功率放大器(PA)偏置详细解读(二).doc
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1、功率放大器(PA)偏置详细解读(二)笔者在以前的博客文章里谈论了功率放大器(PA)及其在无线基站中的使用。主要阐明静态电流(或者说是流过PA的直流 (DC) 电流)如何在影响整体系统性能和效率方面发挥重大作用。此外,还可对该静态电流(IDSQ)进行选择,以优化功耗和信号(射频【RF】)增益。既然您已理解了这个概念,那么让我们假设这样的情景:您马上抓起一个PA前往离您最近的实验室,为获得一个规定的IDSQ电流值而对栅极进行偏置。经过一些负载线分析后,您选择了一个q点,并用该信息来对该PA的栅极进行偏置。成功了!一切似乎都在按计划进行。为了犒劳自己,您决定赶着去吃顿快餐。您稍事休息后返回实验室,令
2、您惊奇的是,您发现IDSQ值已发生了变化。这是怎么回事呢?哦,原来该PA在器件运行过程中显示出的非线性主要依赖于温度。当您离开时,该PA在慢慢升温,产生了不同的IDSQ值。这是一个问题,因为IDSQ的变化会影响系统性能(这些变化会引起信号失真)。为了从数学方面解释这个温度依赖性的概念,图1将该PA简化成了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型。上图展示了晶体管处于饱和状态时的特性。您从方程式1中可看到,在整个温度范围内影响该器件非线性行为的两个参数是该器件的载流子迁移率()和阈值电压(Vth)。这个简化的模型展示了温度如何影响PA性能 实际上,RF PA的范围很广,从横向扩散金属氧化
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