高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范.docx
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1、ICS19020CCSK85团体标准T/CSEEXXXXYYYY代替T/XXXX高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范Technica1.StandardonSi1.iconNitride-basedCompositeCeramiCmateria1.SupportInsu1.atorforGasInsu1.atedHVDCEqUiPment(征求意见稿)20XXXXXX发布20XXXXXX实施中国电机工程学会发布目次目次1前111高压C1.流气体绝缘装任用氮化硅地复相陶在材料支柱绝缘子技术规范51范围52观范性引用文件53术语和定义51. 1氨化硅茶熨和陶凭si1.ico
2、nnitridebasedcomp1.exphaseceraaics53. 2级化硅基U和陶凭支柱绝缘子specia1.ceramicsupportinsu1.ator54. 3级化硅基亚相陶克支柱specia1.ceramicpi1.1.ar65. 1.金组件ponent64技术要求64. 1额定直流电压66. 2颔定直流电流64.3额定绝缘水平64. 4机械强度64.5 介质损耗因数(tnn)64.6 氮化硅基复相阳宛支柱绝缘予的同部放电量64.7 表面及内部缺陷75试般要求与方法75. 1一般要求75. 2试验分类75. 2.1型式试验76. 2.2逐个试验77. 2.3特殊试验75.3
3、绝缘和热试验时的翅化硅地货相陶陞支柱绝缘子条件86型式试脸88. 1电流干耐受电压试验86.1.1 试验方法和要求86.1.2 接收准则86.1.3直流内络电压86.2工频干耐受电球试验86.2.1试验方法和要求S6.2.2接收准则86.2.3工频闪络电压86.3长时间直流耐受电压试验96.3.1冽试方法和要求96. 3.2接收准则96.1 长时间工顽耐受电压试验96 .4.1测试方法和要求97 .4.2接收准则106.5 雷电冲击干耐受电压试脸(BI1.)106 .5.1试验方法和要求107 .5.2接收准则IO6.6 机械破坏负荷诲验101.1.1 6.1一般要求101.1.2 6.2安装
4、布置111.1.3 负荷施加方式I1.1.1.4 驾曲试验111.1.5 招矩诚验116.6.6拉伸试验116.6.7压缩试验126.6.8接受准则126.7温度循环试验126.7.1一段要求126.7.2适用于靓化硅基宓相处亮支柱绝缘子的试验126.7.3接受准则126.8 尺寸检查126.9 表面及内部缺陷127逐个试验137.1 环境温度下介质损耗因数(tan)和电容量的测电131 .1.1试验方法和要求137 .1.2接收准则137.2 雷电冲击干耐受电压试验(BI1.)137.2.1送脸方法和要求137.2.2接收准则1373工频干耐受电压试验137. 3.1试蕤方法和要求137,3
5、.2接收准则117,4局部放电里的测埴148. 4.1试验方法和要求148.4. 2接收准则M7,5外观检查和尺寸松脸148特殊试验149. I机械抗薇试验148.1.1试蕤方法和要求149运输、存放和安装规则149.1 运输、存放和安装要求119.2 拆装与吊装159.3 3现场安装15附录16网录B17附录C18本文件按照4中国电机工程学会标准管理办法(衙行)的要求,依据GBI.12O2O标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则3的故:支危草.请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的费任.本文件由中国电机工程学会提出.木文件由中国电机工程学会电力建设标
6、准专业委员会技术归口和解择。本文件起草单位:国网智能电网研究院有限公司,华北电力大学,中材江西电究电气有限公司.本文件主要起草人:.本文件首次发布.本文件在执行过程中的意见或建议反馈至中国电机工程学会标准执行办公空(地址:北京市西城区白广路二条1号,100761.网址:http:/,邮箱:CSCCbZgcSee.or*.cu).高压直流气体绝缘装备用氮化硅基复相陶瓷材料支柱绝缘子技术规范1范围本文件规定了麻压口流气体绝线装备用氮化硅茶反相陶匏材料支柱绝缘子的技术要求、试验要求马方法以及运输、存放和安装规则.,本文件适用于电出等级为100kV及以上的高质直流气体绝缘装备内部使用的氯化硅基亚相陶龙
7、材料支柱绝缘子,支柱绝缘子形式包括单支柱、双支柱或三支柱,其他采用内部支柱支撑式维缘结构的高压电力设备,例如气体绝缘输电践路(GaSInsu1.atedTransmission1.ine.GID等的内部氮化晟基处相陶在材料支柱绝缘子切参照此文件执行。2战范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成对于本文件必不可少的条款。其中,注口期的引用文件,仪该日期时应的版本适用于本文件:不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件.GB?T156标准电压GBT772-20()5高压绝缘了醛件技术条件GBT2423.IO环境试验第2部分:试紧方法试抬Fc:振动(正弦)GBT29
8、00.1-2008电工术语基本术语GB.T29(X).5-2013电工术谙绝缘固体、液体和气体GBr29(X).8-2009电工术谱绝缘子GBT41()9交流电压高于100OV的绝缘套管GBF2998-2015定形-热耐火制M体积密度和六I孔率试验方法GBrr5593-2015电子元器件结构间施材料GB.T7354-2018局部放电测限GB.T8287.2-2008标称电压高于IO(X)V系统用户内和户外支柱绝缘干第2部分:尺寸与特性D1.T593海压开关设备和控制设备标准的公用技术要求3术语和定义GBT2900.hGB,T2900.5、GB,T2900.8界定的以及下列术语和定义适用于本文件
9、。3.1SI化i基复相幽饶si1.iconnitridebasedcompIexphaseceramics由SiN为基体的陶兖材料,包括纯SiN陶宛材料以及以Si风为基体的多利阳院材料,添加相主要包括陶建材料添加相、碳材料添加相和金属材料添加相.3.2电化硅基复相陶溢支柱绝绿子speciaIceramicsupportinsu1.ator由氯化硅基复相陶谎材料构成的阳及支柱、金属组件等祖成.该支柱绝缘r对气体绝缘装备内部而、低压金旗结构间起支撑与绝缘作用,3. 3氯化ii星左相陶瓷支柱specia1.ceramicpiIIar级化硅基发相陶瓷支柱葩缘子结构中由氨化硅墙处相陶立绝缘材料制造的核心
10、结构,位于高压端金属组件与低压端金属组件之间,是级化硅基复相陶谎支柱绝缘了中起绝缘、支找功能的主要结构.3. 4金属组件ponent金属组件是用于将缸化鼻基发相陶直支柱与而压导体、金属外壳间分别形成机械固定的金属结构,根据应用位置分为高压端金属组件与低压端金属组件,分别安装于缴化硅基复相陶直支柱两端.4技术要求3.1 额定直流电压氨化硅艰复相间究支柱绝缘子承受的额定直流电压等于所安装高压直流设备的系统以福电压,与GB.,T156表6中规定一致.包括100kV及以上。4. 2额定直流电流DITT593-20164.4.1适用。4. 3额定绝缭水平氯化硅基处和陶虎支柱绝缘了的额定绝缘水平包括下列值
11、:a)雷电冲击全波耐受电压b)操作冲击耐受电压c)工侦Imin短时耐受电压d)直流耐受电压e)在流极性反转电压4.4对于祯定直流电压为500kV,660kV,800kV,110OkV的典型高压直流输电设备,具内部安装的氨化成基复相随鎏支柱绝缘子绝缘水平应符合附录A的规定。机械强度氨化硅框红相间匏支柱绝缘子各个部位应能在高、低压端金属组件承受压、拉、弯曲、扭转载荷时耐受持续60s时间,机械强度试验值应符合附录B的规定。4. 5介质根耗因数(tan)妞化硅址复相陶陞支柱绝缘子的介质损耗因数(Ian6)在工频Ih长时耐受电压值下电压做下进行测辰,最大值应符合表1的规定。表1赳化硅基复相陶姿支柱绝缘子
12、的介质损耗因数(匕畸)20C)试检电压介庾因数轼BKtan8)试验方法工珈Ih长时耐受电压WoQ2参照GBT2423.10注:试验电压的根粼级化硅基亚加用瓷支柱绝缘子飘定电压确定4.6氨化Si基复相随鎏支柱绝缘子的局部放电氯化硅基夏相阳谎支柱绝缘广的局部放电仪应符合表2的规定.表2氮化硅质复相陶瓷支柱绝缘子的局部放电量最大值试验三金大局1放电JiuPC)试验方法工须Ih氏时耐受电压o雷照GRT7354注,试收电压箱根据象化灶基乂相阳比支柱绝缘尸桢定电从碇定4.7表面及内部缺陷开口气孔率与直气孔率WO35%,且窑后外观检测无异常、敲击无开裂、超声波探伤检测结果波段无异常视为合格.5试脸要求与方法
13、5.1一般要求氮化硅基复和阳兖支柱绝缘绝缘试胎、温度衙环实验时应垂直安装.5. 2试的分类出厂的每一只觎化硅基亚加南鹿支柱绝缘子应进行逐个试脸。新产品定型或正常产处修改结构、改变原材料及生产工艺时,应根据改变性质,进行产品型式试验的全部项H或部分项目试蛤,试胎用的氨化硅很复相阳在支柱绝缘子应与正常交货的氮化硅茶发相间匏支柱绝缘子相同,鞭式试脸应在通过逐个试蛤合格后的产品中随机抽取1只,按顺序进行试脸。试验时,如氮化硅基亚加陶克支柱绝缘子行不符合表中规定的任何一项要求时.则型式试验不合格.5. 2.1型式试脍型式试验项目包括:宜流干耐受电压试验(见6.1)工频干耐受电压试脸(见6.2) 长时间直
14、流耐受电压试蕤(见6.3) 长时间工频耐受电压送脸(见6.4) Hi电冲击干耐受电压试5金(见65)机械破坏负荷试晚(见6.6)温度循环试验(见6.7)尺寸检查(见6.8)5.2.2逐个试毅逐个试验项目包括:一环境温度下介侦损耗因数(tan和电容量测量(见7.1) 耐电冲击干耐受电压试5金(见7.2) 工频干耐受电压试验(见7.3)局就放电吊测录(7.4) 外观检查和尺寸检验(M1.7.5)特殊试验项目如下; 抗震试脸(见8.1)5.3绝缘和热试验时的赳化硅基复相陶姿支柱绝缭子条件在进行氨化硅基亚相陶爱支柱绝缘子的绝缘、机械和热试验时,必须完整地具备固定法兰或其他固定装置及在使用时需要的全部冏
15、件.械化硅基复相陶克支柱绝缘干试物的安装布置通常应使其对周围的接地部件行足监的间距,以避免通过周围空气或浸入介痂对其直接闪络.在开始绝缘试验而,氮化硅基或相陶在支柱绝缘子应消治干燎,并与周困空气处于热平衡状态.6型式试联试验的次序或可能合并的项目由供方决定,但冲击耐受电压试的必须在工频干耐受电压试验(地8.3)之前进行。在型式试验系列之前和之后应测量介质损耗因数、电容量(见8.1)和局部放电量(见8.4)以桧查是否发生了损伤.型式试脸适用于所有高压直6气体绝缘设瞽中觎化硅基里相陶登支柱绝缘子.6.1 直流干耐受电压试验6.1.1 试蕤方法和要求网录A中规定了试验电压值选取,试粉进行5次。采用升
16、压法,电压在Imin内线性地从零升到试舱电压值,试睑电压保持Imin.6.1.2 接收准则试脸时如没有出现闪络或击穿则认为氮化硅基发相陶瓷支柱葩缘子通过了试验.如氨化硅基亚相陶衣支柱绝娘子发生击穿,则认为级化硅基亚相附在支柱绝缘于没有通过本试脸.6.1.3 直流闪络电压若要求提供给信刖,经供需双方协议,可以测定筑化硅域复相陶瓷支柱绝缘子的干闪络电压,试脸时试脱电压从约为直流干耐电压的75%逐渐升高至闪络,每秒钟的升压速率均为该耐受电压的2%干闪络电压值时5次连续读数的究数平均值.6.2工频干耐受电压试验6.2.1试验方法和要求试验电压有效但参考附录A.试验进行5次.采用升压法,电压在Imin内
17、线性地从零升到试验电压值,试验电压保持Imin.6.2.2接收准则试验时如没有出现闪络或击穿则认为氨化硅基复相陶谎支柱绝缘了通过了试验.如赳化硅基更相阳在支柱绝缘子发生击穿,则认为氮化硅嘱我相陶瓷支柱泡绿子没有通过本试验.若要求提供给信息,经供需双方协议,可以测定缸化建城复相陶建支柱绝缘子的干闪络电压,试验时试腕电压从约为工频干耐电压的75%逐渐升商至闪络,短杪钟的升压速率约为该耐受电压的2%,干闪络电J卡位时5次连续读数的簿数平均值.6. 3长时间直流耐受电压试验7. 3.1测谎方法和要求试验电J卡如图2所示.:升压至1.S5持续时间(八)为Smin,测鬓局部放电:一升压至S=UUC持续时间
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