模拟电子技术基础第4讲晶体三极管.ppt
第四讲 晶体三极管,第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低,且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面积大,在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区,基区空穴的扩散,电流分配: IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,为什么基极开路集电极回路会有穿透电流?,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移?,对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,为什么像PN结的伏安特性?,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了?,1. 输入特性,2. 输出特性,是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下 ?,对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大?为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线?,饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数: 、 、ICBO、 ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率,PCMiCuCE,安全工作区,交流参数:、fT(使1的信号频率),极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO,讨论一,1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态; 2. 已知T导通时的UBE0.7V,若uI=5V,则在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态?,通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。,临界饱和时的,清华大学 华成英 hchyatsinghua.edu.cn,讨论二,由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、。,2.7,uCE=1V时的iC就是ICM,U(BR)CEO,