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    电子元器件失效分析技术.ppt

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    电子元器件失效分析技术.ppt

    IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,1,电子元器件失效分析_培训总结报告,尤利宁 贺永红 2006-7-6,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,2,提纲:,可靠性的基本概念和新的观念; 失效分析的8个步骤; 3. 失效分析的概念,目的,作用,对象和分类; 4. 与我们生产有关的例子; 5. 失效分析的新技术。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,3,一. 关于可靠性?,电子产品可靠性定义: 是指产品在规定的条件下及规定的时间内完成规定功能的能力,它是电子产品质量的一个重要组成部分。 可靠性的表征: 寿命;失效率;故障;MTBF;返修;赔偿 注:电子产品的寿命:包括硬件寿命到期;技术寿命到期(过了换代期的电子产品),IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,4,传统可靠性观念: 是以失效数据的统计和分析为手段,表征产品的可靠性,比如MTBF。 可靠性的新观念: 是以失效分析为手段,寻找失效的根本原因,并加以解决以达到从根本上提高可靠性的目的。 几个概念: 可靠性强化试验(RET, Reliability Enhancement Testing),或称为步进应力试验;高加速寿命试验HALT,高加速应力筛选HASS等面向失效分析的可靠性新技术 失效物理学(Pof,Physics of Failure),把失效作为主体研究,通过激发,研究和根治失效达到提高可靠性的目的,可靠性工程新旧观念对比,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,5,可靠性观念变化比较,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,6,失效物理方法的8个步骤:,确定真正的系统要求; 确定使用环境;(包括生产环境,但这点经常被忽略) 验明潜在的失效部位和失效机理; 采用可靠的原材料的元器件; 设计可靠的产品; 鉴定加工和装配过程; 控制加工和装配过程;(从设计和制造过程加强可靠性) 对产品的寿命期成本和可靠性进行管理(采购后到达到使用寿命结束这中间的所有管理,培训,控制等等成本之和),IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,7,另一领域的失效分析,医药学的历史与人类的病痛一样长,大量医药科学的进步都是建立在外科医生的尸体解剖上。(仁慈的东方人除外); 在这个专业领域,这一做法通常称为“失效分析”; 每个失效部件都应被视为进行可靠性改进的机会,从这个角度讲,失效部件有时甚至是“珍贵的” 这个例子可以帮助我们理解失效分析的作用和失效部件的重要性。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,8,二. 失效分析基本概念,失效:功能退化或着功能丧失; 失效模式:失效现象的表现形式,如开路,短路,参数漂移,不稳定等; 失效机理:导致失效的物理化学变化过程,和对这一过程的解释,如电迁移开路,银电化学迁移短路。工程上,也会把失效原因说成失效机理。 应力:驱动产品完成功能所需的动力和产品经历的环境条件。是产品退化的诱因; 缺陷:,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,9,失效分析的目的和作用,失效分析:是对已失效的器件进行的一种事后检查,使用电测试和先进的物理,进行和化学分析技术,验证所报告的失效,确定其失效模式,找出失效机理。 失效分析程序应得出相应结论,确定失效原因或相应关系,或着在生产工艺,器件设计,试验或应用方面采取措施,以消除失效模式或机理产生的原因,或防止其重新出现。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,10,失效分析的对象,实物对象:包括已发生失效或发生重要变化的测试结构,半成品,试制品,试验品,整机应用以及外场应用失效品。 过程对象:包括元器件的研发过程和应用过程。 研发过程:可细分为设计优化,制造工艺优化,测试筛选与评价试验优化等过程(比如Hexfred Ir漂移事件的解决,我们设计新的筛选程序); 应用过程:元器件选型,二次筛选条件优化,设备研制生产中的故障控制对策,可靠性增长,全寿命维护等(更偏向用户),IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,11,失效模式的概念和种类,失效模式:就是失效的外在表现形式,不需要深入说明其物理原因 按持续性分类:致命性失效,间歇失效,缓慢退化; 按失效时间分类:早期失效,随即失效,磨损失效; 按电测试结果分类:开路,短路或漏电,参数漂移,功能失效 按失效原因分类:EOS(Electrical over Stress/ESD (Electrostatic Discharge);制作工艺不良。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,12,三. 一些例子 Eg1. ESD失效机理解释,定义:处于不同静电电位的两个物体间发生的静电电荷转移就形成了ESD,这种静电放电将给电子元件带来损伤,引起产品失效。 电子元器件由静电放电引发的失效可分为:突发性失效和潜在性失效两种模式。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,13,突发性失效: 是指元器件受到ESD损伤后,突然完全丧失其规定的功能,主要表现为开路,短路或参数严重漂移。 潜在性失效: 是指静电放电能量较低,仅在元器件内部造成轻微损伤,放电后器件电参数仍能合格或略有变化,但器件的抗过电的能力已经明显削弱,再受到工作应力后将进一步退化,使用寿命将明显缩短。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,14,ESD失效的不同机理,过电压场致失效: 发生于MOS器件,包括含有MOS电容或钽电容的双极性电路和混合电路; 过电流热致失效:多发生于双极器件,包括输入用pn结二极管保护电路的MOS电路,肖特基二极管以及含有双极器件的混合器件 实际发生哪种失效,取决于静电放电回路的绝缘程度! 如果放电回路阻抗较低,绝缘性差,器件往往会因放电期间的强电流脉冲导致高温损伤,这属于过电流损伤; 相反,因阻抗高,绝缘性好,器件接受高电荷而产生高压,导致强电场损伤,属于过压损伤。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,15,ESD 损伤图片,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,16,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,17,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,18,Eg2. 塑封器件分层效应(“爆米花效应”),”爆米花效应“是指塑封器件塑封材料内的水份在高温下受热发生膨胀,使塑封料与金属框架和芯片间发生分层,拉断键合丝,发生开路失效或间歇失效。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,19,TOHD,TODD,TPost,分层效应 CSam图片,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,20,1. 基本思路: 信息分析(失效环境,标准,规范,经验) 失效模式确认(通过测试,试验,对比分析) 可能的失效机理(在前两项的基础上) 寻找证据(物理,化学,试验) 原因推演 必要的验证和结论,四. 失效分析技术与设备,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,21,2. 基本流程:,失效现场信息调查,外观检查,失效模式确认,方案设计,非破坏性分析,破坏性分析,综合分析,报告编写,操作原则: 先外部后内部; 先非破坏性后半破坏性; 最后破坏性; 避免引进新的失效机理。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,22,3. 失效信息调查与方案设计 信息类别: 基本信息:包括处于管理需要的信息,包括样品来源,型号,批次,编号,时间,地点等。 技术信息:是判断可能的失效机理和失效分析方案设计的重要依据。 特定使用应用信息: 整机故障现象,异常环境,在整机中的状态,应用电路,二次筛选应力,失效历史,失效比例,失效率及随时间的变化. 特定的生产工艺: 生产工艺条件和方法;特种器件应先用好品开封了解和研究其结构特点.,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,23,一些分析途径简介,1. 非破坏性分析的基本途径(先实施易行的,低成本的) 外观检查 模式确认(测试和试验,对比分析) 检漏 可动微粒检测(PIND) X光照相 Csam 模拟试验,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,24,1. CSam 和X射线透视仪,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,25,CSam和X射线透视仪的成像,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,26,2. 半破坏性分析的基本途径(多余物,污染,缺陷,微区电特性和电光热效应) 可动微粒收集 内部气氛检测 开封:专用工具,研磨,观察研磨面塌陷区域; 湿法腐蚀(化学法):硫酸,硝酸; 干法腐蚀:在真空条件下,等离子体轰击 不加电的内部检验:光学,SEM,微区成分; 加电的内部检验: 微探针,热像,光发射,电压衬度像,束感生电流像,电子束探针。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,27,不加电的内部检验设备 金相显微镜,扫描电镜(SEM),IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,28,能谱仪(EDS)及其特点,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,29,加电的内部检查,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,30,以电流效应为基础的定位技术,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,31,光发射显微镜定位技术,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,32,3. 破坏性分析的基本途径(进一步的微区电特性,污染,缺陷) 加电的内部检验(去除钝化层,微探针,聚焦粒子束,电子束探针) 剖切面分析(光学,SEM,TEM),IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,33,去除钝化层技术,化学方法去除钝化层,在真空条件下,等离子体轰击去除钝化层。 缺点:对半导体材料表面有损伤,而且有辐射,会影响材料的性质,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,34,金相切片制备技术,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,35,注意:金相切片技术,要观察金属见化合物,还要采用适当的腐蚀液,使不同金属或合金成分显示不同的颜色,并且要注意过程中不能产生新的失效或破坏原来的失效。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,36,金相切片分析方法特点,破坏性方法; 试样制备周期长,需要1D,最好3D; 3. 试样制备要求高; 4. 可直观获取材料内部大量信息; 5. 对操作和分析人员要求较高,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,37,附录: 分析技术与设备清单,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,38,附录: 分析技术与设备清单,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,39,附录: 分析技术与设备清单,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,40,相关知识(军工企业的要求),质量问题技术归零 为彻底解决由于技术原因造成的产品质量问题,避免重复发生,要“定位准确,机理清楚,问题复现,措施有效,举一反三”,并形成文件。 质量问题管理归零 “过程清楚,责任明确,措施落实,严肃处理,完善规章”,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,41,Summary:,可靠性的基本概念和新的观念; 失效分析的概念,目的,作用,对象和分类; 失效分析的8个步骤; 与我们生产有关的例子; 失效分析的新技术。,IR CONFIDENTIAL,2019/4/11,42,Thats the END!,very much!,

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