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1,常用电子器件,2,电阻器的符号： R 电阻器的单位： 欧姆（）、千欧姆（ k ）、 兆欧姆（M ）。 电阻器的图形符号:,电阻器,3,4,固定 电阻器,碳 膜 电 阻,金 属 膜 电 阻,金 属 氧 化 膜电阻,实 芯 碳 质 电阻,线 绕 电 阻,敏感 电阻器,热敏 电 阻,光敏 电 阻,压敏 电 阻,排 电阻,数码 电阻,A 型 电 阻 排,B 型 电 阻 排,电阻器的分类,金属玻璃釉电阻,数字 电 阻,数字电位器,5,碳膜电阻器 (RT型),结构：以小瓷棒或瓷管作骨架，通过真空和高温，热分解出的结晶碳沉积生成碳膜(导电膜)，瓷管两端装上金属帽盖和引线，外涂保护漆。改变碳膜的厚度和长度，获得不同阻值。 优点：稳定性好、噪声低、价格低、 阻值范围宽 (几欧 几兆欧)。,金属膜电阻器 (RJ型),结构：以小瓷棒或瓷管作骨架，由合金粉蒸发而成的金属膜形成导电膜，瓷管两端装上金属帽盖和引线，外涂保护漆。 优点：各项指标均优于碳膜电阻。稳定性好、噪声低、 价格低、阻值范围宽(10 10M )。,金属氧化膜电阻(RY型),结构：用锑或锡等金属盐溶液喷雾到炽热的陶瓷骨架表面，沉积形成导电膜，瓷管两端装上金属帽盖和引线，外涂保护漆。 优点：性能可靠、过载能力强、额定功率大 (最大达15 kW) 缺点：阻值范围小 (1 200 k) 。,固定 电阻器,6,各种膜式电阻实物照片,7,实芯碳质电阻器 无机实芯电阻器(RS型) 有机实芯电阻器(RN型),结构：用碳质颗粒导电物质(碳黑、石墨)作导电材料,用云母粉、石英粉、玻璃粉、二氧化钛作填料，另加黏合剂经加热压制而成。按照黏合剂的不同，分为有机实芯和无机实芯电阻器。 优点：无机实芯电阻器温度系数较大，可靠性较高； 有机实芯电阻器过负荷能力强。 缺点：无机实芯电阻器阻值范围小； 有机实芯电阻器噪声大、稳定性较差、分布电容和分布电感大。,金属玻璃釉电阻器(RI型),结构：金属氧化物(如钌、银、钯、锡、锑等)和玻璃釉黏合剂混合后，涂覆在陶瓷骨架上，经高温烧结而成。属厚膜电阻。 优点：耐高温、耐潮湿、温度系数小、负荷稳定性好、噪声小、 阻值范围大(4.7 200 M )。,固定 电阻器,8,线绕电阻器(RX型),结构：用金属电阻丝绕制在陶瓷或其它绝缘材料的骨架上，表面涂以保护漆或玻璃釉。 优点：阻值精确 (5 56 k)、功率范围大、工作稳定可靠、噪声小、耐热性能好。(主要用于精密和大功率场合)。 缺点：体积较大、自身电感大，使高频性能差、时间常数大。 只适用于频率在50 kHz以下的电路。,固定 电阻器,9,单列直插式(A),双列直插式(B),排电阻,内部电路,内部电路,10,热敏电阻器RT,优点：对温度灵敏、热惰性小、寿命长、体积小、结构简单。 用途：测温、控温、报警、气象探测、微波和激光功率测量等。,特性：电阻值随温度显著变化。,分类：,按温度 特性分,正温度系数热敏电阻PTC（T R ） 负温度系数热敏电阻NTC（T R ）,按温度变化的灵敏度分：缓变型、突变型。,按电阻受热方式分：直热式、旁热式。,按结构和形状分：棒状、圆片、方片、珠状、线管状、薄膜及厚膜等。,主要参数：额定功率、标称阻值、允许偏差；测量功率、材料常数、电阻温度系数、最高工作温度、开关温度、标称电压、工作电流、最大电压、绝缘电阻。,敏感 电阻器,11,光敏电阻器RL或RG,优点：对光敏感。无光照时呈高阻，光照时阻值随光强度变小。 用途：照明控制、报警、相机自动曝光控制及测量仪器等。,特性：电阻值随外界光照强度大小而变化。,分类：,按光谱 特性分,可见光光敏电阻 紫外光光敏电阻 红外光光敏电阻,按制作材料分：多晶光敏电阻、单晶光敏电阻或硫化铬CdS、硒化铬CdSe 、硫化铬CdS、硫化铅PbS、硒化铅PbSe、锑化铟InSb,主要参数：亮电阻RL、暗电阻RD 、最高工作电压VM 、亮电流IL 、暗电流ID 、时间常数、温度系数灵敏度。,敏感 电阻器,12,压敏电阻器(VSR)RV,特性：电阻值随电压非线性变化。当两端电压低于标称额定值时，电阻值接近无穷大；当两端电压略高于标称额定值时，压敏电阻被击穿导通，由高阻态变低阻态。 用途：过压保护、防雷、抑制浪涌电流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪和保护半导体元器件等。,分类：,按特性分,对称型压敏电阻（无极性） 非对称型压敏电阻（有极性）,按材料分：氧化锌、碳化硅、金属氧化物、锗（硅）、钛酸钡等压敏电阻。 按结构和形状分：结型、体型、单颗粒层、薄膜等压敏电阻。,主要参数：标称电压、电压比、最大限制电压、残压比、通流容量、漏电流、电压温度系数、电流温度系数、电压非线性系数、绝缘电阻、静态电容。,敏感 电阻器,13,图形符号,电位器,电位器实际上是一个可变电阻，其阻值可在一定的范围内变化。,14,实芯电位器,有机合成实芯电位器,结构：用有机黏合剂将碳质导电物、填料均匀混合构成电阻体材料，连同引出端和绝缘的塑料粉压制后加热聚合而成。 优点：阻值连续可调，分辨力高（大大优于线绕电阻）； 阻值范围宽(100 4.7 M)；体积小，耐磨、耐热性能好。 缺点：温度稳定性较差。 类型：直线式、对数式、指数式。,无机合成实芯电位器,结构：含无机黏合剂（如玻璃釉）的碳质合成物和填料混合冷压在基体上而成。 优点：体积小，防潮性能好，耐热性能好。 类型：直线式。,导电塑料电位器,结构：电阻体由碳黑、石墨和超细金属粉、邻苯二甲酸二丙脂树脂（DAP树脂）和交联剂（DAP单体）塑压而成。 优点：电阻率比一般电阻体大 3 4 个数量级。特别耐磨，寿命可达500万次；制作工艺简单，分辨力高，平滑性良好，接触可靠。阻值范围宽(10 1 M)，工作温度范围55 +125 ºC 类型：直线式。,15,膜式电位器,碳膜（合成膜）电位器,结构：是用配置好的悬浮液涂抹在胶脂板或玻璃纤维板上制成的电阻体，能制成片状的半可调电位器、结构较复杂的带开关电位器和精密电位器。 优点：阻值连续可调，分辨力高；阻值范围宽(几百欧 几兆欧)；易于制作成符合需要的电阻规律。价格便宜，品种齐全。 缺点：功率不能太高，一般做到2 W，否则体积太大；黏合剂是有机物，耐温和耐湿性能较差。 类型：直线式、对数式、指数式。,金属膜电位器,结构：电阻体由特种合金或金属或金属氧化物等材料通过真空溅射，沉积在瓷基体上制造而成。 优点：分辨力高，耐温性能好，分布电感小，可在100 MHz的高频电路工作。 缺点：耐磨性能较差，阻值范围窄(10 100 k) 。 类型：直线式、对数式、指数式。,金属玻璃釉电位器,结构：用丝网印刷的方法，将玻璃釉浆料印在陶瓷基体上，在700 800 ºC温度下烧制而成。 优点：分辨力高，阻值范围宽(几十欧几十M欧)，耐温耐湿耐磨，分布电容和电感小，适用于射频范围工作。 缺点：接触电阻变化大，电流噪声大。 类型：通用、精密型、微调型。,16,内部,碳膜电位器实例,17,线绕电位器,结构：将电阻丝缠绕在涂有绝缘物的金属或非金属的条板上，再用专用工具将其弯成环型，装入基座内，配上带滑动触点的转动系统，则构成线绕电位器。 优点：接触电阻低，精度高，温度系数小。 缺点：分辨力较差（阻值呈阶梯变化），可靠性差，不适于高频电路。阻值100 。 品种：微调型、多圈型、功率型。,线绕电位器,内部,18,旋转式,直滑式,微调式,推拉式开关,部分电位器实物照片,19,电阻器的允许误差是指实际阻值对于标称阻值的允许最大误差范围，它表示产品的精度。,电阻器的额定功率是指在标准大气压和一定环境温度下，电阻器长期连续负荷所允许消耗的最大的功率。,电阻器表面所标阻值叫标称值。电阻器的标称值是按国家规定标准化了的电阻值系列。,标称阻值：,额定功率：,允许误差(精度)：,电阻器的主要参数,20,B. 额定功率： W, W, W, W,1W,2W,5W,50W,100W. C. 允许误差(精度)：（ 1%， 5%）绕线电阻有 0.1%精度,A. 标称阻值。如：1，10K.,21,a 、文字符号直接标注,电阻器的标注方法,22,当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为倍乘数，第四位为允许误差。 当电阻为五环时，最後一环与前面四环距离较大。前三位为倍乘数， 第四位为乘方数， 第五位为允许误差。,b、色码标注,23,电阻的色环标识,棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑,1 2 3 4 5 6 7 8 9 0,第一位数,第二位数,倍乘数,允许误差,5,6,101,(560),误差：金色 5% 银色 10% 无色 20% 棕色 1%,10%,倍乘数,允许误差,2,7,4,101,2.74k, 1%,24,棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑,1 2 3 4 5 6 7 8 9 0,3 3 k,2.2 k,47 ,910 k,560 ,2.74 k,570 ,25,F(法拉)、F(法)、 pF(皮法），常用F和pF。,电容器是电子电路中常用的器件,它是由两个导电极板,中间夹一层绝缘介质构成。当在两个导电极板加上电压时，电极上就会储存电荷。所以电容器是一种储能器件。,电容器的符号：,C,电容器的单位：,电容,26,正极,电容的图形符号：,27,电容器按结构可分为：,固定电容器,可变电容器,半可调电容器,按介质材料可分为:,有机介质,无机介质,气体介质,电解质,电容器的分类,28,按极性可分为无极性和有极性电容：,电容器的分类,29,瓷介电容,电解电容,云母电容,涤纶电容,可调电容,固态电容,30,贴片元器件,贴片钽电容,贴片铝电解电容电容,31,穿心电容,32,电容元件的主要技术参数 a、标称容量, 如:电解电容 100µF/25V, b、耐压： 6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V, 630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。 c、精度： ±5%(J级) ±10%(K级)，±20%(M级)电解电容允许误差。 d、损耗角： tg e、串联等效电阻：ESR,高频电路或开关电源中这两个参数很重要,33,f、最大脉动电流：400V/10µF /280mA g、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85°下，工作温度每降低10°C ，电解电容寿命增加一倍。每增加10°C ，寿命减少一倍。 h、漏电流：I=0.02CV+25µA、如：400V/10µF电容 I=105µA,34,a.直接标注,而体积较小的电容器只标注数字，不标注单位，直接用数码表示容量。,电容器的标注方法,直接标注是用文字或数字将电容器有关的参数直接标注在电容器表面上。,体积较大的电容器可标注材料、标称值、单位、允许误差和额定工作电压或只标注标称容量和额定工作电压。,35,C BB 1 2(非密封型聚丙烯电容器),第四部分，用数字表示产品序号,第三部分，用数字（个别用字母）表示分类,第二部分，用字母表示介质材料，BB为聚丙烯,第一部分，用字母C代表电容,例：,国产电容器的型号一般由四部分组成,36,采用字母或数字或两者结合的方法来标注电容的主要参数。,例如：,10p表示容量为10pF,4.7µ表示容量为4.7 µF,3p3表示容量为3.3pF,10n表示容量为10nF，即0.01µF,8n2表示容量为8.2nF，即8200pF,文字符号法：,37,103 容量为10×103pF=10000pF，即0.01µF,用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，后一位表示倍乘数。,例如：,104 容量为100000pF，即0.1µF。,332 容量为3300pF,473 容量为47000pF，即0.047 µF,数码表示法：,38,注意：,第三位数如果是9，则倍乘数为10-1 。,229表示22× 10-1pF，即2. 2 pF,例如：,339表示33× 10-1pF，即3. 3 pF,只标数字不标单位的直接表示法,采用这种表示方法的容量单位有pF和µF， µF用于电解电容。,例如：,4700表示4700 pF；47表示47 µF。,39,电容器示例,40,CD25V 47µF,电容,铝电解,负极标记,电容器示例,41,电容器的种类很多,应根据电路的需要, 合理的选用。,选用合适的介质；,容量及允许误差的选择 ；,额定工作电压。,电容器的选用,42,通常可以用模拟万用表的电阻档检测电容器的性能。,电容器的性能检测,检测50µF以上的电容器，宜选用R×100档位；,1 µF50 µF之间，选用R×1k；,1 µF以下，选用R ×10k档。,43,1. 用万用表的两个表笔分别与 电容的两只管脚接触。,测试漏电阻的方法,2.观察表针的摆动，若冲电过程结束，指针回到处附近，所示数值越大，表明电容的漏电阻越大。,3.一般电解电容的漏电阻为数百k以上，普通电容为。若所测电容的 漏电阻值在正常范围内，则表明电容的性能是好的。,44,电感,电感 表示方法：L、LGX 结构： 作用：扼流、退耦、滤波 延迟、补偿、调谐。,45,符号 空芯电感 有铁芯电感,46,分类： a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有µH级） b、高频（铁氧体芯）电感：可做µH、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。 c、低频（矽钢片）电感： 可做mH级。,47,3、单位（亨利） 4、参数 a、标称容量：（mH） b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。 c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。 d、损耗： 铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加 铜损：漆包线电阻损耗,48,49,电感、变压器,50,二极管是用半导体单晶材料(主要是锗和硅材料)制成的半导体器件。根据所用材料不同分为硅二极管和锗二极管。,二极管的符号：,二极管的结构：,半导体分立器件(二极管),51,二极管的单向导电性,52,伏-安特性表示的是加在二极管两端的电压和流过二极管的电流之间的关系。 用伏-安特性可以更清楚的表示二极管的单向导电性。,二极管的伏-安特性,53,二极管的伏-安特性,二极管的正向特性,当加在二极管两端的电压在零值附近时，电流为零。当电压为正向且达到一定值时，电流随着电压的增加而迅速上升，这个电压叫导通电压，硅二极管的导通电压为0.60.7V，锗二极管的导通电压为0.20.3V。,54,二极管伏-安特性曲线,55,反向击穿时，容易烧坏管子。通常二极管在正常使用时，是不允许进入击穿范围的。,二极管的反向特性,二极管加反向电压时，处于截止状态，反向电流很小，且反向电流不随电压的增大而增大，称其为反向饱和电流。,反向电压达到一定数值，二极管失去单向导电性，反向电流会突然急剧增大，称为“反向击穿”，这时的电压称为反向击穿电压。,56,整流二极管。由硅半导体材料制成，用于整流电路。常用的有1N400系列。,检波二极管。由锗半导体材料制成，常用的有2AP系列。,稳压二极管。反向击穿时，两端电压能固定在某一电压值，基本不随电流大小变化。稳压二极管使用时反向连接，并且需要串联一限流电阻，限制击穿后的电流，以免烧毁二极管。,常用二极管类型,57,发光二极管。伏安特性与普通二极管一样，但它的正向压降较大，在压降达到一定值时就导通发光。发光二极管的工作电压一般为1.5。发光的颜色与构成PN结的材料有关。,常用二极管类型,58,发光二极管 按颜色分有红色、绿色、白色、黄色、蓝色、橙色、多变色等。 按工作电压由1.7v、1.85v、2.3v、2.8v等。,59,几种常用二极管的图形符号,二极管的极性识别,60,用模拟万用表的欧姆档检测二极管的极性：,用万用表检测二极管,将万用表置于欧姆档的R×200或R×2k档，用两支表笔以两个方向分别与二极管两个电极相接；,两次测量得到两个阻值，若二极管质量良好,一次阻值应在10k左右,另一次为无穷大,否则二极管损坏。,61,在阻值测得较大的一次，黑表笔接的是二极管的负极。,模拟万用表在电阻档时，黑表笔连接内部电池的正极，红表笔连接负极。,62,测得阻值较小的一次，黑表笔接触的是二极管的正极。,63,红表笔接负极，黑表笔接正极，显示的是“1.”。,当红色表笔接二极管的正极，黑色表笔接负极时，若二极管是好的，表上显示值是二极管的正向直流压降，锗管0.20.3V，硅管0.60.7V。,用数字万用表的二极管检测档检测二极管的极性,64,数字万用表的红表笔连接内部电池的正极，黑表笔连接负极。,65,半导体分立器件（三极管）,结构：,作用:放大，控制开关。,符号：,分类:三极管一般以功率、频率分类。按频率分:一般可分为低频、高频和甚高频三类；按功率分:一般可分为小功率、中功率和大功率三类。,66,三极管的不同封装形式及引脚,67,三极管的不同封装形式及引脚,68,晶体三极管(NPN、PNP二类) 基夲参数、符号、管脚排列图示如下：,69,70,三极管的极性判别（用数字万用表）, 基极的判定 以NPN管为例。 用测量二极管的方法首先测量出哪两个引脚是一个结，从而确定各个引脚的极性是还是若三个引脚中有两个引脚是极，一个引脚是极，这个三极管就是型，极就是基极。 发射极C和集电极E的判别 将三极管插入测试插座中（基极插入b，其余两引脚假设一个是一个是分别插入相应的插座中）万用表置档,万用表显示出值将和调换，万用表显示出不同的值两次显示的值中较大的一次和的假设是正确的。,71,集成电路,72,集成电路,硅棒：12（300mm） 晶元:,73,集成电路用途,用途 音频/视频电路：音频放大器、电视电路 数字电路：门电路、加法器、可编程逻辑电路 微处理器：单片机、DSP 存储器：动/静RAM、EPROM 接口电路： A/D、D/A、缓冲器 光电电路：光电开关 线性电路：运算放大器,74,集成电路的封装,75,集成电路： 按封装材料分有陶瓷和塑料二类 按引脚引出的方式分为扁平和双列直插式二种。前者为直接焊于印刷线路板上，而后者采用专用配套插座形式。 一般集成电路都配有标准配套插座，现场制作时，应先将插座焊于线路板上，待全部焊接制作完畢后，经检查无误，方可插入集成电路，以免静电及无故损坏集成电路。,76,集成电路正面引脚排列图示：(反时针方向),77,集成电路插座(八脚、十四脚),