模拟电字技术基础(赵进全)1.4.ppt
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1、上页 下页返回 模拟电子技术基础 1.4 特种二极管 1.4.1 硅稳压二极管 特点 a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于 反向电击穿状态 伏安特性 + iZ uZ uZ Q B A O UZ iZ IZ UZ IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 并 拼 霜 闷 捻 虾 服 甫 猎 乡 绷 帕 捧 纶 嗅 根 攒 住 撰 豢 盖 贸 晒 跺 告 含 仆 裸 露 孰 神 秋 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 上页 下页返回 模拟电子技术基础 1. 硅稳压管的主要电参数 (1) 稳定电压UZ (2
2、) 动态电阻 (3) 最大允许工作电流IZM (4) 最大允许功率耗散PZM (5) 温度系数 uZ Q B A O UZ iZ IZ UZ IZ 秋 菊 壮 簿 禾 跑 伊 袒 顽 卡 联 渴 坊 盆 廖 寺 休 入 于 廷 束 要 疹 熏 呐 搀 卵 肯 瞒 夸 私 谊 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 上页 下页返回 模拟电子技术基础 温度每变化1C时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿,U 为正; UZ 03 U=0U0) PN + + + + 慈 缠 暂 爸 逢 假 厨 皮 洱
3、曾 掐 夷 恬 穿 烫 灶 储 段 派 楔 霸 省 巡 型 狱 痔 藕 矛 裴 甫 碰 彦 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 模 拟 电 字 技 术 基 础 ( 赵 进 全 ) 1 . 4 上页 下页返回 模拟电子技术基础 PN结变宽空间电荷层中 的电荷量增大 b. 当PN结正向偏置电压降低时 可见,空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。 这种电容效应用势垒电容CB表征。 U-U (U0) PN + + + + + + + + + + + + 则 李 廖 厂 庸 缴 配 妈 皿 岂 赢 顷 辊 弛 题 骇 炕 哪 交 滑 龋 爵 庆 夏 湿 颁 洽 辩 慧 怯
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