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1、Y D / T 8 3 5 -1 9 9 6 前言 随着光纤通信事业的高速发展, 原来3 4 Mb / s 光纤通信系统已满足不了要求, 6 2 2 Mb / s , 2 . 5 G b / s 光纤通信系统已 先后建立, 并已 进入实用化阶段, 与之相对应的光电器件如接收机的接收器件也应向高 速度、 超长距离方面发展, 长波长 雪崩光电 二极管能满足这方面的 要求, 由 于多年的努力, 长波长雪崩光 电二极管已实现产业化, 为了实现邮电部对光纤通信设备的规范化和与之相对应的长波长雪崩光电二 极管测试条件的规范化, 特制定本标准。 “ 雪崩光电二极管检测方法” 基本是等效采用I E C - 7
2、 4 7 - 5 ( 1 9 9 2 ) 中关于“ A P D , 检测方法的有关规 定。 本标准由邮电部电信科学研究规划院提出并归口。 本标准由邮电部武汉邮电科学研究院电信器件公司负责起草。 本标准主要起草人: 许秀柞、 李平、 吴济。 中华人民共和国通信行业标准 Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 雪崩光电二极管检测方法 1 范围 本标准规定了带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管光电参数的检测项目 及检测方法。 本标准适用于带尾纤或不带尾纤的雪崩光电二极管的光电参数检测。 2 引用标准 下列标准所包含的条文, 通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时, 所示版本均 为有
3、效。 所有标准都会被修订, 使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 I E C - 7 4 7 - 5 -1 9 9 2 半导体器件分立器件第5 部分: 光电子器件 3 术语和符号 3 . , 术语 3 . 1 . 1 雪崩光电二极管 A P D ) 在一定反向偏置电压作用下, 由于载流子倍增初始光电流在其内部能获得放大的光电二极管。 3 . 1 . 2 反向电流I R ( H ) ( 在光照射下) 当雪崩光电二极管受到入射光照时总的反向电流。 3 . 1 . 3 暗电流 I R ( o ) 无光照时雪崩光电二极管的反向电流。 3 . 1 . 4 光电流I p 由光照射雪崩光电二
4、极管所产生的净反向电流。 几 =I R ( H ) 一I R ( D ) ( 1) 3 门. 5 初始光电流I r a 雪崩光电二极管在未产生载流子倍增时的光电流。 3 . 1 . 6 反向击穿电压v m 在无光照时, 使暗电流达到规定值时, 对应的反向偏压。 3 . 1 . 7 响应度R 在给定波长光照下, 初始光电流与入射光功率IA之比。 R=几 。 / 叭 ” ” “ ” ” ( 2) 3 . 1 . 8 量子效率I 在给定波长光照射下, 在无倍增时能产生井被雪崩光电二极管电极收集的电子一空穴对数与入射 光子数之比。 7 =R h c / q d ( 3) 式中: h 普郎克常数; 4
5、电子电荷; A -波长; 中华人民共和国邮电部1 9 9 6 一 0 4 一 0 8 批准1 9 9 6 一 0 9 一 0 1 实施 Y D / Z 8 3 5 一 1 9 9 6 c 光速。 3 . 飞 . 9 光谱响应 雪崩光电二极管的响应度随波长的变化。 3 . 1 . 9 . 1 峰值响应波长AN 光谱响应最大值所对应的波长。 3 . 1 . 9 . 2 极限波长 A l l ? 和4 , x , : : 光谱响应下降到最大值的一半处所对应的波长。 a o , : 光谱响应下降到最大值的 1 0 %处所对应的波长。 3 . 1 . 9 . 3 光谱响应范围 雪崩光电二极管短波极限波长
6、与长波极限波长之间的光谱段。 3 . 1 . 1 0 倍增因子M 在光照射下, 有载流子倍增时的光电流I , 与初始光电 流I 。 之比( 见图1 ) 0 M=寿 / I r o ” “ ” ” ” 一 ( 4 ) v . v 3 - 1 . 式中 图 1 雪崩光电二极管的倍增因子示意图 1 1 过剩噪声因子F 雪崩光电二极管光电流在倍增过程中的实际噪声与无噪声倍增时的噪声之比。 F = V n 2 g l p o Mz R 乏 少 诀 . . . . . . . . . . . . . . . ,. , (5) : V雪崩光电二极管输出噪声电压的均方根值; 4 电子电荷; A f N 噪声带
7、宽; R L 负载电阻; 儿 。 初始光电流; M 倍增因子。 1 2 总电容C,., 无光照时在给定反向偏压下, 雪崩光电二极管两极之间的电容。 1 3 截止频率 人 当入射光信号调制度和调制幅度保持不变时, 雪崩光电二极管输出的信号功率下降至低频时输出 3.1.31 功率一半时所对应的调制频率。 3 . 1 . 1 4 响应时间( 见图2 ) 3 . 1 . 1 4 . , 开通延迟时间I d 0 . ) 输人光脉冲前沿规定的低电平与雪崩光电二极管输出电脉冲前沿规定的低电平之间的间隔时间。 Y D/ T 8 3 5 一 1 9 9 6 3 . , . 1 4 . 2 上升时间t , 雪崩光
8、电二极管输出电 脉冲规定低电平与输出电脉冲规定的高电平之间的间隔时间。 注 规定的低电平一般为脉冲峰值的1 0 %. 规定高电平一般为脉冲峰值的s o / o 3 下同。 3 . 1 . 1 4 . 3 开通时间t o . 输入光脉冲前沿规定低电 平与雪崩光电二极管输出电脉冲前沿规定的高电平之间的间隔时间。 t -“t d (. . ) +t 6) 3 . 1 . 1 4 . 4 关断延迟时间t d ( q 输入光脉冲后沿规定的高电平与雪崩光电二极管输出电 脉冲后沿规定高电平之间的间隔时间。 3 . 1 . 1 4 . 5 下降时间t i 雪崩光电二极管输出的电脉冲后沿规定的高电平与输出电脉冲
9、后沿规定的低电平之间的间隔时 间。 3 . 1 . 1 4 . 6 关断时间t o t f 输入光脉冲后沿规定的高电平与雪崩光电二极管输出电脉冲后沿规定的低电平之间的间隔时间。 t o f f ,t d ( o f f ) 十t , ” ( 7) 10 090 % 愉入光脉冲的波形 二 Z r 二二 _ 一 _ _ ! SK 4;fR u bpAYJa I 厂 门r 二 丁 二_ _ _ 一/ 厂 一一一一 l 厂 沂 - 下 一民 一 日 t rc ( , 。 ; 司 i oo ,万 图 2 雪崩光电二极管的响应时间示意图 3 . 1 . 1 5 反向击穿电压温度系数9 雪崩光电二极管的反向
10、击穿电V B R 随环境温度了的相对变化。 _V (3R ( 1 0 +O T ) 一V m ( T . ) V - ( To ) A T (8) 3 . 2 符号 Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 表 1 术语和符号 名称单位 符、一 名称单位符号 反向击穿电压 v 一 关 闭 时 间 Sc o n 反向电流1 0 - A 一 截 止 , , Hz 人 暗电流 1 0 - A 总电容p F C. 光电流 1 0 - 反 向 电 压 VVp 温度 T响应度 A/ W 初始光电流p A P O 峰值波长卜 m 一 倍 增 因 子 M 极限波长拜 m k , (A * 1J2) 一
11、过 , 噪 声 因 子 F 开通延迟时间 S 量 子 效 率 甲开通时间 S 上升时间 S 辐 射 功 Y W 叭 下降时间 S 反向击穿电压温度系数R 关闭延迟时间 S 一 4墓本额定值和特性 4 . , 类型 用于在光纤系统或子系统中规定了工作环境或管壳温度的雪崩光电二极管。 4 . 2 半导体 4 . 2 . 1 材料 I n Ga As , G e , S i . 4 . 2 . 2 结构 4 . 3 外形和封装说明 4 . 3 . 1 引用I E C和( 或) 国家标准的外形图号。 4 . 3 . 2 封装方法: 金属封装。 4 . 3 . 3 引出端识别和引出端与管壳之间的任何电连
12、接的标记。 4 . 3 . 4 尾纤数据: 连接器类型与尾纤长度。 4 . 4 工作温度范围内的极限值 4 . 4 . 1 尾纤最小弯曲半径。 4 . 4 . 2 最低和最高贮存温度( T , ) . 4 . 4 . 3 最低和最高工作环境温度( T b ) 或管壳温度( T -) . 4 . 4 . 4 最高焊接温度( T ro d ) f 规定焊接时间和至管壳的最小距离。 4 . 4 . 5 在环境温度为2 5 时雪崩光电二极管的最大功耗。 4 . 4 . 6 沿着光纤或光缆轴向的最大拉力( 适用时) 。 4 . 4 . 7 最大反向电流( I R ( H ) ) o 4 . 4 . 8
13、最大正向电流(t r F o 4 . 5 光电特性 Y D/ T 8 3 5 一 1 9 9 6 表 2 雪崩光电二极管光电特性 特性 条件 ( T . 或T -= 2 5 0C 除非另外规定) 符号要求 击穿电压 截户O , I R (D 为规定值 V皿最小值、 最大值 暗电流qp , =O , V , 为规定值I R 。最大值 响应度 V R O 0 叭A “ , 为规定值 R 最小值 倍增因子 A , I p 。 为规定值 材 最小值、 典型值 总电容V R . f 为规定值, 0 e 二。Cl o t 最大值 截止频率 V R , A , M, A, R , 为规定值人最小值 上升时间
14、V R . A . R , d . 为规定值最大值 下降时间 V R , A , R L 4 . 为规定值 断最大值 击穿电压的温度系数0 . =0 , I R m , 为规定值 Y 典型值 过剩噪声因子A , J Po . M为规定值 F 典型值 ”v 。 的值应足够小, 在该值下载流子倍增可以忽略, 同时V R 。 值应足够大, 在该值下器件产生全耗尽。 2 ) A 为入射光常用波长 如对长波长光纤通信用A P D波长一般为1 . 5 5 u m或1 . 3 p m ) . 4 . 6 补充资料 4 . 6 . 1 反向击穿电压与温度的关系曲线。 4 . 6 . 2 光谱响应曲线。 4 :
15、 6 . 3 电容电压关系曲线。 4 . 6 . 4 在不同温度下, 倍增因子与反向电压关系曲线。 4 . 6 - 5 在不同温度下, 暗电流与反向电压关系曲线。 4 . 6 . 6 过剩噪声因子与倍增因子的关系曲线。 4 . 6了 以管壳为基准的光敏面的位置( 不带尾纤的雪崩光电二极管) 。 5 检测内容 5 . 1 光谱响应特性的检测 5 . 1 . 1 目的 检测雪崩光电二极管的波长响应范围。 5 . 1 . 2 检测装置( 见图4 ) 采用下列三种不同的条件之一: 检测条件 1 : 被测器件光轴对准光具座光轴。 检测条件2 : 按被测器件封装类型所规定的基准进行定位, 井使机械方位能够
16、重复。 检测条件3 : 对于带尾纤的被测器件, 用聚焦的方法对准被测器件的光窗, 以接收人射光功率。 Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 光 源 单色下 义 一仁 丑- 一 i 一 日 光轴( 条件; . 2 ) 或机械轴( 条件2 ) 或光窗( 条件a 记录仪 图 3 光谱响应检测装置 5 门. 3 检测原理图 电源 AP n 被测雪崩光电二极管; G 一直流电源; V 一直流电压表; P A 一直流微安表; L . 一 波长可调的光源 图 4 光谱响应检测原理图 5 . 1 . 4 检测装置的说明和要求 用一检测插座将被测器件安装在校准过的光具座上( 检测条件 1 , 2 或
17、3 ) 或安装在校准过的检测装 置上( 检测条件2 ) 光源应为标准光源( 非单色光源) , 它包括校准过的标准灯及其稳压电源和电流表。 5 , 1 . 5 注意事项 a ) 光源波长范围要能复盖被测器件的光谱响应范围; b ) 应保证光学面的清洁度; c ) 检测前应使光源稳定; d ) 在用标准光源作光源时, 应在被测器件前面放置一个光栏以抑制寄生辐射光; e ) 对干带尾纤的被测器件应注意照射到被测器件的光敏面上。 5 . 1 . 6 检测步骤 按图4 和图 5 所示: a ) 将温度调到规定值; b 管座放在离光源一定距离的地方, 该处的照度应有规定; 。 ) 被测器件插入管座, 并按
18、规定加上偏咒电压; d )由单色仪扫描, 将不同波长的单色光送入被测器件; e ) 记录仪记录出被测器件的相对响应度与波长的关系即光谱响应曲线。 5 . , . 7 规定条件 。 ) 环境或管壳温度; b ) 被测器件的偏置电压; c ) 检测条件; Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 5 . 2 5 . 2 . d 入射功率; e ) 标准光源的波长范围。 响应度的检测 1 目的 测量雪崩光电二极管在没有倍增时对某一特定波长的入射光的响应能力。 2 检测装置 i 虎光器 一 仁 日 一 - 一 日一 图 5 响应度测试装置示意图 采用下列3 个不同的条件之一: 条件 1 : 被测
19、器件光轴对准光具座的光轴。 条件2 : 按被测器件封装类型所规定的基准进行定位, 并使机械方位能重复。 条件 3 : 对于带尾纤被测器件应用聚焦方法对准被测器件光敏面接收人射光。 3 检测原理图 . 门乙勺 : -JJ A P D A P D -被测雪崩光电二极管; G 一直流电源, V 一直流电压表; p A 一直流微安表; L . 一 特定波长的光源 图6 响应度检测原理图 5 . 2 . 4 检测装置的说明和要求 用一测试插座将被测器件安装在校准过的光具座上( 检测条件 1 , 2 , 3 ) 或安装在校准过的检测装置 上( 检测条件 3 ) , 光源应为单色光源, 包括: 如图5 所示
20、的装置上, 或者附一个具有规定的或已知峰值波长和光谱辐 射带宽的相干滤光器或其他系统( 单色仪等) , 或具有已知峰值发射波长和光谱辐射带宽并经过校准的 发光器件如发光二极管。 5 . 2 . 5 注意事项 a ) 应保证光学面的清洁度; b ) 光源应该稳定; 。 ) 带尾纤的被测器件应注意照射到被测器件的光敏面上。 5 . 2 . 6 测试步骤 按图 6 、 图 7 所示: a ) 将温度调到规定值; Y D / T 8 3 5 一1 9 9 6 b ) 管座放在离光源一定距离的地方, 该处的照度( 或入射功率) 应有规定 。 ) 被测器件插入管座并加规定的偏置电压。 对检测条件 1 ,
21、2 或3 , 可直接在电流表上读出光照下的电流值I F . * 一 婪 ( tiA / u w ) , 日 产 硬 (9) 式中: 叭一入射到A P D光敏面上的光功率。 5 . 2 . 7 规定条件 a ) 环境或管壳温度; b ) 被测器件的偏置电压( 直流或脉冲) ; c ) 检测条件; d ) 入射光功率, e ) 光源的峰值波长。 5 . 3 暗电流和反向击穿电压的检测 5 . 3 . 1 目的 在规定条件下测量雪崩光电二极管的反向击穿电压和暗电流 5 . 3 . 2 检测原理图 APD R 一限流电阻: A P D - - 被测雪崩光电二极管; G - - 直流电源; V -直流电
22、压表; A 一直流电流表 图 7 暗电流和击穿电压检测原理图 5 . 3 . 3 注意事项 a ) 雪光电二极管的暗电流和反向反击穿电压受温度影响很大, 因此应严格控制环境温度; b ) 在光谱响应范围内被测器件不应受辐射; 5 . 3 . 4 检侧步骤 按图7 所示: a ) 将温度调到规定值; b ) 电压从零开始逐渐增加到电 流的规定值, 此时, 电压表上的读数即为反向击穿电压V B R ; c ) 调反向偏压到规定值( 如。9 V R a ) , 此时电流表上读数即为暗电流几c m . 5 . 3 . 5 规定条件 。 ) 环境或管壳温度; b ) 偏置电压; c ) 击穿电压下的反向
23、电流值。 54 倍增因子的检测 5 . 刁 . 1 目的 测量雪崩光电二极管的倍增因子M, Y D / T 8 3 5 一1 9 9 6 5 . 4 . 2 检测原理图 L S 光源; A P D 一被测雪崩光电二极管; G , 调制信号发生器。 G : 一 直流电压源; S A 一同步电流表; S y n 一同步信号源 图 8 倍增因子检测原理图 5 . 4 . 3 注意事项 应考虑被测雪崩光电二极管的光敏面。 5 . 4 . 4 检测步骤 按图8 所示: a ) 通过直流电压源G : 给被测器件加_ ! 二 规定的低反向电压V R O ; b ) 调节人射光功率到规定值; c ) 在同步电
24、流表上测出电流I N ; d ) 改变被测器件上的直流反向电压到规定值V R 1 , 在同步电流表上测量出电流I Po , 用式( 1 0 ) 计算 倍增因子M( 见图1 0 ) 0 ,. (1 0) v. v I R ( D 一暗电流; I R ( 。 一光照下的反向电流 图9 倍增因子 5 . 4 . 5 规定条件 a ) 环境或管壳温度; b ) 反向偏压V R I . V O ; c ) 光源的峰值发射波长A P ; d ) 光学窗口; e )光路图; Y ll / T 8 3 5 一1 9 9 6 f ) 初始光电流 I r o 0 5 . 5 过剩噪声因子的检测 5 . 5 . 1
25、 目的 测量雪崩光电二极管的过剩噪声因子F 5 . 5 . 2 检测原理图 L, A P DL, / 1 7 低通滤波器 忽 一 G J日 7 , 工 。 光源, A P D 一被测雪崩光电二极管; R ,负载电阻 G一直流电压源; G z -频率为f的调 制信号发生器; V , 一直流电压表; V : 均方根电压表, 在频率五时带同步放大; V , 交流电压 表, 在频率为五时带同步放大; F , 一低通滤波器; F ; 一 带通滤波器, 具有规定的中心频率几和 带宽 f , ; C -隔直电容; S y n -同步信号 图 1 0 过剩噪声因子检测原理图 5 . 5 . 3 注意事项 。
26、) 调制频率f, 应比几低得多, 同时f应比被测器件的截止频f低得多, 以免由于被测器件 频率响应而引起测量误差; b ) 滤波器F : 应滤掉调制频率f ; ; c ) 滤波器F , 应能通过调制频率f , , 但要滤掉大于f一 f N / 2 的频率; d ) 电容c的值应足够大, 以便f 、 能顺利通过; e ) 入射光应照射在被测器件的光敏面上, 且应使全部光敏面都受到照射, f ) 此法测量的是V R , 和I P 的确定, 对于那些达到完全耗尽及规定的速度和响应度时, 已经产生增 益( 即M# : 1 ) 的器件, 这种方法将不很正确。 5 . 5 . 4 检测步骤 按图 1 0
27、所示。 a ) 给被测器件加上低反向偏压, V R 由电压表 V , 监测, V R 。 应很低, 以致几乎没有载流子倍增( 即倍 增因子M=1 ) , 但V R 。 又 要足够大使被测器件能处于全耗尽并达到额定的速度和响应度。 b ) 调节入射光功率得到规定的光电流I n , 由电压表V 3 监测在调制频率f 、 时的信号电压V 3 0 a I p = . . . . . . . . . . . . . . . . . . (1 1) 式中: K调制信号的占空比( 如方波的占空比为 5 0 %, K-1 / 2 ) c ) 增加偏置电压V R , 直到在电压表V 3 上读出电压V 3 1 的
28、值为MX V 3 o , 直到被测雪崩光电二极管 达到规定的M值: 二。 。 。 . 。 二。 。 。 . . . . . (1 2) Y D / T 8 3 5 一1 9 9 6 d ) 在电压表 V , 上读出矶 , 由式( 1 3 ) 计算出过剩噪声因子F; F 二 V zVz t 2 9 I r a MZ R i . A 人 二。 . 。 . , 。 。 . . . . . . . . . . (1 3 ) 式中 5 . 5 . 5 . 6 5 。 6 。 56 . : 4 电子电荷。 5 规定条件 a ) 环境或管壳温度; b ) 倍增因子 M; C ) 初始光电流I P O ; d
29、 ) M=1 时的V R n ; e ) 滤波器F : 的中心频率 f . 及带宽 八; f ) 人射光的峰值波长( 4 ) o 响应时间的检测 1 目的 测量雪崩光电二极管对光脉冲的响应时间。 2 检测原理图 APn R , I IM G , 调制信号。 G , 一直流电源; L . -光源; A P D -被测雪崩光电二极管; R , 负载电阻; M-测量仪器; S ”一同步信号; Y 一直流电压表 图 1 1 响应速度检测原理图 56 . 3 注意事项 a ) 入射光脉冲的上升、 下降时间应很短, 否则会影响测试精度。 b ) 应测量进人被测器件光敏面的全部入射光。 c ) G , 为准
30、矩形波脉冲信号发生器, 脉冲的上升时间和下降时间应远小于被测器件的响应时间。 脉 冲的持续时间远大于被测器件的响应时间 d ) M的系统延迟时间应远小于被测器件的响应时间。 5 . 6 . 4 检测步骤 按图n所示; a )由电压源G : 给被测器件加上规定的偏压。 b ) 调节入射光功率使人射光脉冲的峰值功率o . i 和预偏置的辐射光功率d % 2 达到规定值。 c ) 用测量仪器M观测被测器件对光脉冲的响应时间。如图1 2 所示: Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 1 ; 一下降时间; 么。 入射光脉冲峰值功率; 截: 一 顶偏置辐射光功率; I , ,-、 一开通延迟时间“
31、一 开通时间; t a m it ,关断延迟时间; t o t 一关断时间 图1 2 响应时间 56 . 5 规定条件 a ) 环境和管壳温度。 b ) 反向偏压V R ; C ) 入射光脉冲峰值功率0 c , 及预偏置辐射光功率O e 2 ; e ) 光源的峰值发射波长A P ; f ) 负载电阻 R ;. ( 一般取 5 0 a ) . 5 . 7 小信号截止频率的检测 5 . 7 . 1 目的 测量雪崩光电二极管的小信号截止频率f c o 5 . 7 . 2 检测原理图 。 C APD A P D -被测雪崩光电二极管痴一直流电压源; V , 一直流电压表; V : 一宽带电压表; R
32、c 一负载电阻i C -栩合电容; L , 一窄带光源, 它能发射出用一个频率可调的小信号 正弦波进行幅度调制的光平均光强及调制幅度均不变的光 图 1 3 截止频率检测原理图 5 . 7 . 3 注意事项 a ) 对光源的要求: 1 ) 当光源调制频率改变时光信号的直流光强, 调制度均应严格保持不变。 Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 2 ) 光源调制频率上限应大于被测器件的截止频率。 b ) 测试系统的分布参量要小, 阻抗匹配要好。 5 . 7 . 4 检测步骤 按图 1 3 所示。 a ) 给被测器件加上规定的直流偏压, 由电压表V , 监测。 b ) 调节光源使被测器件在光
33、敏面上获得规定的平均光功率0 , , 用低频调制( 小于五X 1 0 0 ) 光源, 在电压表V : 上测量出交流输出信号。 。 ) 在保持光功率 C和调制度不变的情况下, 提高调制频率, 直到在 V : 上测量的输出信号下降到 低频时1 /倍, 记下对应的调制频率即为小信号截止频率f c o 5 . 了 . 5 规定条件 a ) 环境和管壳温度, b ) 被测器件的反向偏压V F ; c ) 负载电阻R L ; d ) 光源的峰值发射波长x p 及人射光功率0 . ; e ) 被测器件的倍增因子M, 5 . 8 器件总电容检测 5 . 8 . 1 目的 在规定条件下测量雪崩光电二极管的极间电
34、容c ,. , 5 . 8 . 2 检测原理图 A P D -被侧雪崩光电二极管; M一电容测量仪; G , 一直流稳压电源; C一隔直电容; R -防止高频信号 被电原内阻旁路的电阻; I . -防止高频信号被电源内阻旁路的电感; V 一直流电压表 图 1 4 电容检测原理图 5 . 8 . 3 注意事项 a ) 整个电路引线要短, 屏蔽良 好; b ) C , 是高频高压电 容, 其电容值应比被测器件的电容大。 5 . 8 . 4 检测步骤 a ) 按图1 5 的要求将被测器件接入电路, 并加上规定的反向偏压; b ) 仔细调整电 容测量仪M, 使电桥达到平衡, 读出电容值C z ; 。
35、) 取下被测器件, 保持电路原来的状态, 仔细调整M, 使电桥再次达到平衡, 读出电路剩余电容C 当C , ;C 。 时, 按式( 1 4 ) 计算: C t。 、 二C , 一C 。 。 . 。 。 。 。 。 . 。 。 二。 二。 . , 。 . 。 二 。 二 (1 4 5 . 8 - 5 规定条件 a ) 环境或管壳温度; b )反向偏压 V R i Y D / T 8 3 5 一 1 9 9 6 c ) 隔直电 容C , 的标称值和精度; d ) R , L的值; e ) M的精度及频率范围。 5 . 9 击穿电压的温度系数检测 5 . 9 门目的 检测雪崩光电二极管的击穿电压的温
36、度特性。 5 . 9 . 2 检测原理图 A P D -被测雪崩光电二极管; G , 一可调电流像, R 一电压表的过压保护电阻, M 可调恒温箱; A 一直流电流表; V 一直流电压表 图 1 5 击穿电压的温度系数的检测原理图 5 . 9 . 3 检测步骤 a ) 按图1 6 接好电 路, 被测器件放在可调恒温箱内, 其余部分在箱外。 b ) 调整恒流电 源, 使电流表读数到击穿电压检测条件的规定值。 c ) 在温度为T , 条件下, 恒温到规定的时间, 记下电压表读数V B R , a d ) 在温度为T : 条件下, 恒温到规定的时间, 记下电压表读数V M z c 按式( 1 5 )
37、 计算击穿电压的温度系数: R二 V a x , 一 V M, ( T, 一 T, ) V m, (1 5) 5 . 9 . 4 规定条件 。 ) 击穿电压对应的反向电流值 b ) 温度范围T , , T : 值, c ) 恒温时间。 *草庐一苇草庐一苇*提供优质文档, 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件, 请发站内 信和我联系!我一定帮你解决! 提供优质文档, 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件, 请发站内 信和我联系!我一定帮你解决! 本人有各种国内外标准 20 余万个, 包括全系 列 GB 国标国标及国内行业行业及部门标准部门标准,全系列 BSI EN DIN JIS NF AS NZS GOST ASTM ISO ASME SSPC ANSI IEC IEEE ANSI UL AASHTO ABS ACI AREMA AWS ML NACE GM FAA TBR RCC 各国船级 社 船级 社 等大量其他国际标准。豆丁下载网址:豆丁下载网址: http:/
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