激光调制与偏转PPT课件.ppt
《激光调制与偏转PPT课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《激光调制与偏转PPT课件.ppt(71页珍藏版)》请在三一文库上搜索。
1、7.5.1 7.5.1 激光调制的基本概念激光调制的基本概念激光调制:激光调制:将信息加载于激光的过程。将信息加载于激光的过程。载波:载波:激光(高频)激光(高频)调制信号:调制信号:起控制作用的低频信息起控制作用的低频信息 内调制(直接调制)内调制(直接调制)加载调制信号是在激光振荡过程中进行的,即以调制信号加载调制信号是在激光振荡过程中进行的,即以调制信号去改变激光器的振荡参数,从而改变激光输出特性以实现去改变激光器的振荡参数,从而改变激光输出特性以实现调制。内调制主要用在光通信用的注入式半导体光源中。调制。内调制主要用在光通信用的注入式半导体光源中。外调制外调制 激光形成以后,在激光器的
2、光路上放置调制器,用调制信激光形成以后,在激光器的光路上放置调制器,用调制信号改变调制器的物理性能,当激光通过调制器时,就会使号改变调制器的物理性能,当激光通过调制器时,就会使光波的某个参量受到调制。光波的某个参量受到调制。7.5 7.5 激光调制技术激光调制技术调制光波的参量调制光波的参量调制光波的参量调制光波的参量振幅调制(强度调制)振幅调制(强度调制)相位调制(频率)相位调制(频率)偏振调制偏振调制调制形式调制形式调制形式调制形式模拟调制模拟调制数字调制数字调制脉冲调制脉冲调制电光效应电光效应声光效应声光效应磁光效应磁光效应物理效应物理效应物理效应物理效应其他其他(如如:电吸收电吸收)利
3、用利用KDPKDP晶体在电场作用下的双折射效应制作晶体在电场作用下的双折射效应制作电光调制器电光调制器;利用超声波作用下介质折射率周期性变化的声光效应可以利用超声波作用下介质折射率周期性变化的声光效应可以制作制作声光调制器声光调制器;利用法拉第效应可以制作利用法拉第效应可以制作磁光调制器磁光调制器与光隔离器。与光隔离器。2.2.主要物理效应主要物理效应1.1.振振 幅幅 调调 制制使载波的振幅随着信号的变化规律而变化使载波的振幅随着信号的变化规律而变化 激光的电场激光的电场 调制信号调制信号 调幅波的频谱公式调幅波的频谱公式 =2.2.频频 率率 调调 制制 和和 相相 位位 调调 制制光载波
4、的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变 频率调制频率调制 激光的电场强度激光的电场强度 相位调制相位调制 产产生生无无数数多多个个边边频频,当当m m很很小小时时,边边频频数数量量减少。减少。频率调制和相位调制都是调角度3.3.强强 度度 调调 制制光载波的强度(光强)随调制信号规律而变化光载波的强度(光强)随调制信号规律而变化 设调制信号是单频余弦波,则调制强度为:设调制信号是单频余弦波,则调制强度为:实际应用中,为了得到较强的抗干扰效果,往往利用二次实际应用中,为了得到较强的抗干扰效果,往往利用二次调制方式,即先用低频信号对一高频副载波进行频
5、率调制,调制方式,即先用低频信号对一高频副载波进行频率调制,然后再利用这个已调频波进行强度调制(称为然后再利用这个已调频波进行强度调制(称为FM/IM调制)调制),使光的,使光的强度按副载波信号的规律变化。信号在调频波中,强度按副载波信号的规律变化。信号在调频波中,抗干扰能力强。抗干扰能力强。4.4.脉脉 冲冲 调调 制制用一种间歇的周期性用一种间歇的周期性脉冲序列作为载波,脉冲序列作为载波,使载波的某一参量按使载波的某一参量按调制信号规律变化的调制信号规律变化的调制方法。调制方法。脉冲编码调制(采样、量化、编码)脉冲编码调制(采样、量化、编码)5.脉冲编码调制(数字调制)1.1.光在晶体中的
6、传播光在晶体中的传播(1 1)晶体的极化率与介电系数晶体的极化率与介电系数 介质极化强度介质极化强度P P与入射光与入射光E E的关系:的关系:l极化率极化率 成为二阶张量,具有九个分量:成为二阶张量,具有九个分量:l于是于是各向异性晶体中各向异性晶体中P每一个分量都与每一个分量都与E的三个分量存在着线性的三个分量存在着线性关系,关系,P不再与不再与E同向。各向同性晶体有一一对应关系。同向。各向同性晶体有一一对应关系。7.5.2 7.5.2 电光调制电光调制由电磁场方程由电磁场方程得根据根据 ,简化下标得简化下标得:选择坐标系为晶体的选择坐标系为晶体的主介电坐标系主介电坐标系,则张量非对角元素
7、为零:,则张量非对角元素为零:折射率折射率低低级级晶晶族族3 3个个分分量量不不相相等等,中中级级晶晶族族有有2 2个个相相等等,高高级级晶晶族族3 3个都相等个都相等确定两个允许传输波的偏振方向及其相速度。确定两个允许传输波的偏振方向及其相速度。直角主介电坐标系中,两波面沿三主轴分量表示为通式直角主介电坐标系中,两波面沿三主轴分量表示为通式 方程方程代表一个椭球,称代表一个椭球,称折射率椭球折射率椭球,晶体各向异性的几何表,晶体各向异性的几何表示。性质:示。性质:l其中任一矢径的方向,其长度表示沿该方向偏振的光波的折其中任一矢径的方向,其长度表示沿该方向偏振的光波的折射率。射率。l对对于于任
8、任意意给给定定的的波波矢矢k,利利用用折折射射率率椭椭球球可可求求光光波波的的偏偏振振方方向向及及相相应应折折射射率率:通通过过原原点点作作k的的垂垂面面,与与折折射射率率椭椭球球相相交交得得一一椭椭圆圆截截面面,则则这这一一椭椭圆圆截截面面的的两两个个轴轴即即为为两两个个偏偏振振方方向向,两个轴长度两个轴长度 、为相应折射率。为相应折射率。为沿三个轴的主折射率为沿三个轴的主折射率(2 2)折射率椭球)折射率椭球单轴晶体折射率椭球单轴晶体折射率椭球 取取光光轴轴为为z轴轴,沿沿x、y轴轴的的主主折折射射率率相相等等,说说明明xoy平平面面内内传传播播光光的的D、E方方向向一一致致,与与各各向向
9、同同性性介介质质中中光光波波性性质质一一样样,称称寻寻常常光光,相相应应主主折折射射率率为为寻寻常常折折射射率率,记记为为no,沿沿光光轴轴的的主折射率称非常折射率,记为主折射率称非常折射率,记为ne zyxzyxOO(a)正单轴晶体 (b)负单轴晶体 单轴晶体折射率椭球单轴晶体折射率椭球单轴晶体折射率椭球特性单轴晶体折射率椭球特性(a a)xoy平面与平面与椭球截面是一个圆,椭球截面是一个圆,其半径为其半径为no。表表明明当当光光波波沿沿着着z轴轴方方向向传传播播时时,即即ki平平行行于于光光轴轴时时,只只存存在在一一种种折折射射率率no,光光波波电电位位移移矢矢量量D可可取取垂垂直直于于Z
10、轴轴的的任任何何方方向,于是,向,于是,不产生双折射不产生双折射。z轴即单轴晶体光轴。轴即单轴晶体光轴。(b)xoz、yoz平平面面,或或其其它它含含z轴轴的的椭椭球球截截面面为为一一椭椭圆圆,其其两两半轴长度分别为半轴长度分别为 、。表表明明当当光光垂垂直直于于光光轴轴入入射射(ki垂垂直直于于光光轴轴,处处于于xoy平平面面内内)时时,可可允允许许两两个个彼彼此此正正交交的的线线偏偏振振光光传传播播,其其中中一一个个光光波波偏偏振振方方向向平平行行于于光光轴轴、折折射射率率为为 ,另另一一光光波波偏偏振振方方向向垂垂直直于于光光轴轴、折射率为折射率为 。(c c)当当k ki i 与光轴夹
11、角为与光轴夹角为 时,通过原点时,通过原点O O垂直于垂直于k ki i 的平面与椭的平面与椭球的球的截面为一椭圆截面为一椭圆,其长、短轴为允许的偏振方向,对应于两,其长、短轴为允许的偏振方向,对应于两种本征光波:种本征光波:寻常光寻常光:偏振方向与:偏振方向与SOZSOZ平面垂直,折射率及相速与平面垂直,折射率及相速与 无关,无关,D D、E E方向一致,折射率方向一致,折射率n no o称寻常折射率称寻常折射率非常光非常光:偏振方向在:偏振方向在SOZSOZ平面内,平面内,折射率折射率n ne e()满足方程:满足方程:折射率与相速和角度折射率与相速和角度 有关,有关,D D与与E E方方
12、向不一致向不一致。任意方向传播的双折射任意方向传播的双折射单轴晶体单轴晶体k-zk-z平面与折射率面的交线平面与折射率面的交线:表示折射率随传播方向的变化表示折射率随传播方向的变化 (a)(a)正单轴晶体正单轴晶体 (b)(b)负单轴晶体负单轴晶体zyOD()knonene()n0正负单轴晶体正负单轴晶体k-zk-z平面与折射率面的交线平面与折射率面的交线zynokD()ne()none寻常光的折射率面为球面;非常光的折射率面为椭球面寻常光的折射率面为球面;非常光的折射率面为椭球面2.电光效应电光效应l电光效应:电光效应:当介质的两端所加外电场较强时,介质内的电当介质的两端所加外电场较强时,介
13、质内的电子分布状态将发生变化,以致介质的极化强度以及折射率子分布状态将发生变化,以致介质的极化强度以及折射率也各向异性地发生变化的现象。也各向异性地发生变化的现象。电光效应弛豫时间很短,仅有电光效应弛豫时间很短,仅有1010-11-11量级量级外场的施加或撤消导致的折射变化或恢复瞬间即可完成外场的施加或撤消导致的折射变化或恢复瞬间即可完成可用作高速调制器、高速开关等可用作高速调制器、高速开关等(a)外加电场相对光场为低频)外加电场相对光场为低频(b)外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体,此时)外加电场沿着某一介电主轴作用于晶体,此时D与与E的的方向一致方向一致,因而,因而D只随只随E的大小变化。
14、的大小变化。为突出物理思路、简化推导,讨论基于以下条件:为突出物理思路、简化推导,讨论基于以下条件:(1)泡克尔斯)泡克尔斯(Pockels)效应效应 与克尔与克尔(Kerr)效应效应 当外加电场沿某一介电主轴作用于晶体时,电位移矢量为当外加电场沿某一介电主轴作用于晶体时,电位移矢量为 为不加电场时的介电为不加电场时的介电常数,称线性介电常数。常数,称线性介电常数。定义定义D(E)的斜率为加电场后的介电常数:的斜率为加电场后的介电常数:l 与外加电场的一次方成正比,称为与外加电场的一次方成正比,称为泡克尔斯效应;泡克尔斯效应;ln n与外加电场平方成正比,称为与外加电场平方成正比,称为克尔效应
15、克尔效应。n第一项大大于后面各项,作泰勒级数展开第一项大大于后面各项,作泰勒级数展开(2)KDP晶体的线性电光效应晶体的线性电光效应 KDP晶体是人工生长的晶体是人工生长的KH2PO4单轴晶体的简称。单轴晶体的简称。不加外场,折射率椭球为:不加外场,折射率椭球为:外加电场作用后,新的折射率椭球为:外加电场作用后,新的折射率椭球为:外外加加电电场场引引起起了了折折射射率率椭椭球球中中的的后后三三项项,即即“交交叉叉项项”,这这意意味味着着加加上上电电场场后后,椭椭球球的的主主轴轴不不再再是是x x、y y、z z轴轴,而而是有所偏转。是有所偏转。新新主主轴轴、的的方方向向和和大大小小与与E E
16、的的关关系系就就确确定了电场对光传播的影响。定了电场对光传播的影响。(a a)外加电场平行于光轴(外加电场平行于光轴(Z Z轴):轴):设新主轴设新主轴 相对旧主轴相对旧主轴 旋转了角度旋转了角度,则,则在新主轴坐标系在新主轴坐标系 中,折射率椭球方程变为:中,折射率椭球方程变为:结论:结论:(1)施施加加外外场场E3后后,椭椭球球的的xoy截截面面由由圆圆变变为为椭椭圆圆,折折射射率率椭椭球球由由旋旋转转椭椭球球面面变变为为一一般般椭椭球球面面,KDP由单轴晶体变为双轴晶体。由单轴晶体变为双轴晶体。(2)(2)沿沿 方方向向偏偏振振的的光光传传播播相相速速度度加加大大,而而沿沿 方方向向偏偏
17、振振的的光光传传播播速度减小,因此速度减小,因此 轴称为快轴,轴称为快轴,轴为慢轴。轴为慢轴。(b)外加电场垂直于光轴外加电场垂直于光轴新主轴坐标系中三个主折射率近似为新主轴坐标系中三个主折射率近似为 (1)施施加加外外场场后后,新新折折射射率率椭椭球球的的主主轴轴是是由由旧旧主主轴轴绕绕 y旋旋转转 角后形成的,角后形成的,与外加电场成正比,但是一个小值。与外加电场成正比,但是一个小值。(2)施施加加外外场场后后,折折射射率率椭椭球球由由旋旋转转椭椭球球变变为为一一般般椭椭球球,单单轴轴晶晶体体变变为为双双轴轴晶晶体体,双双轴轴晶晶体体的的光光轴轴方方向向之之一一仍仍为为原原 z 轴轴,另一
18、光轴位于以另一光轴位于以 轴为对称轴且和轴为对称轴且和 z 对称的方向上。对称的方向上。(3 3)电光相位延迟)电光相位延迟 以外加以外加电场平行于光轴(电场平行于光轴(Z轴)轴)的的KDP晶体为例,光波沿晶体为例,光波沿z方向传播距离方向传播距离l后,两偏振光之间的相位差为后,两偏振光之间的相位差为 的变化曲线及相应的光场矢量变化情形、当当相相位位延延迟迟时时,光光场场为为x x方方向向偏偏振振的的线线偏偏振振光光,当当/2/2时时,光光场场为为圆圆偏偏振振光光,当当时时,光光场场又又变变成成沿沿y y方向偏振的线偏振光。方向偏振的线偏振光。与与对对应应的的偏偏振振光光相相对对入入射射光光旋
19、旋转转了了9090,其其相相应应的的电压称为电压称为半波电压半波电压 晶体的电光系数越大,相应半波电压越低晶体的电光系数越大,相应半波电压越低 .通过测量半波电压可以计算出相应的电光系数。通过测量半波电压可以计算出相应的电光系数。部分晶体的部分晶体的 和和3.3.电光强度调制电光强度调制(1 1)纵向电光强度调制)纵向电光强度调制(1 1)电电光光强强度度调调制制装装置置由由两两块块交交叉叉偏偏振振片片及及其其间间放放置置的的一一块块单单轴电光晶体组成。轴电光晶体组成。偏振片的通振动方向分别与偏振片的通振动方向分别与x x、y y轴平行。轴平行。(2)设某时刻加在电光晶体上的电压为)设某时刻加
20、在电光晶体上的电压为V,入射到晶体的在入射到晶体的在x方向上的线偏振光电矢量振幅为方向上的线偏振光电矢量振幅为E0 进入晶体时沿快轴进入晶体时沿快轴 和慢轴和慢轴 的电矢量振幅都变为的电矢量振幅都变为 通过晶体后沿通过晶体后沿 和和 方向的二线偏振光之间的方向的二线偏振光之间的位相差位相差 通通过过振振动动方方向向与与 y y 轴轴平平行行的的偏偏振振片片检检偏偏后后产产生生的的光光振振幅幅分分别别为为 ,则有:,则有:投影之和为投影之和为:图图(4-22)I/I0-V曲线曲线(4 4)如外加信号电压为正弦电压,如外加信号电压为正弦电压,则,则输出光强输出光强近似为正弦形,实现无失真调制。近似
21、为正弦形,实现无失真调制。(3 3)画画出出 曲曲线线的的一一部部分分以以及及光光强强调调制制的的情情形形。为为使工作点选在曲线中点处,通常在调制晶体上外加直流偏压使工作点选在曲线中点处,通常在调制晶体上外加直流偏压 来完成,或者插入来完成,或者插入/4/4波片,使之产生波片,使之产生9090度的相位差。度的相位差。应用应用应用应用使用电光调制器的光通信线路使用电光调制器的光通信线路 激光器输出为偏激光器输出为偏振光振光(2)横向电光强度调制)横向电光强度调制第一项表示天然双折射造成的相位差;第一项表示天然双折射造成的相位差;第二项由电光效应引起,为电光延迟。第二项由电光效应引起,为电光延迟。
22、由第一项确定工作点位置后,根据第二项正比于由第一项确定工作点位置后,根据第二项正比于l l/d d,恰当选,恰当选择长宽比,以实现有效的电光调制。择长宽比,以实现有效的电光调制。消除天然双折射方法:两块晶体串接(消除天然双折射方法:两块晶体串接(Z轴垂直)轴垂直)电压加在电压加在X X方向,入射光沿方向,入射光沿Z Z方向,方向,X X方向偏振;方向偏振;X X、Y Y、Z Z与与晶体边平行。晶体边平行。横向电光调制可降低半波电压,用两块晶体可消除自然双折横向电光调制可降低半波电压,用两块晶体可消除自然双折射,但结构较复杂。射,但结构较复杂。4 4 电光相位调制电光相位调制(1 1)加电场后,
23、加电场后,振动方向与晶体的感应主轴相平行的振动方向与晶体的感应主轴相平行的光通过长光通过长度为度为 的晶体,其位相增加为的晶体,其位相增加为 (2 2)晶体上所加的是正弦调制电场晶体上所加的是正弦调制电场 晶体输入面处的光场是晶体输入面处的光场是 式中,式中,为相位调制度为相位调制度 (3 3)则在晶体输出面处的光场可写成)则在晶体输出面处的光场可写成 5.波导电光调制器波导电光调制器波导调制器是将具有电光特性的材料做成光波导,调制电场波导调制器是将具有电光特性的材料做成光波导,调制电场加在通光波导区,可以在很低的外加电压下获得所需的调制加在通光波导区,可以在很低的外加电压下获得所需的调制场强
24、场强。可以通过波导特性,如模式转换、模式耦合、定向耦合等特可以通过波导特性,如模式转换、模式耦合、定向耦合等特性来实现光的直接强度调制与开关等。性来实现光的直接强度调制与开关等。波导调制器具有效率高、体积小、集成度高、易于与光纤耦波导调制器具有效率高、体积小、集成度高、易于与光纤耦合等优点。合等优点。(1)M-Z干涉仪强度调制器晶体材料为铌酸锂晶体晶体材料为铌酸锂晶体(LiNbO(LiNbO3 3),其中的光波导是在晶体,其中的光波导是在晶体上用上用钛扩散钛扩散(折射率提高)技术制作的。(折射率提高)技术制作的。电电信信号号加加到到如如图图所所示示的的电电极极上上,来来自自激激光光器器的的连
25、连续续光光波波输输入入到到调调制制器器的的左左端端,然然后后被被均均匀匀地地分分配配到到光光波波导导的的两两个个臂臂中中,两两光光路路长长度度相相等等。由由于于电电光光效效应应,其其折折射射率率及及到到达达输输出出端端的的光光程程差差和和位位相相随随外外加加电电压压的的变变化化而而变变化化,在在时时间间上上发发生生延延迟迟。两两束束光光到到达达输输出出端端后后,经经3 3 dBdB光光耦耦合合器器耦耦合合在在一起由一路光纤输出。一起由一路光纤输出。根根据据这这一一原原理理,即即可可完完成成光光信信号号强强度度随随电电信信号号的的变变化化而而不不断断改改变变的的调调制制过过程程,即即实实现现强强
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 激光 调制 偏转 PPT 课件
