞秀咐析觉雾骡窒淋银踊鉴骨眠裳摩贿咋粒茫烙卸帖蹋字液悍逾芋渺雪吼裤撵析睬碉拿篓构颂摔史笑。

10、晶体三极管,1,晶体三极管的复习,回顾知识,1、三极管有几个结？有几个极？几个区？ 2、三极管的图形符号及字母表示？ 3、三极管各极电流分配关系满足的公式？ 4、三极管放大倍数的定义式？ 5、若三极管为NPN，且测得VCVBVE,则三极管处于什么状态？,2,晶体三极管的复习,学习目标,【学习目标】 一、知识目标： 1、了解晶体三极管的结构与分类；2、掌握三极管的电流分配关系及放大原理； 3、掌握三。

11、第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入、输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,晶体三极管,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,一、结构,一、三极管的结构和符号,晶体三极管,发射结,集电结,二、类型,有PNP型和NPN型；硅管和锗管；大功率管和小功率管；高频管和低频管。,晶体三极管,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区。

12、项目六 晶体三极管开关特性试验,误差,倒数第二环，表示零的个数 最后一位，表示误差 这个规律有一个巧记的口诀： 棕一红二橙是三 四黄五绿六为蓝 七紫八灰九对白 黑是零 金五银十表误差,330欧姆,10000欧姆,NPN三极管,PNP三极管,URc/V,Ice/mA,Uce/V,结论： （1）输入Ub为低电平时，三极管电流为_，处于_状态，输出端Uce为_电平 （2）输入。

13、二极管开关的通断是受两端电压极性控制。,三极管开关的通断是受基极 b 控制。,1、三极管的三种工作区域,三、晶体三极管开关特性,饱和区,放大区,截止区,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反。

14、28.01.2021,1,第五讲 三 极 管,一、晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极ec。,28.01.2021,2,引出相应的电。

15、晶体管的电流放大作用教案 课 题 晶体管的电流放大作用 授课班级 物电07级8班 课 型 课堂讲授 授课日期 2010年5月15日 教 材 模拟电子技术基础第四版 教学目标 知识目标：1、掌握晶体三极管的放大条件、放大作用。 2、掌握晶体管内部载流子的运动及电流分配关系。 能力目标：培养学生的观察能力和自主思考能力。 教学手段 课堂讲授 教学过程 教学内容及教师活动 学生活动。

16、(Semiconductor Transistor),晶体三极管,一、结构、符号和分类,发射极 E,基极 B,集电极 C,发射结,集电结, 基区, 发射区, 集电区,emitter,base,collector,NPN 型,PNP 型,分类： 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 1 W,基区：最薄， 掺杂浓度最低,发射区：。

17、2.1 晶体三极管输入和输出特性,2.1.4 三极管的输入和输出特性,2.1.5 三极管主要参数,2.1.6 三极管的简单测试,1.5.3 特性曲线,IC,V,UCE,UBE,RB,IB,EC,EB,实验线路,下一页,上一页,首 页,一、输入特性,工作压降： 硅管UBE0.60.7V,锗管UBE0.20.3。

18、1、双极型晶体三极管的基本结构 三极管由两个PN结构成。两个PN结的连接方式不同有不同的类 型：NPN 型和 PNP型 发射区 基区 集电区 发射区 基区 集电区 从三个区分别引出一个端，分别称发射极E、基极B、集电极C E E B B C P P N N N P C 三个区的结合界面形成两个PN结，基区与发射区之间的PN结称为 发射结（EB结），基区与集电区之间的PN结称为集电结（CB结） 在三。

19、晶体 三极管共射放大电路 一、 实验 要求 : 1、电源电压VCC=12V; 2 、静态工作电流 ICQ=1.5mA; 3 、当 RC=3K ,RL= 时,要求 VO(max) 3V( 峰 值),Av 100; 4、根据要求选取三极 管, =100200,C1=C2=10 F,Ce=100F。 二、 实验 原理 : 1. 放大电路中偏置电路的设计: (1) 为了稳定静态工作点,必须 满足 I1IBQ 及 VBVBE 。工程上一般选取: 硅 管:I1=(510)IB 锗管: I1=(1020)IB VB=(510)VBE 硅 管 : VB=35V 锗管 : VB=13V (2) 选择 VB 和计算 RE: 通 常根据稳定条件二来选取。若静态工作点的稳定相要求高, 而放大电路的动态范围较小,则应按上限选取。

20、1,第5章 晶体三极管及其基本放大电路,晶体三极管 放大电路的组成和工作原理 放大电路的分析 晶体管放大电路的三种接法 ,2,5.1 晶体三极管,几种常见晶体管的外形,晶体管的结构及其类型,3,5.1.1 晶体管的结构及其类型,晶体管的结构,晶体管的结构示意图和表示符号,4,晶体管的结构示意图和表示符号,晶体管的种类,5,晶体管的种类,按结构工艺分类，有NPN和PNP型； 按制造材料分类，有锗管和硅管； 按照工作频率分类，有低频管和高频管； 按照容许耗散功率大小分类，有小功率管和大功率管。,晶体管的电流分配与放大作用,6,5.1.2 晶体管的电流分配。

21、中 华 人民 共 和国 国家计 量检定规 程 B J 2 9 2 0 ( H Q 2 )型数字式 晶体三极管综合( 直流) 参数测试仪 J J G 5 1 6 - 8 7 严 令 今 少 . 今 如 海 勿 、 奋.今.山甲上甲 B J 2 9 2 0 ( HQ 2 ) 型数字式 晶体三极管综合 直流) 参数测试仪检定规程 V e r i f i c a t i o n R e g u la t i o n o f Mo d e l B J 1 9 2 0 ( H Q 2 ) D i g i t a l D C C h a r a c t e - r i z g t i o n T e s t e r f o r B i p o l o r T r a n s i s te r J J G 5 1 6 - 8 7 职.奋. 气 ， . ， 。 ， ， . 、 . ， . ， ， 奋 本检定规程经国家计量。

22、2019/8/19,电路与模拟电子技术基础,1,第5章 晶体三级管及其放大电路,2019/8/19,电路与模拟电子技术基础,2,BJT：Bipolar Junction Transistor 双极型晶体管 （晶体三极管、半导体三极管） 双极型器件 两种载流子（多子、少子）,2019/8/19,电路与模拟电子技术基础,3,几种常见晶体管的外形,2019/8/19,电路与模拟电子技术基础,4,5.1.1 晶体管的结构及其类型,e,c,b,发射极,基极,集电极,发射结,集电结,基区,发射区,集电区,N,P,N,(a) NPN管的原理结构示意图,(b) 电路符号,（base）,（collector ）,（emitter）,符号中发射极上的箭头方向，表示发。

23、第四讲 晶体三极管,第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面。

24、二极管开关的通断是受两端电压极性控制。,三极管开关的通断是受基极 b 控制。,1、三极管的三种工作区域,三、晶体三极管开关特性,饱和区,放大区,截止区,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集 电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。,1、三极管的三种工作区域,饱和区,放大区,截止区,三极管工作在放。

25、第四讲 晶体三极管,第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面。

26、晶体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区发射。