武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书.doc

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1、武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本编制日期：二一三年一月武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本建设单位：武汉新芯集成电路制造有限公司评价单位：信息产业电子第十一设计研究院 科技工程股份有限公司编制日期：二一三年一月目 录1.建设项目概况11.1建设项目的地点及相关背景11.2建设项目主要建设内容11.3生产工艺41.4生产规模61.5建设进度和投资61.6建设项目选址合理性分析61.7产业政策的符合性分析71.8规划的符合性分析72.建设项目周围环境状况92.1建设项目所在地的环境现状92.2建设项目环境影

2、响评价范围93.建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果123.1污染物排放及治理措施123.1.1废水污染源排放及治理措施123.1.2地下水污染防治措施153.1.3废气排放及治理措施163.1.4噪声产生及防治措施193.1.5固体废弃物产生及处置情况203.1.6项目调整前后污染物排放情况对比203.2环境保护目标213.3项目主要环境影响及其预测评价结果243.4污染物达标排放分析263.5环境风险分析283.5.1风险预测结果283.5.2风险防范措施293.5.3风险应急预案293.5.4与武汉东湖新技术开发区应急预案相结合293.6建设项目环境保护措施的技术、经济论证结果3

3、03.7建设项目对环境影响的经济损益分析结果303.8建设单位拟采取的环境监测计划及环境管理制度303.8.1环境监测计划303.8.2环境管理规章制度314.公众参与324.1公众参与调查324.1.1调查目的324.1.2调查方法324.1.3调查对象364.2调查结果统计394.2.1参与调查人员的基本情况394.2.2对本项目建设的意见统计404.2.3结论425.环境影响评价结论446.联系方式44i武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本1. 建设项目概况1.1 建设项目的地点及相关背景武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调

4、整项目拟建于武汉东湖新技术开发区流芳产业园高新四路18号，武汉新芯集成电路制造有限公司内。2006年，武汉新芯集成电路制造有限公司在武汉东湖新技术开发区投资建设了集成电路芯片代工工厂（12英寸集成电路生产线项目），生产能力为12英寸90nm芯片，月投片量1.5万片（18万片/年）。2006年9月，环保部（原国家环保总局）以环审2006478号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线项目环境影响报告书的批复对该项目进行了批复。2010年2月26日，环保部以环验201055号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线项目竣工环境保护验收意见的函，确认该项目环境保护手续

5、齐全，落实了环评及其批复提出的各项环保措施和要求，主要污染物达标排放，工程竣工环境保护验收合格。2011年，武汉新芯集成电路制造有限公司拟新增投资约35亿美元建设12英寸集成电路芯片扩产项目，利用公司预留用地新增生产线，完善动力设施及相关辅助设施，新增12英寸、45nm为主的集成电路芯片3万片/月的生产能力。2011年4月，湖北省环境保护厅以“鄂环函2011 286号”下达了关于武汉新芯集成电路制造有限公司12 英寸集成电路生产线扩产项目环境影响报告书的批复。武汉新芯集成电路制造有限公司对发展规划进行了一定调整，决定调整原“12英寸集成电路芯片扩产项目”，将原计划投资35亿美元，生产3万片/月

6、的12英寸、45nm为主的CMOS芯片调整变更为投资6.35亿美元，生产6万片/月的12英寸、65nm的BSI芯片（背照式影像传感芯片）。调整项目在公司现有征地范围内进行，依托现有生产厂房及部分设备，同时新增部分生产及动力辅助设备。由于项目建设发生了调整，该调整势必给项目所在区域带来较原环评而言不同的环境影响，为了了解项目调整后的环境影响情况，武汉新芯集成电路制造有限公司特委托信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司为其12英寸集成电路生产线扩产调整项目编制环境影响报告书。我公司接受委托后立即组织现场踏勘，在充分研读项目有关文件和现有工程相关资料的基础上，编制出环境影响报告书呈环境保护

7、主管部门审查。2012年12月29日，湖北省环境保护厅在武汉市召开本项目环境影响报告书技术审查会，评价单位根据会上形成的专家评审意见，对报告书进行了修改和补充，形成了武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书（报批本），提交建设单位上报环保主管部门审批。1.2 建设项目主要建设内容武汉新芯集成电路制造有限公司总征地面积310573.34 m2，位于高新四路以北、长通南路以东。本次调整项目，在公司已征地范围内进行建设，不新征土地。本次调整项目将利用现有工程已有构筑物及设施，仅新建化学品库二。其情况见表1-1。表1-1 本调整项目新建构筑物数据表序号建筑代号层数占

8、地面积(m2)建筑面积(m2)备注1化学品库二1846846构筑物新建现有工程在芯片生产厂房Fab12a中已设置投片量1.5万片/月的生产线；本次调整项目拟利用在芯片生产厂房Fab12a内6500m2的预留空间安装投片量6.0万片/月的生产线。 项目组成及主要建设内容见表1-2。表1-2 工程项目组成表序号工程项目建设内容主要环境问题备注施工期营运期一、主体工程施工噪声建筑垃圾废水废气噪声固体废物1.1芯片生产厂房（Fab12a）3F, 14423.11m 2，目前已有投片量1.5万片/月生产线；本次利用其预留6500m2空间，新增生产设备，安装投片量6.0万片/月的生产线，位于Fab12a第

9、一层及第二层。厂房外壳利旧二、辅助、公用工程2.1动力厂房(CUB6) 24798.13 m2，利用动力厂房土建外壳，新增部分设备。地下一层：水池、水泵房、药剂间；一层： 库房及废水处理系统；二层：纯水系统（本次扩能153m3/h），项目建成后总制备能力为303 m3/h）；三层：变电站、冷水机组、工艺冷却水系统；屋面：冷却塔。施工噪声建筑垃圾噪声、废水构筑物利旧2.2化学品库二新建，面积为846m2。用于存放磷酸、氢氟酸、硫酸、硝酸、砷化氢、磷化氢、Spin Etch D、HNA等化学品。施工扬尘、施工废气、施工噪声、施工废水、 建筑垃圾废容器、环境风险新建2.3变电站（PS6）新增50MV

10、A主变压器1台。施工噪声建筑垃圾噪声构筑物利旧2.4柴油发电机房（DG6）新增3台1600kW柴油发电机。噪声2.5锅炉房（BH6）新增设1台4200kW锅炉；扩产冷冻水系统。噪声、烟气2.6硅烷站（SiH4）现有最大储存量170m3，完全利旧。/风险完全利旧2.7油泵房（OPH）现有最大储存量200m3，完全利旧。/废油、含油废水2.8危险废物暂存库存放面积273m2；存放废光刻胶、混合有机溶剂、化学品空桶等，完全利旧。/危废、风险2.9一般废弃物暂存库存放面积102m2；完全利旧。/固废2.10废液暂存间Fab 12a：位于生产厂房1F，存放面积619 m2；完全利旧。废液收集罐储存能力相

11、同，均为浓含氟废水20m3、硫酸15m3、磷酸15m3、含铜废水10m3、废有机溶剂50m3/危废、风险2.11特殊气体供应系统Fab12a：已建成36种气体（惰性气体、腐蚀性气体、烷类气体等)；完全利旧。/风险完全利旧2.12工艺排风系统在Fab12a内设有机废气排风、酸性废气排风、碱性废气排风、有毒气体排风和一般排风系统；完全利旧。/设备噪声2.13废气处理系统Fab 12a：设有有机废气处理系统3套、酸性废气处理系统8套、碱性废气处理系统3套、有毒气体处理系统1套；完全利旧/酸碱废水含氟废水噪声2.14工艺废水处理系统酸碱废水、含氟废水、CMP废水、含铜废水处理系统；完全利旧。/噪声、废

12、水处理污泥、硫酸铵溶液2.15生活污水处理系统盥洗间粪便污水经化粪池处理，食堂含油废水经隔油池处理后，排入厂区污水管网；完全利旧。/废水处理污泥、废油三、办公、生活设施3.1办公大楼（OS6）完全利旧/生活垃圾、生活污水、食堂油烟完全利旧3.2门卫完全利旧1.3 生产工艺项目调整前生产12英寸 CMOS芯片（Complementary Metal Oxide Semiconductor），采用65/45nm制程，以45nm为主。CMOS芯片制作原理是通过外购空白硅片（晶圆），经清洗、氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、刻蚀、化学气CVD、金属化、CMP等工序在硅片上形成电路图形，上述工序反复交叉

13、多次循环。本次调整项目引进豪威科技有限公司BSI制造技术，生产12英寸BSI芯片（Backside Illumination CMOS Image Sensors），即背照式影像传感芯片（以下简称“BSI芯片”），采用65nm制程。BSI芯片可分为前段工序（CMOS芯片制作）和后段工序（CMOS芯片贴合后制作），前段工序的制程数量远大于后段工序。本调整项目在厂区内仅进行BSI芯片的后段工序，制作原理是外购CMOS芯片，将CMOS芯片与一片空白硅片（外购）进行贴合，贴合后对CMOS芯片的背面进行打磨减薄处理，接着在CMOS芯片背面进行氧化、扩散、光刻、去胶、离子注入、刻蚀、CVD、金属化、CM

14、P等多道工序，上述工序反复交叉，多次循环。本调整项目仅进行BSI芯片后段工序，生产所需的CMOS芯片均为外购（由濠威科技有限公司提供）。项目调整前后所涉及生产工艺大致相同，本次调整仅新增“硅片结合”、“化学机械打磨”工序。由于CMOS芯片制作涉及的制程数量较多，而本调整项目无需在厂内进行CMOS芯片制作，因此项目调整后较调整前，在原辅材料用量及制程数量上均有大大减少。项目调整前后涉及的生产工艺大致相同，本次调整仅新增“硅片结合”、“化学机械打磨”工序；同时，由于产品性质的不同，BSI芯片较调整前的CMOS芯片制程数量大大减少。本调整项目生产工艺流程图见图1-1。44武汉新芯集成电路制造有限公司

15、12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本硅片硅片清洗氧 化硅片结合化学机械打磨涂胶、曝光、显影刻 蚀（干法、湿法）扩 散离子注入CVD沉积溅 射铜制程铜制程清理焊缝化学机械抛光（CMP）去 胶电学测试注：（1）芯片制造顺序并非完全按照此流程图顺序，根据工艺制程需要，上述工序将反复交叉，实际工艺步数将达到数百步之多。（2）硅片结合、化学机械打磨工序为本次调整项目新增工序。包装入库图1-1 芯片生产工艺流程图1.4 生产规模2012年，根据武汉新芯发展规划以及客户对产品的要求，公司决定调整原“12英寸集成电路芯片扩产项目”，将原计划生产3万片/月的12英寸、45nm为主的CMOS芯片调

16、整为生产6万片/月的12英寸BSI芯片（背照式影像传感芯片）。项目调整后武汉新芯公司产品方案调整情况见下表：表1-3 项目产品方案调整情况调整前后产品方案月产量（万片/月）备注原环评实际建设调整前12英寸CMOS芯片3.00采用65/45nm的生产工艺技术，以45nm为主调整后12英寸BSI芯片/6.0采用以65nm为主的生产工艺技术1.5 建设进度和投资建设进度：本调整项目计划于2013年上半年开工建设， 2014年第1季度投入试运行，2016年整体工程（6万片）产能全部完成。投资：本项目总投资为6.35亿美元，其中环保投资为422万元人民币，占总投资的1.1。1.6 建设项目选址合理性分析

17、1、武汉东湖高新技术开发区能为本调整项目提供完善的配套设施，从项目所处区域的建厂条件出发，项目选址是合理的。2、本调整项目无组织排放源化学品库二划定的卫生防护距离为100 m。经过现场踏勘，卫生防护距离仅北边界超出公司厂界，超出部分为流芳园西路，小部分涉及迪源光电以及待建的工业用地，未涉及环境敏感保护目标，因此可以满足卫生防护距离要求，不涉及环保搬迁。3、公司现有工程运行至今，工况稳定，未发生环境污染事故，火灾、爆炸、有毒有害物质泄露等安全事故。根据环保部以环验201055号文关于武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线项目竣工环境保护验收意见的函（见附件），“97%的被调查公众对该

18、工程的环境保护工作表示满意或基本满意”。表明公司现有项目未对周边环境造成明显影响。4、本次调整项目废水、固废去向明确，噪声影响很小，主要污染物废气经过严格措施治理达标后排放，并且项目周边地形平坦，有利于大气污染物的稀释扩散。5、根据本环评大气预测结果可知，本调整项目污染源排放的大气污染物最大地面浓度远远小于评价标准，贡献值很小。故项目所在区域大气污染物浓度主要由本底值决定，根据大气现状监测数据可知，项目区域大气环境质量良好。因此，本调整项目大气污染物经处理后排放，对评价范围内的大气环境影响较小，不会改变评价范围内的大气环境功能，不会对评价范围内的环境保护目标造成明显不利影响。综上所述，项目建设

19、与周边环境基本相容，武汉新芯集成电路制造有限公司此次调整项目对周边环境不会造成明显影响。因此，从项目周边环境制约因素角度出发，项目在此建设是合理的。1.7 产业政策的符合性分析本调整项目为12英寸、65nm芯片制造，属于产业结构调整指导目录（2011年本）第一类“鼓励类”中“第二十八类 信息产业 第十九条 集成电路设计，线宽0.8微米以下集成电路制造。”根据外商投资产业指导目录（2011年修订），本调整项目属于其“鼓励外商投资产业指导目录”中“第（二十一）通信设备、计算机及其他电子设备制造业”中的“集成电路设计，线宽 0.18 微米及以下大规模数字集成电路制造，0.8微米及以下模拟、数模集成电

20、路制造，MEMS 和化合物半导体集成电路制造及 BGA、PGA、CSP、MCM 等先进封装与测试。”综上所述，调整项目符合目前国家相关产业政策。1.8 规划的符合性分析1、与国家产业规划的符合性本调整项目为12英寸集成电路，属于集成电路产业“十二五”发展规划中的产业发展重点。2、与湖北省规划的符合性湖北省“十二五”工业发展规划中中提出 “重点建设武汉新芯国际12英寸65纳米芯片项目正源电子等一批光电子器件项目”。本调整项目为武汉新芯国际12英寸65纳米芯片项目，项目与湖北省“十二五”工业发展规划相符。3、与武汉市规划的符合性武汉市城市总体规划（2010-2020年）中提出，“武汉的工业发展目标

21、及布局为：集中发展钢铁制造电子信息石油化工等四大支柱产业”。武汉市国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要中提出“电子信息产业。重点发展光通信集成电路等领域，加快富士康武汉科技园、中芯国际武汉芯片等一批重大项目建设”。本调整项目属于电子信息中的集成电路制造，与武汉市城市总体规划（2010-2020年）及武汉市国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要相符。4、与武汉科技新城总体规划的符合性本调整项目位于武汉科技新城重点发展区域-流芳产业园内，属于电子信息产业，故本调整项目完全符合武汉科技新城总体规划（2005-2020）。武汉东湖新技术开发区流芳产业园高新四路18号，项目已经取得了武汉市城市规划管理

22、局东湖新技术开发区分局颁发的建设项目选址意见书及建设用地规划许可证（编号0607409），项目的建设符合用地规划要求。5、与武汉科技新城总体规划环境影响评价的符合性根据武汉科技新城总体规划环境影响报告书对入城企业主要项目做出的具体要求，本调整项目属于其鼓励发展项目中 “电子及电子配件组装”项目，故本调整项目符合国家的产业政策，符合科技新城入城条件。因此，本调整项目的建设符合武汉科技新城总体规划环评的要求。武汉新芯集成电路制造有限公司12英寸集成电路生产线扩产调整项目环境影响报告书简本2. 建设项目周围环境状况2.1 建设项目所在地的环境现状（1）地表水环境现状评价结果表明：监测期间，2011年

23、长江武汉市境内段丰水期、平水期及枯水期的各监测断面各项监测指标，均能够达到地表水环境质量标准（GB3838-2002 ）类水域标准要求。（2）地下水环境质量现状评价结果表明：项目场地内各项指标均符合地下水质量标准（GB/T4848-1993）中类标准限值；场地地下水上游监测点位氨氮出现超标；项目场地地下水下游监测点位高锰酸盐指数、氨氮和汞出现超标。场地地下水上游、下游出现超标，分析其原因可能是受监测点位附近企业、学校或居民污水下渗所致。本调整项目采用了严格的废水治理措施，并对厂区进行分区防渗，在落实报告中提出的各项措施的情况下，项目产生的废水不会对地下水水质造成影响。（3）大气环境现状评价结果

24、表明：监测期间，评价区域3个监测点大气污染物NO2、SO2和氟化物的小时平均浓度，NO2、SO2、PM10、TSP以及氟化物的日平均浓度均能满足环境空气质量标准（GB 3095-1996）二级标准。HCl、氨、氯气的小时平均浓度及日平均浓度均能满足工业企业设计卫生标准（TJ 36-79）居住区大气中有害物质的最高容许浓度限值。表明项目所在区域大气环境质量良好。（4）声环境现状评价结果表明：监测期间，1#、2#、4#、7#、8#、9#监测点昼间、夜间噪声均能达到声环境质量标准（GB 3096-2008）中3类标准要求；3#、5#、6#号点的夜间出现不同程度的超标，分析原因主要为上述三个监测点位靠

25、近城市道路，监测期间受交通噪声影响较大。 （5）土壤环境现状评价结果表明，监测期间，被测土壤中铜、铬、铅、锌、镉、砷均满足土壤环境质量标准（GB 15618-1995）二级标准要求；项目所在地土壤环境质量良好。2.2 建设项目环境影响评价范围（1）大气：以本调整项目所在地为中心，东-西方向边长5km、南北方向边长5km的地区，评价面积25km2。（2）地表水：汤逊湖污水处理厂排江管道排放口上游500m到污水排放口下游5000m的范围。（3）地下水环境：以拟建厂区为中心，20 km2内的范围。（4）噪声：厂界外200 m范围。（5）环境风险：以化学品仓库为中心，半径为5km的范围。项目评价范围图

26、见图2-1。大气环境保护对象名称概况(人)方位距离（m）思远信息技术学院4200东北784武汉天马微电子配套生活区2000东北580光谷七小1500东南1173光谷二高3000东南1525中芯国际配套宿舍（中芯花园）2000东南562中芯学校1000东南1073港边田安置点1080东南641安置点2000南面455万科魅力之城3200西南120谷尚居2200西南486武汉软件工程职业学院/武汉公交职业技术学院6000西南1826佛奥俊贤雅居3600西面500泰塑学生公寓1600西面665武汉工程大学(流芳校区)1600西北1068武汉工程大学继教院住宿区1700北面480武汉工程大学银河学院1

27、300西北1462凤凰花园2000西南2060长咀社区3000西南1960光谷三小1000东南2160武汉商贸职业学校2000东南2380当代国际花园2500西北2260富士康生活配套区5000东南2010流芳新镇5000东南1540藏龙新城4000南面1970图2-1 项目评价范围图 3. 建设项目环境影响预测及拟采取的主要措施与效果3.1 污染物排放及治理措施3.1.1 废水污染源排放及治理措施本调整项目（6万片/月）建成投产后，产生的废水主要分为生产废水和生活污水两大类，排放量为3049m3/d，其中生产废水2949 m3/d，生活污水100 m3/d。3.1.1.1 生产废水产生及治理

28、措施由于项目调整前后所涉及生产工艺大致项目，因此调整前后产生的废水种类大致相同，本调整项目仅新增悬浮物废水，其余废水种类与调整前一致。本调整项目产生的生产废水主要包括工艺酸碱废水、含氨废水、含氟废水、CMP研磨废水、悬浮物废水、含铜废水、废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水、纯水制备废水和冷却塔循环水排水等。1、工艺酸碱废水本调整项目将采用硫酸、盐酸等物质进行清洗。此清洗废水主要污染物为酸、碱等，废水的pH值较低，一般pH4。本调整项目产生的酸碱废水量仍在现有工程已建的中和处理系统处理能力范围内，故本调整项目酸碱废水排入现有中和处理系统进行酸碱中和处理。2、含氟废水 本调整项目含氟废水主要来源为

29、工艺中采用氢氟酸进行刻蚀、清洗过程及酸性废气洗涤塔排水（排水中包括极少量的砷化物）。含氟废水处理采用“清污分流”的原则，分别收集高浓度含氟废液和低浓度的含氟废水。高浓度含氟废液收集后储存于废液暂存间内的储罐内，定期送有资质单位处置。低浓度的含氟废水排入含氟废水处理系统进行处理。本调整项目产生的含氟废水量在现有工程含氟废水处理系统能力范围内，故纳入现有工程含氟废水处理系统进行处理。含氟废水采用絮凝沉淀法进行处理，处理后最终进入中和处理系统。3、含氨废水含氨废水主要来源于工艺中硅片的清洗和湿法刻蚀过程，所产生的含氨废水属高、中浓度的含氨废水(主要污染物为氨、氟化物和pH)。本调整项目产生的含氨废水

30、量在现有工程含氨废水处理系统处理能力范围内，故本次调整项目依托现有工程建设的含氨废水处理系统，采用“吹脱+吸收法”进行处理，处理出水为进一步去除氟化物，再纳入含氟废水处理系统进行处理。4、研磨废水 研磨废水主要污染物为悬浮物。本调整项目产生的研磨废水水量在现有工程CMP研磨废水处理系统处理能力范围内，故本调整项目产生的CMP研磨废水排入现有的研磨废水处理系统进行处理。CMP研磨废水采用絮凝沉淀法进行处理后，再进入最终中和处理系统进一步处理后外排。5、含铜废水本调整项目在铜制程工序会产生一定浓度的含铜废水，废水中主要污染物为Cu2+。本调整项目产生的含铜废水量在现有工程含铜废水处理系统处理能力范

31、围内，故调整项目产生的含铜废水排入现有的含铜废水处理系统进行处理。含铜废水采用絮凝沉淀处理后，再进入最终中和处理系统进一步处理后外排。6、悬浮物废水硅片结合工序中产生的清洗工序将产生废水，主要污染物为悬浮物废水，由于此工序中不存在打磨，废水中的悬浮物源于晶圆表面的硅颗粒及其他杂质，悬浮物浓度很低，直接进入中和处理系统处理。排放的悬浮物废水量在现在工程中和处理系统处理能力范围内。7、废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水 芯片加工过程中排放的HF、HCl、硫酸雾、NH3等酸碱废气，现有工程设置有碱（酸）液喷淋吸收塔吸收处理，排放的废水分别汇入含氨废水处理系统和含氟废水处理系统进行处理。根据砷物料平衡

32、可知，砷化物绝大多数进入产品，极少量的砷进入废气后，通过区域性废气处理系统（Local Scrubber）吸附处理后排入酸性废气洗涤塔，故最终进入废水的部分微乎其微。经过计算，酸性废气洗涤塔处排水中的砷化物排放浓度在0.0055mg/l左右，完全能够达到污水综合排放标准（GB8978-1996）表1的要求，故酸性废气洗涤塔排水主要处理其所包含的氟化物。现有工程设置的碱（酸）液喷淋吸收塔仍有足够余量，本次调整项目产生的废气洗涤塔及机台工艺尾气处理塔排水依托现有工程设置碱（酸）液喷淋吸收塔吸收处理。8、纯水制备废水 主要为纯水站离子交换再生酸碱废水和反冲洗水排水，废水中主要污染物为pH及SS等，此

33、类废水汇入中和处理系统处理后由公司生产废水总排口排放。9、冷却塔循环冷却水排水、工艺设备冷却水排水冷却塔中循环水经反复多次使用后，盐分增高，需要定期外排。排水中主要成份为原自来水中浓缩的盐类、SS、pH，排入中和废水处理系统处理后经厂区生产废水排放口排放。工艺设备冷却水排水纳入中和处理系统进行处理。3.1.1.2 生活污水生活污水来源于厂区职工生活，主要有生活洗涤水、卫生间污水、餐厅废水等，排放量100m3/d。卫生间粪便污水采用化粪池处理后与餐厅污水隔油池撇油处理后，由公司废水总排口排放。3.1.1.3 生产废水、生活污水处理和排放情况本调整项目主要废水排放及处理情况及全厂废水总排放口废水排

34、放情况分别见表3-1及表3-2。表3-1 主要废水排放及处理情况表序号废水类别主要污染物废水排放量（t/d）处理措施及排放去向一生产废水1工艺酸碱废水pH694中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江2纯水站再生酸碱废水和反冲水排水pH、SS604中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江3酸性废气洗涤塔排水氟化物、pH、总砷77含氟废水系统处理中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江碱性废气洗涤塔排水氨氮、pH38含氨废水系统处理含氟废水系统处理中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江4机台工艺废气处理塔排水氟化物、pH300含氟废水处理系统中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江5

35、含氟废水氟化物、磷酸盐、pH148含氟废水处理系统中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江6含氨废水氨氮、氟化物、pH112含氨废水处理系统含氟废水处理系统中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江7CMP研磨废水、研磨废水、悬浮物废水SS120研磨废水处理系统中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江8含铜废水铜、pH20含铜废水处理系统中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江9悬浮物废水SS10中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江10冷却塔循环冷却水排水pH、浓缩盐、SS800中和处理系统废水排放口汤逊湖污水处理厂长江11工艺设备冷却水排水SS26外排生产废水合计2949二生活污

36、水100化粪池、隔油池 废水排放口汤逊湖污水处理厂处理长江外 排 废 水 合计（一 项二项）3049表3-2 全厂废水总排放口废水排放情况一览表废水排放量(t/a)名 称污染物名称氟化物(以F计)CODBOD5SSNH3-N磷酸盐(以P计)铜总砷*2018880排放浓度(mg/L)4.81 78.83 18.09 48.62 8.0 3.6 0.01 0.00331 排放标准(mg/L)2050030040045*8*200.5达标情况达标达标达标达标达标达标达标达标3.1.2 地下水污染防治措施3.1.2.1 防治措施将全厂按物料或者污染物泄漏的途径和生产功能单元所处的位置划分为重点防渗区、

37、一般防渗区以及非防渗区三类地下水污染防治区域：重点防渗区主要为：芯片生产厂房、动力厂房、化学品库、油泵房、柴油发电机房、危险废物暂存库、废液暂存间、硅烷站、废水处理设施（生产废水处理系统、隔油池、化粪池）及其输送管道以及事故应急池。一般防渗区主要为：锅炉房、变电站、生产区路面等地。非防渗区主要为：办公大楼、员工停车场和自行车停车棚。根据现场勘查，项目业主已针对重点防渗区和一般防渗区采用了相应的防渗措施，具体如下：（一）对重点污染区防渗措施：1、芯片生产厂房作业场所、动力厂房：地面全部采用环氧树脂进行防渗、防腐处理；在涉及使用或暂存液态化学品的区域均设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗处理。2、化学品

38、库（包括化学品库一和化学品库二）：地面全部采用环氧树脂进行防腐、防渗处理；并在库内设置承漏沟及自动抽水泵，当化学品发生泄漏时，可进入承漏沟中，此时抽水泵会自动启动，将废水抽入到废水处理系统进行处理。承漏沟中均有环氧地面涂层，防止液体的渗漏。3、硅烷站、油泵房(OPH)、柴油发电机房(DG6)：硅烷站地面全部采用环氧树脂进行防渗处理；油泵房和柴油发电机房储罐周围地面全部采用环氧树脂进行防渗处理，同时设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗处理；4、废水处理设施、废水输送管道及事故应急池：所有废水处理构筑物底、侧面均采用环氧树脂进行防渗、防腐处理；设置的事故应急池均做防渗、防腐处理。定期对废水处理设施、废水

39、输送管道及事故应急池进行检查，确保消除跑、冒、滴、漏现象发生。5、废液暂存间、危险废物暂存库：废液暂存间地面进行防渗、防腐处理，同时设置承漏沟，并对承漏沟进行防渗处理；对危废暂存库进行防雨、防渗、防腐“三防”处理，在建设过程中已做到以下相关要求：已参照危险废物贮存污染控制标准（GB 18597-2001）要求进行，地面采用坚固、防渗、耐腐蚀的环氧树脂材料建造，设置承漏沟，并设有自动泵，可将承漏沟内的溶液抽至废水处理系统；废液槽周边设漏液侦测器并连接到监控系统；所有地面及承漏沟内进行了防渗处理。通过上述措施可使重点污染防治区各单元防渗层渗透系数10-10cm/s。（二）对一般污染区防渗措施：一般

40、防渗区地面采取了粘土铺底，再在上层铺1015cm的水泥进行硬化。通过上述措施使一般污染区各单元防渗层渗透系数10-7cm/s。综上所述，在采取上述防渗、防腐处理措施后，项目对地下水基本不会造成明显影响。3.1.3 废气排放及治理措施3.1.3.1 废气污染源分析由于项目调整前后所涉及生产工艺大致项目，调整前后产生的废气种类一致。本调整项目建成投产后，产生的废气主要包括酸性废气、碱性废气、工艺尾气、有机废气和锅炉烟气。现有工程的Fab12A厂房在设计废气处理能力时已预留足够能力，本次调整项目在Fab12A厂房内建设，调整项目产生的废气全部依托Fab12A厂房现有废气处理系统，不需新增废气处理设备

41、3.1.3.2 废气处理系统根据废气性质，将废气处理系统分为一般性废气（废热）排风系统、酸性废气处理系统、碱性废气处理系统和有机废气处理系统。3.1.3.3 废气污染物排放及治理情况一、一般废气（废热）排风系统该系统排放一般的废气和高温排风，不需经处理而直接排放。二、酸性废气酸性废气拟设置碱液喷淋塔进行处理，处理后由32m排气筒排放，酸性废气经洗涤塔处理达到大气污染物综合排放标准（GB16297-1996）二级标准后排入大气。三、碱性废气碱性废气拟设置酸液喷淋塔进行处理，处理后由32m排气筒排放，碱性废气经洗涤塔处理达到恶臭污染物排放标准（GB14554-93）相应标准后。四、有机废气有机废

42、气拟设置沸石浓缩转轮+焚化炉处理系统进行处理，处理后由32m高排气筒排放。根据本调整项目建设方案，参照现有工程竣工验收监测结果，类比调研国内同类企业废气污染物排放情况，同时结合物料衡算的方法，统计出本调整项目的酸性废气、碱性废气、有机废气中主要污染物处理及排放情况见下表：表3-3 本次调整项目（6万片/月）新增废气主要污染物处理及排放情况表废气种类排风量m3/h污染物处理后排放标准浓度(mg/m3)速率(kg/h)浓度mg/m3速率kg/h酸性废气220,000硫酸雾3.04 0.67 4510.0氟化物1.85 0.41 9.00.67氯化氢2.01 0.44 1001.64氯气0.24 0

43、05 651.28NOx8.95 1.97 2405.02碱性废气36,000NH32.46 0.09 /22.8*有机废气60000非甲烷总烃7.50 0.42 12062.4注：*排放标准执行恶臭污染物排放标准（GB14554-93）；其它排放执行大气污染物综合排放标准（GB 16297-1996）表2的二级标准。从表中可见，本调整项目外排废气均得到有效处理，做到达标排放。表3-4 调整项目建成后全厂废气污染物排放情况(7.5万片/月)项目污染物排放量 (t/a)硫酸雾氟化物氯化氢氯气NOxNH3非甲烷总烃现有工程(1.5万片/月)4.132 2.194 2.869 0.336 9.198 0.573 3.795 本调整项目(6万片/月)5.780 3.525 3.826 0.448 15.307 0.764 3.629 调整后全厂(7.5万片/月)9.912 5.718 6.695 0.784 24.505 1.336 7.423 五、工艺尾气排放及处置措施对于在芯片生产过程中产生的工艺尾气，本调整项目的工艺尾气拟采取两级处理措施，在机台尾部采用区域性废