X射线光电子能谱分析课件.ppt
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1、第第七七章章 电子能谱电子能谱 X-X-射射线线光光电电子子能能谱谱仪仪,是是一一种种表表面面分分析析技技术术,主主要用来表征材料表面元素及其化学状态。要用来表征材料表面元素及其化学状态。基本原理基本原理:使用使用X-X-射线与样品表面相互作用,射线与样品表面相互作用,利用光电效应,激发样品表面发射光电子,利用光电效应,激发样品表面发射光电子,利用能量分析器,测量光电子动能,利用能量分析器,测量光电子动能,根据根据B.E=hv-K.E-W.FB.E=hv-K.E-W.F进而得到激发电子的结合能。进而得到激发电子的结合能。我们就是为了得到样品的我们就是为了得到样品的结合能结合能!7 7.1 .1
2、 电子能谱的基本原理电子能谱的基本原理基本原理就是光电效应基本原理就是光电效应。在高于某特定频率的电磁波照射下,物质内部的电在高于某特定频率的电磁波照射下,物质内部的电子会被光子激发出来即光生电。子会被光子激发出来即光生电。自由原子自由原子的的光电效应能量关系光电效应能量关系对孤立原子或分子,对孤立原子或分子,就是把就是把电子从所在轨道移到真空需的电子从所在轨道移到真空需的能量,是以真空能级为能量零能量,是以真空能级为能量零点的。点的。对固体样品,必须考虑晶体势场和表面势场对光电子对固体样品,必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用,通常选取的束缚作用,通常选取费米费米(Fermi)能级能
3、级为参考点。为参考点。0k0k时固体能带中充时固体能带中充满电子的最高能级满电子的最高能级功函数功函数为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱仪的良为防止样品上正电荷积累,固体样品必须保持和谱仪的良好电接触,两者费米能级一致。好电接触,两者费米能级一致。样品与仪器触电电位差。样品与仪器触电电位差。仪器功函数仪器功函数功函数功函数实际测到的电子动能为:实际测到的电子动能为:核外电子的运动状态核外电子的运动状态电子在原子中的运动状态,可n,L,m,ms四个量子数来描述。(一)主量子数n主量子数n决定电子层数电子层数的。对单电子原子来说,n值愈大,电子值愈大,电子的能量愈高的能量愈高。(二)角量
4、子数(副量子数)物理意义是表示原子轨道的形状。另一个物理意义是表示同一电子层中具有不同状态的亚层。当主量子数主量子数n给定时,给定时,L可取值为可取值为0,1,2,3(n-1)。在每一个主量子数n中,有n个副量子数,其最大值为n-1。按光谱学上的习惯l用s,p,d,f等符号表示。副量子数L表示原子轨道的形状。L=0时(称s轨道),其原子轨道呈球形分布(图4-5);l=1时(称p轨道),其原子轨道呈哑铃形分布(图4-6)(三)磁量子数磁量子数m磁量子数m决定原子轨道在空间的伸展方向空间的伸展方向。当副量子数l给定时,m的取值为从-l到+l之间的一切整数(包括0在内),共有2L+1个取值,原子轨道
5、在空间有2l+1个伸展方向。(四)自旋量子数自旋量子数ms原子中的电子除绕核作高速运动外,还绕自己的轴作自旋运动。电子的自旋运动自旋运动用自旋量子数ms表示。ms 有两个值+1/2和和-1/2。只有两个方向,即顺顺/逆时针方向逆时针方向。通常用“”和“”表示另外,能级由于自旋-轨道偶合发生分裂,用内量子数内量子数j来表征。j=|l+ms|电子能谱中用主量子数n,角量子数l,内量子数j三个量子数来表征。如3d5/2,三层,角量子数为2(d层),内量子数2+1/2=5/2,通常省略1/2。原子结构原子能级划分原子能级划分7 7.2 2 X X射线光电子能谱射线光电子能谱(XPSXPS)由于各种原子
6、轨道中电子的由于各种原子轨道中电子的结合能结合能是一定的,因此是一定的,因此 XPS XPS 可用来测定固体表面的可用来测定固体表面的化学成分化学成分。a a 清洁表面;清洁表面;b 1barO b 1barO2 2、403K403K氧化氧化1 1小时小时金属态的镍金属态的镍Ni较较高高氧氧化化态态的的镍镍NiNi3 3+Ni-PNi-P合金的合金的Ni 2pNi 2p3/23/2 XPS XPS谱谱 化学位移化学位移鉴定鉴定化学状态化学状态XPS光电子线及伴线A.光电子线:在图谱中明显而尖锐的谱峰。强度最大,峰宽最小,对称性最好。称为主峰-元素定性分析主要依据。B.俄歇线:俄歇电子形成的谱线
7、俄歇谱线的表示:LMM俄歇电子是L层电子被激发,M层电子填充到L层,释放的能量又使另一个M层电子激发所形成的俄歇电子。C.X射线卫星线:X射线并非单色,阳极材料原子产生荧光X射线效应,这些射线统称K1,2X射线的卫星线。卫星线激发的光电子形成X射线卫星峰。表现图谱,在主光电子线的低结合能或高结合能端较小的卫星峰。7 7.3.3 XPSXPS谱图谱图中中谱线谱线D.多重分裂:原子电离后空位与自旋电子发生偶合,得到不同终态,相应每一个终态,在图谱上将有一条谱线。配位体相同时,多重分裂与未成对电子数正相关。多重分裂谱线能量差与配位体离子电负性相关,可以用于判断价态。E.能量损失谱线:光电子穿过样品
8、表面时,同原子间发生非弹性碰撞、损失能量后在图谱上出现的伴峰。F.电子的振激与振离谱线(一)振离谱线。振离是一种多重电离过程。原子的一个内层电子电离而发射,导致一个外层电子电离。光电子能量被原子吸收,在图谱主光电子峰附近出现连续谱线。(二)振激谱线。过程与振离相似,所不同的是价壳层电子跃迁到更高级束缚态。结果在谱图主光电子峰的低动能端分离的伴峰。判断顺磁反磁、键的共价性、几何构型等化学性质。G.鬼线:难以解释的光电子线。来源阳极靶材杂质元素,窗口材料等。7 7.4 .4 俄歇电子能谱俄歇电子能谱(AES)(AES)俄歇电子能谱的基本机理是:入射电子束或俄歇电子能谱的基本机理是:入射电子束或X
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