第五章 物理气相淀积.ppt
集成电路制造技术 第五章 物理气相淀积,西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2013年9月,本章主要内容,真空蒸发的原理 电阻加热源蒸发 电子束加热蒸发 多组分蒸发 溅射的原理 直流溅射 RF溅射 磁控溅射,第五章 物理气相淀积,定义:利用蒸发或溅射等物理过程实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。 分类:真空蒸发法和溅射法 1)真空蒸发法 优点:较高淀积速率,较高薄膜质量(系统真空度高) 缺点:台阶覆盖能力差,淀积多元薄膜时组份难控制 2)溅射法 优点:多元薄膜组份易控制,台阶覆盖能力强,衬底附着性好 溅射法在很大程度上已经取代了真空蒸发法,但真空蒸发法在科研和III-V族化合物半导体工艺中仍被采用。,5.1 真空蒸发的基本原理,材料的三态:solid,liquid,gas; 蒸气:任何温度下,材料表面都存在自身的气体; 蒸气压:平衡时的饱和蒸气压; 升华:低于熔化温度时,产生蒸气的过程; 蒸发:熔化时,产生蒸气的过程; 真空蒸发:利用蒸发材料熔化时产生的蒸气进行薄膜 淀积; 优点:工艺及设备简单,淀积速率快; 缺点:台阶覆盖差。,热蒸发台,1)基板,2)蒸发源,3)真空系统,电 子 束 蒸 发 台,5.1.1 真空蒸发设备-蒸发台,5.1.2 蒸发淀积过程,加热蒸发:加热蒸发源(固态),产生蒸气; 输运:气化的原子、分子扩散到基片表面; 淀积:气化的原子、分子在表面 凝聚、成核、成长、成膜;,5.1.3 多组分蒸发,如,合金蒸发 方法:(按蒸发源分类) 单源蒸发:具有薄膜组分比例的单一合金靶; 靶源的要求:各组分蒸汽压接近; 多源同时蒸发:多种靶源,不同温度,同时蒸发; 多源顺序蒸发:多种靶源,不同温度,顺序蒸发, 最后高温退火; 工艺关键:根据薄膜组分控制各层厚度;,5.1.3 多组分蒸发,5.2 蒸发源,(按加热方式分类) 电阻加热源 电子束加热源 高频感应加热源 激光加热源,5.2.1 电阻加热,直接加热源:加热体与蒸发源的载体是同一物体;加热体-W、Mo、石墨。 间接加热源:坩埚盛放蒸发源;(坩埚:高温陶瓷、石墨) 对加热体材料的要求:不产生污染 熔点高:高于蒸发源的蒸发温度; 饱和蒸汽压低:低于蒸发源; 化学性能稳定:不发生化学反应, 不形成合金。 优点:工艺简单,蒸发速率快; 缺点:难以制备高熔点、 高纯度薄膜。,5.2.2 电子束蒸发,原理:电子轰击蒸发材料,使其熔化蒸发。 特点:淀积高熔点、高纯薄膜;,优点:蒸发温度高:能量密度高于电阻源,可蒸发3000度以上的材料:W,Mo,Ge,SiO2,Al2O3;高纯度淀积:水冷坩埚可避免容器材料的蒸发;热效率高:热传导和热辐射损失少。 缺点:一次电子和二次电子使蒸发原子电离,影响薄膜质量;设备及工艺复杂。,5.2.3 激光加热,可蒸发任何高熔点的材料(聚焦激光束功率密度高达106W/cm2); 被蒸发材料局部受热而汽化,高纯度薄膜,(光斑很小,防止了坩锅材料受热的污染); 淀积含有不同熔点材料的化合物薄膜可保证成分比例(功率密度高) 真空室内装置简单,容易获得高真空度,5.2.4 高频感应加热,优点: 蒸发速率快: 蒸发面积大; 温度控制精确、均匀; 工艺简便; 缺点: 成本高; 电磁干扰。,5.3 溅射,原理:气体辉光放电产生等离子体具有能量的离子轰击靶材 靶材原子获得能量从靶表面逸出-被溅射出溅射原子淀积在表面。 特点:被溅射出的原子动能很大,10-50eV(蒸发:0.1-0.2eV);还可实现离子注入。 优点:台阶覆盖好(迁移 能力强)。,Ar+离子能量和动量转移将使表面原子脱离化学键束缚,5.3.1 溅射的物理过程,5.3.2 溅射方法,直流、射频、磁控、反应、 离子束、偏压等溅射; 1.直流溅射 (又称阴极溅射或直流二级溅射 ,常用Ar气作为工作气体。) 溅射靶:阴极 衬底:阳极(接地) 工作气体:Ar气 要求:靶材导电性好 特点:只适于金属靶材,2. RF溅射 原理:高频电场经其他阻抗形式耦合进入淀积室; 特点:适于各种金属与非金属靶材;,5.3.2 溅射方法,3.磁控溅射 原理:磁场在靶材表面与电场垂直,电子沿电场方向加速、绕磁场方向螺旋前进,提高了电子碰撞电离效率。 特点:淀积速率最高;,5.3.2 溅射方法,磁控溅射系统,