为什么在100W以内习惯用反激拓扑,超过100W则是正激.doc
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1、为什么在100W以内习惯用反激拓扑,超过100W则是正激我们做过正激也做过反激的电源工程师都知道,一般在100W以内我们习惯用反激拓扑来做,超过100W的用正激比较合适。为何?我来说说我的观点,首先只要懂得设计变压器的工程师在计算反激开关电源时,反激功率做得越大,原边电感量肯定是越小的,这跟拓扑的特性有关,我们先来分析一下反激的工作过程上图为反激的基本拓扑,当MOS开关管开通时,变压器原边绕组上正,下方,此时变压器副边绕组上负下正,整流二极管VD截止,在MOS开通的时段,变压器的励磁能量由于没有通路释放从而全部存储在变压器中。当MOS开关管关闭之后,变压器原边绕组电位变成下正上负,根据同名端,
2、此时副边绕组的电位为上正下负,整流二极管VD导通,变压器释放能量,磁芯复位。就是这样周而复始,使输出稳压。由于这种不断存储又释放存储又释放的工作模式决定变压器的是很容易饱和的,为了控制变压器不饱和,通常的做法就是加气隙。为了方便,我们用反激DCM的公式,简单说明一下Lp:原边感量,Ip:原边电流,Vin最低输入电压,D:占空比,P输入功率,f开关频率我们通过几个简单的公式就可以看出,反激电源的原边电感量是受到了限制的。我们再通过上面的公式,可知感量和Lp和峰值电流定了之后,要使磁芯不饱和,我们只能通过增大Np匝数来降低磁通密度,Np增大了,Lp是定了磁芯必然要加气隙。有计算经验的人都知道,反激
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