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湿法刻蚀,1.背腐蚀分离PN结的原理 2.背腐蚀设备简介 3.常见的问题及处理办法,湿法刻蚀原理,背靠背方式不可能完全紧贴，背面不可避免的产生了不均匀掺杂。,湿法刻蚀原理,等离子刻蚀 湿法刻蚀,湿法刻蚀原理,背腐蚀法是将扩散后的硅片放置于腐蚀液上方，硅片的扩散面朝上，背面与腐蚀液离的足够近，但并不接触。靠液体表面张力作用使腐蚀液吸附在背面，将背面浅浅的n层腐蚀掉，正面的发射极没有任何损伤。背腐蚀后p-n结 同样很好的分离，印制的铝背场与电池面积有一定差距，不会造成任何边缘漏电流，并联电阻足够大。同时，又降低了背面的杂质含量，降低了背面的复合速率，提高电池性能。,湿法刻蚀原理,背腐蚀设备,kuttler设备 01上料段02去psg03背腐蚀04水洗05HF腐蚀06水洗07碱洗08水洗09混酸洗10水洗11吹干12下料段,背腐蚀设备,02去psg Si02+6HFH2SiF6+2H20 作用使硅片脱水，在背腐蚀的时候容易 控制刻蚀边距。 03背腐蚀 腐蚀液是HN03HF体系，其配比为HNO，：HF：H20=126：19：45(体积比)。 这个配比是富氧的体系，能够起到很好的抛光作用。通过反应前后称重计算出腐蚀深度。,背腐蚀设备,03背腐蚀 温度为4度。 原因：1、4度时水的表面张力最大。 2、温度越低，气体挥发量越小。 05HF腐蚀 作用：1、增加气相腐蚀，用于特殊工艺 2、用于碱雾的隔离 现不用，把其做水槽,背腐蚀设备,07碱洗 氢氧化钠作用：1、去除背腐蚀产生的硝酸盐。2、去除多空硅，多空硅的去除很快，所以碱槽也是单面的，上面只是在出碱槽时喷淋一下。 碱槽的温度不要高，18度,背腐蚀设备,09混酸洗 HF酸主要作用使硅片表面脱水。 HCL作用，去除钠离子。,常见的问题及处理办法,1、刻蚀不足 原因:刻蚀槽液位低 解决办法：调高刻蚀槽泵浦1，调小刻蚀槽回流阀。 2、过刻蚀 液位过高，降低刻蚀槽泵浦1或者调小刻 蚀槽回流阀 。 抽风紊乱， 调节各排风开关，使刻蚀槽 内气流平稳。 硅片未干，查看二号槽脱水情况，调节二号槽风刀,常见的问题及处理办法,3、刻蚀重量超出范围 氢氟酸和硝酸的浓度异常 减重小，加氢氟酸。 减重大，补水。 富硝酸体系中，硝酸的少量减少对反应速度几乎没有影响，主要影响反应速度的是氢氟酸。,常见的问题及处理办法,4、下料段硅片未干 查看9槽脱水情况，调节吹干段的风刀 5、下料段硅片有黄斑 查看7号碱槽液位及配槽情况。,