模电知识要点总结期末复习用较全面[适合考前时间充分的全面复习].docx
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1、模电知识要点总结一期末复习用一较全面【适合考前时间充分的全面复习】第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1 .半导体一导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、楮Ge).2 .特性光敏、热敏和掺杂特性。3 .本征半导体一纯洁的具有单晶体结构的半导体。4 .两种载流子一带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5 .杂质半导体一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度一多子浓度
2、决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。* 体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。* 转型一通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结* PN结的接触电位差一硅材料约为0.60.8V,楮材料约为0.20.3V。* PN结的单向导电性一正偏导通,反偏截止。8. PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性.正向导通,反向截止。* 二极管伏安特性一同PN结。* 正向导通压降硅管0.60.7V,楮管0.20.3V.* 死区电压硅管0.5V,铸管0.1V。3.分析方法将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设V阳V(正偏),二极管导通(短路);假设V阳Vb(反偏),
3、二极管截止(开路)。1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点0。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段一将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设V阳v阴(正偏),二极管导通(短路);假设V阳V阴(反偏),二极管截止(开路)。*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性一正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其根本放大电路一.三极管的结构、类型及特点(a)理想模型1.类型一分为NPN和PNP两种。2.特点基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二
4、三极管的工作原理1 .三极管的三种根本组态2 .三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(说明三极管是电流控制器件式子/CE。=(1+/0/CBO称为穿透电流。3 .共射电路的特性曲线*输入特性曲线一同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降,用区表示放大区发射结正偏,集电结反偏。截止区一发射结反偏,集电结反偏。4 .温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。(C)简化的H参数等效电路基本放大电路前习惯画法温度升高&、以及S均增加。三.低频小信号等效模型(简化)从一输出端交流短路时的输入电阻,常用人表示;加输出端交流短路时的正向电流传输比,常用B表示;四.根本放大电路组成及其原那么1.VT,左、
5、就、兄、G、G的作用。2,组成原那么一能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1 .直流通路与静态分析* 概念一直流电流通的回路。* 画法一电容视为开路。* 作用确定静态工作点* 直流负载线由=R+%确定的直线。* 电路参数对静态工作点的影响D改变曲:0点将沿直流负载线上下移动。2)改变兄,0点在公所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变c:直流负载线平移,0点发生移动。2 .交流通路与动态分析* 概念一交流电流流通的回路* 画法一电容视为短路,理想直流电压源视为短路。* 作用一分析信号被放大的过程。* 交流负载线连接Q点和PJ点?8=+WL,的直线。3 .静态工作点与非线性失真(1)截
6、止失真* 产生原因一0点设置过低* 失真现象一NPN管削顶,PNP管削底。* 消除方法减小Rb提高Qo(2)饱和失真* 产生原因一0点设置过高* 失真现象一NPN管削底,PNP管削顶。* 消除方法一增大K、减小而、增大服。4 .放大器的动态范围(1)为PP-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(出一届)Va,一心)时,受截止失真限制,1/*21/321皿.*当(UkgtVcc,一心)时,受饱和失真限制,U0tr=2Uata=2(-)*当(Ukg=(%-),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)。点在放大区的条件欲使。
7、点不进入饱和区,应满足品BRc.X放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1 .静态分析2 .动态分析*电压放大倍数在而两端并一电解电容。后输入电阻在庙两端并一电解电容。后*输出电阻A.共集电极根本放大电路1 .静态分析2 .动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3.电路特点*电压放大倍数为正,且略小于L称为输入电阻高,输出电阻低。(a)基本共射放大电路(b)直流通路(3)共集电极基本放大电路射极跟随器,简称射随器。第三章场效应管及其根本放大电路一.结型场效应管(JFET)1.结构示意图和电路符号2.输出特性曲线(可变电阻区、
8、放大区、截止区、击穿区)转移特性曲线Uf截止电压二.绝缘橱型场效应管(MOSFET)分为增强型(EMoS)和耗尽型(DMoS)两种。结构示意图和电路符号0 假 Ik 区 DS=DSI wv输出特性= /DSS (I-( Upl,T) N-EMOS的转移特性曲线uT式中,公是32时所对应的%值。 N-DMOS的输出特性曲线注意:US可正、可零、可负。转移特性曲线上id=0处的值是夹断电压出此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数1 .漏极饱和电流TDSS2 .夹断电压,3 .开启电压”4 .直流输入电阻后5 .低频跨导反(说明场效应管是电压控制器件)四.场效应管的小信号等效模型E-
9、MOS的跨导&(c)微变等效电路(b)微变等效电路阻抗变换。高频信号。五.共源极根本放大电路1 .自偏压式偏置放大电路*静态分析动态分析假设带有6,那么u=4mA12 .分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析假设源极带有那么八一gm“L六.共漏极根本放大电路* 静态分析q=do(-D2或(T* 动态分析第四章多级放大电路一.级间耦合方式1 .阻容耦合各级静态工作点彼此独立;能有效地传号;体积小,本钱低。但不便于集成,低频特性差。2 .变压器耦合一各级静态工作点彼此独立,可以实现体积大,本钱高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和3 .直接耦合低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有
10、影响。存在“零点漂移”现象。*零点漂移一一当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应1 .中频段(LWH)波特图-一幅频曲线是20IgAlSnF常数,相频曲线是=-180o.2 .低频段(fW九)3 .高频段(f2/H)4 .完整的根本共射放大电路的频率特性响应分压式共射电路低频段混合”参数等效电路三.分压式稳定工作点电路的频率1 .下限频率的估算2 .上限频率的估算四.多级放大电路的频率响应1 .频响表达式2 .波特图功放电路的工作状态第五章功率放大电路一.功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360。,“大,
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