集成电路的单粒子多位翻转效应毕业论文.doc
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1、 湘潭大学毕业论文 题 目:集成电路的单粒子多位翻转效应I毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文),是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知,除文中特别加以标注和致谢的地方外,不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得 及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体,均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。作 者 签 名: 日 期: 指导教师签名: 日期: 使用授权说明本人完全了解 大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定,即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印
2、刷本和电子版本;学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版,并提供目录检索与阅览服务;学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文;在不以赢利为目的前提下,学校可以公布论文的部分或全部内容。作者签名: 日 期: 学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名: 日期: 年 月 日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、
3、使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权 大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名:日期: 年 月 日导师签名: 日期: 年 月 日指导教师评阅书指导教师评价:一、撰写(设计)过程1、学生在论文(设计)过程中的治学态度、工作精神 优 良 中 及格 不及格2、学生掌握专业知识、技能的扎实程度 优 良 中 及格 不及格3、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力 优 良 中 及格 不及格4、研究方法的科学性;技术
4、线路的可行性;设计方案的合理性 优 良 中 及格 不及格5、完成毕业论文(设计)期间的出勤情况 优 良 中 及格 不及格二、论文(设计)质量1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范? 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)? 优 良 中 及格 不及格三、论文(设计)水平1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意? 优 良 中 及格 不及格3、论文(设计说明书)所体现的整体水平 优 良 中 及格 不及格建议成绩: 优 良 中 及格 不及格(在所选等级前的内画“”)指导教师: (签名
5、) 单位: (盖章)年 月 日评阅教师评阅书评阅教师评价:一、论文(设计)质量1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范? 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)? 优 良 中 及格 不及格二、论文(设计)水平1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意? 优 良 中 及格 不及格3、论文(设计说明书)所体现的整体水平 优 良 中 及格 不及格建议成绩: 优 良 中 及格 不及格(在所选等级前的内画“”)评阅教师: (签名) 单位: (盖章)年 月 日教研室(或答辩小组)及教学系意见
6、教研室(或答辩小组)评价:一、答辩过程1、毕业论文(设计)的基本要点和见解的叙述情况 优 良 中 及格 不及格2、对答辩问题的反应、理解、表达情况 优 良 中 及格 不及格3、学生答辩过程中的精神状态 优 良 中 及格 不及格二、论文(设计)质量1、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范? 优 良 中 及格 不及格2、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)? 优 良 中 及格 不及格三、论文(设计)水平1、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义 优 良 中 及格 不及格2、论文的观念是否有新意?设计是否有创意? 优 良 中 及格 不及格3、论文(设计说明书)所体现的整体水平
7、 优 良 中 及格 不及格评定成绩: 优 良 中 及格 不及格(在所选等级前的内画“”)教研室主任(或答辩小组组长): (签名)年 月 日教学系意见:系主任: (签名)年 月 日湘 潭 大 学毕业论文(设计)任务书论文(设计)题目: 集成电路的单粒子多位翻转效应 一、主要内容及基本要求 1、了解论文研究的背景和意义; 2、理解单粒子多位翻转的形成机理和各种影响因素; 3、学会用Sentaurus TCAD建立模型,建立单管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应进行模拟分析和建立双管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应和扩散效应进行有效机理分析; 4、依据“理论-建模-加固”的原则对集成电路加
8、固电路进行分析和讨论。 基本要求: 1、了解集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素; 2、会用一些基本软件例如Sentaurus TCAD等来仿真所要研究的问题; 3、建立基本的模型仿真单粒子多位翻转的各种特性; 4、能根据仿真结果,按“机制-建模-加固”的思路,提出有效的加固措施。 二、重点研究的问题 1、集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素; 2、如何建立单粒子多位翻转的模型; 3、如何用可行的方法来抑制单粒子多位翻转。 三、进度安排序号各阶段完成的内容 完成时间1查看文献1月20日3月5日2学习TCAD工具仿真3月6日4月5日3建立模型并仿真4月6日5月6日4撰写论文5月7日5
9、月17日5修改论文并制作ppt5月18日5月26日6答辩5月26日四、应收集的资料及主要参考文献1 P. Roche, G. Gasiot, et a1. Comparison of soft error rate for SRAMs in commercial SOI and bulk below the 130 nm technology node J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2003, 50(6): 2046-2454. 2 刘必慰. 集成电路的单粒子效应建模与加固方法研究 D. 博士学位论文. 国防科技大学, 2009. 3 J. A. Zoutendyk, H
10、. R. Schwartz, et al. Lateral charge transport from heavy-ion tracks in integrated circuits J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 1988, 35(6): 1644-1647. 4 O. A. Ausan, A. F. Witulski, et a1. Charge collection and charge sharing in a 130nm CMOS technology J IEEE Trans. Nucl. Sci, 2006, 53(6): 3253-3258. 5 贺朝会,
11、李国政等. CMOS SRAM单粒子翻转效应的解析分析 J. 半导体学报, 2000, 21(2): 174- 178. 6 刘征. 纳米集成电路单粒子效应电荷收集及若干影响因素的研究 D. 博士学位论文. 国防科技 大学, 2011. 7 M. Zhu, L. Y. Xiao, et al. Reliability of memories protected by multi-bit error correction codes against MBUs J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2011, 58(1): 289-295. 8 A. D. Tipton, X. W.
12、 Zhu, et al. Increased rate of multiple-bit upset from neutrons at large angles of incidence J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2008, 8(3): 565-570. 9 B.W. Liu, S. M. Chen, et al. Temperature dependency of charge sharing and MBU sensitivity in 130 nm CMOS technology J. IEEE Trans. Nucl. Sci, 2009, 56(4): 247
13、3-2479. 10 刘衡竹, 刘凡宇等. 90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响 J. 国防科技大学学 报, 2011, 33(2): 136-139. 11 陈超, 吴龙胜等. 130 nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效 J. 半导体技术, 2010, 35(1) :46- 49. 湘 潭 大 学毕业论文(设计)评阅表学号 2008700519 姓名 张 万 里 专业 微电子学 毕业论文(设计)题目: 集成电路的单粒子多位翻转效应 评价项目评 价 内 容选题1.是否符合培养目标,体现学科、专业特点和教学计划的基本要求,达到综合训练的目的;2.难度、份量是否适当;3.是否
14、与生产、科研、社会等实际相结合。能力1.是否有查阅文献、综合归纳资料的能力;2.是否有综合运用知识的能力;3.是否具备研究方案的设计能力、研究方法和手段的运用能力;4.是否具备一定的外文与计算机应用能力;5.工科是否有经济分析能力。论文(设计)质量1.立论是否正确,论述是否充分,结构是否严谨合理;实验是否正确,设计、计算、分析处理是否科学;技术用语是否准确,符号是否统一,图表图纸是否完备、整洁、正确,引文是否规范;2.文字是否通顺,有无观点提炼,综合概括能力如何;3.有无理论价值或实际应用价值,有无创新之处。综合评 价评阅人: 年 月 日湘 潭 大 学毕业论文(设计)鉴定意见 学号: 2008
15、700519 姓名: 张 万 里 专业: 微电子学 毕业论文(设计说明书) 32 页 图 表 37 张论文(设计)题目: 集成电路的单粒子多位翻转效应 内容提要: 随着对太空的不断探索,人类对电路特别是微处理器电路的抗辐射性能要求越来越高。由于现代集成电路的发展,单个晶体管的尺寸越来越小,这就增大了辐射效应中的单粒子效应特别是单粒子多位翻转效应的发生率。本文着眼于这个严峻的问题,展开了对单粒子多位翻转的机制和加固的研究。文章开头介绍了卫星失效故障的调查结果和空间辐射效应。接着就单粒子多位翻转的机制和各种影响因素做了较详细的探讨,指出了单粒子多位翻转的影响机制是电荷共享中的扩散效应和电路中寄生的
16、双极放大管效应。随后用Sentaurus TCAD建立130 nm单管模型和双管模型,就导致单粒子多位翻转的双极放大效应和扩散效应进行了仿真实验。实验仿真表明我们建立的模型的主要电荷收集方式是双极放大效应,究其原因是我们在漏端电压不变的情况下没有考虑到耦合因素,而且电路本身的寄生双极管效应严重故双极放大效应占主导作用。最后依据“机制-建模-加固”的思路,对单粒子多位翻转的加固进行了详细的讨论,并指出了增加两个MOS管的距离和添加保护环能够有效的抑制多位翻转效应。指导教师评语随着我国航天事业的不断发展,对集成电路的抗辐射性能要求越来越高。现代集成电路单个晶体管的尺寸越来越少,电源电压也越来越低,
17、而电路的抗辐射能力却越来越脆弱。该论文对超深亚微米集成电路中的单粒子多位翻转效应从翻转机制和加固措施两方面进行了研究。该生在研究中积极地查阅了相关文献,学习使用了Sentaurus TCAD软件建模和Origin画图软件对仿真结果进行了较好的处理,并对MOS管有源极和无源极进行对比,得出模型的主要电荷收集方式。该论文最后依据翻转机制对单粒子的抗辐射加固进行了研究,由仿真结果提出了有效的加固措施。该生已基本具备了查阅相关文献、分析和解决问题的能力。论文结构思路清晰,格式规范,工作量饱满,是一篇较好的毕业论文。同意其参加答辩,建议成绩评定为 。指导教师: 年 月 日答辩简要情况及评语答辩小组组长:
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- 集成电路 粒子 翻转 效应 毕业论文
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