气敏传感器课件.ppt
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1、 电子科学学院电子科学学院仪器科学与技术仪器科学与技术气敏传感器气敏传感器 气气敏敏传传感感器器的的作作用用相相当当于于我我们们的的鼻鼻子子,可可“嗅嗅”出出空空气气中中某某种种特特定定的的气气体体,并并判判定定气气体体的的浓浓度度,从从而而实实现现对对气气体体成成分分的的检检测测和和监监测测,以以改改善善人人们们的的生生活活水水平平,保保障障人人们们的的生生命命。环境污染、火灾报警环境污染、火灾报警煤矿煤矿化工化工一、与气敏相关的基本概念一、与气敏相关的基本概念 气体浓度的表示?气体浓度的表示?对环境大气(空气)中污染物对环境大气(空气)中污染物浓度浓度的表示方法有两种:的表示方法有两种:1
2、质量质量浓度表示法:每立方米空气中所含污染物的质量浓度表示法:每立方米空气中所含污染物的质量数,即数,即mg/m32、体积体积浓度表示法:一百万体积的空气中所含污染物的浓度表示法:一百万体积的空气中所含污染物的体积数,即体积数,即ppm 大部分气体检测仪器测得的气体浓度都是体积浓度大部分气体检测仪器测得的气体浓度都是体积浓度(ppm)。而按中国规定,特别是环保部门,则要求气体浓度)。而按中国规定,特别是环保部门,则要求气体浓度以质量浓度的单位(以质量浓度的单位(mg/m3)表示,中国的标准规范也都是采)表示,中国的标准规范也都是采用质量浓度单位(如:用质量浓度单位(如:mg/m3)表示。)表
3、示。什么是气敏传感器?什么是气敏传感器?气气敏敏传传感感器器是是用用来来检检测测气气体体类类别别、浓浓度度和和成成分分的的传传感感器器。由由于于气气体体种种类类繁繁多多,性性质质各各不不相相同同,不不可可能能用用一一种种传传感感器器检检测测所所有有类类别别的的气气体体,因因此此,能能实实现现气气-电电转转换换的的传传感感器器种种类类很很多多,按按构构成成气气敏敏传传感感器器材材料料可可分分为为半半导导体体和和非非半半导导体体两两大大类类。目目前前实实际使用最多的是半导体气际使用最多的是半导体气敏传感器。敏传感器。烟雾报警器烟雾报警器酒精传感器酒精传感器二氧化碳传感器二氧化碳传感器气敏电阻外形气
4、敏电阻外形 酒精传感器酒精传感器 其他可燃性其他可燃性气体传感器气体传感器酒精测试仪酒精测试仪呼气管呼气管家庭用液化气家庭用液化气报警器报警器一氧化碳传感器一氧化碳传感器其他气体传感器其他气体传感器NH3传感器传感器甲烷传感器甲烷传感器二氧化碳浓度传感器二氧化碳浓度传感器 氧浓度传感器外形氧浓度传感器外形 可用于汽车可用于汽车尾气测量尾气测量汽车尾气分析汽车尾气分析有毒气体传感器的使用有毒气体传感器的使用1 1、气敏传感器的性能要求:、气敏传感器的性能要求:l对被测气体具有较高的灵敏度对被测气体具有较高的灵敏度l对被测气体以外的共存气体或物质不敏感对被测气体以外的共存气体或物质不敏感 l性能稳
5、定,重复性好性能稳定,重复性好 l动态特性好,对检测信号响应迅速动态特性好,对检测信号响应迅速l使用寿命长使用寿命长 l制造成本低,使用与维护方便等制造成本低,使用与维护方便等 气敏传感器是暴露在各种成分的气体中使用的,由于检测气敏传感器是暴露在各种成分的气体中使用的,由于检测现场温度、湿度的变化很大,又存在大量粉尘和油雾等,所以现场温度、湿度的变化很大,又存在大量粉尘和油雾等,所以其工作条件较恶劣,而且气体对传感元件的材料会产生化学反其工作条件较恶劣,而且气体对传感元件的材料会产生化学反应物,附着在元件表面,往往会使其性能变差。因此,对气敏应物,附着在元件表面,往往会使其性能变差。因此,对气
6、敏元件有下列要求:元件有下列要求:二、认识气敏传感器 2、常见气敏传感器的分类、常见气敏传感器的分类 3、半导体气敏传感器的机理半导体气敏传感器的机理 半导体式气敏传感器:半导体式气敏传感器:利用半导体气敏元件同气体接触,造成半导体的利用半导体气敏元件同气体接触,造成半导体的电电导率导率等物理性质发生变化的原理来检测特定气体的等物理性质发生变化的原理来检测特定气体的成分或者浓度成分或者浓度材料:气敏电阻的材料是金属氧化物半导体;材料:气敏电阻的材料是金属氧化物半导体;其中其中P型:如氧化钴、型:如氧化钴、氧化铅、氧化铜、氧化镍等。氧化铅、氧化铜、氧化镍等。N型:如氧化锡、氧化铁、氧化锌、氧化钨
7、等。型:如氧化锡、氧化铁、氧化锌、氧化钨等。合成材料有时还渗入了催化剂合成材料有时还渗入了催化剂,如钯(如钯(Pd)、铂)、铂(Pt)、银()、银(Ag)等。表表7-1 半导体气敏元件的分类半导体气敏元件的分类 基本原理基本原理是利用气体在半导体表面的氧化还原反应导致敏感元件阻是利用气体在半导体表面的氧化还原反应导致敏感元件阻值变化而制成的。值变化而制成的。半导体气敏材料半导体气敏材料吸附气体的能力很强吸附气体的能力很强。当半导体器件被加当半导体器件被加热到稳定状态,在气体接触半导体表面而被吸附时,被吸热到稳定状态,在气体接触半导体表面而被吸附时,被吸附的分子首先在表面物性自由扩散,失去运动能
8、量,一部附的分子首先在表面物性自由扩散,失去运动能量,一部分分子被蒸发掉,另一部分残留分子产生热分解而固定在分分子被蒸发掉,另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处(化学吸附)。吸附处(化学吸附)。当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力时,当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力时,吸附分吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附,子将从器件夺得电子而变成负离子吸附,半导体表面半导体表面呈现电荷层。氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称呈现电荷层。氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为为氧化型气体或电子接收性气体氧化型气体或电子接收性气体。如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能,吸附分如果半导体的功函数大于
9、吸附分子的离解能,吸附分子将向器件释放出电子,而形成正离子吸附。具有正子将向器件释放出电子,而形成正离子吸附。具有正离子吸附倾向的气体有石油蒸气、酒精蒸气、甲烷、离子吸附倾向的气体有石油蒸气、酒精蒸气、甲烷、乙烷、煤气、天然气、氢气等。乙烷、煤气、天然气、氢气等。它们被称为它们被称为还原型气还原型气体或电子供给性气体体或电子供给性气体,也就是在化学反应中能给出电,也就是在化学反应中能给出电子,化学价升高的气体;多数属于可燃性气体。子,化学价升高的气体;多数属于可燃性气体。当当氧化型气体吸附到氧化型气体吸附到N型半导体型半导体(SnO2,ZnO)上,上,还原型气体吸附到还原型气体吸附到P型半导体
10、型半导体(CrO3)上时,将上时,将使半导体载流子减少,而使电阻值增大。使半导体载流子减少,而使电阻值增大。当还原型气体吸附到当还原型气体吸附到N型半导体上,氧化型气体型半导体上,氧化型气体吸附到吸附到P型半导体上时,则载流子增多,使半型半导体上时,则载流子增多,使半导体电阻值下降。导体电阻值下降。图图 9-1 N型半导体吸附气体时器件阻值变化图型半导体吸附气体时器件阻值变化图 规则总结规则总结:氧化型气体氧化型气体N型半导体:载流子数下降,型半导体:载流子数下降,电阻增加电阻增加还原型气体还原型气体N型半导体:载流子数增加,型半导体:载流子数增加,电阻减小电阻减小氧化型气体氧化型气体P型半导
11、体:载流子数增加,型半导体:载流子数增加,电阻减小电阻减小还原型气体还原型气体P型半导体:载流子数下降,型半导体:载流子数下降,电阻增加电阻增加 4、半导体气敏传感器类型及结构半导体气敏传感器类型及结构 1.电阻型半导体气敏传感器电阻型半导体气敏传感器 图图9-2 气敏半导体传感器的器件结构气敏半导体传感器的器件结构(a)烧结型气敏器件;烧结型气敏器件;(b)薄膜型器件;薄膜型器件;(c)厚膜型器件厚膜型器件 图图9-2 气敏半导体传感器的器件结构气敏半导体传感器的器件结构(a)烧结型气敏器件;烧结型气敏器件;(b)薄膜型器件;薄膜型器件;(c)厚膜型器件厚膜型器件 由由于于加加热热方方式式一
12、一般般有有直直热热式式和和旁旁热热式式两两种种,因因而而形形成成了了直直热热式式和和旁旁热热式式气气敏敏元元件件。直直热热式式气气敏敏器器件件的的结结构构及及符符号号如如图图9-3所所示。示。图图 9-3 直热式气敏器件的结构及符号直热式气敏器件的结构及符号(a)结构;结构;(b)符号符号 旁热式气敏器件的结构及符号如图旁热式气敏器件的结构及符号如图9-4所示所示图图 9-4 旁热式气敏器件的结构及符号旁热式气敏器件的结构及符号(a)旁热式结构;旁热式结构;(b)符号符号 2.非电阻型半导体气敏传感器非电阻型半导体气敏传感器 非非电电阻阻型型气气敏敏器器件件也也是是半半导导体体气气敏敏传传感感
13、器器之之一一。它它是是利利用用MOS二二极极管管的的电电容容电电压压特特性性的的变变化化以以及及MOS场场效效应应晶晶体体管管(MOSFET)的的阈阈值值电电压压的的变变化化等等物物性性而而制制成成的的气气敏敏元元件件。由由于于类类器器件件的的制制造造工工艺艺成成熟熟,便便于于器器件件集集成成化化,因因而而其其性性能能稳稳定定且且价价格便宜。格便宜。利用特定材料还可利用特定材料还可以使器件对某些气体特别敏感。以使器件对某些气体特别敏感。(1)MOS二二极极管管气气敏敏器器件件 MOS二二极极管管气气敏敏元元件件制制作作过过程程是是在在P型型半半导导体体硅硅片片上上,利利用用热热氧氧化化工工艺艺
14、生生成成一一层层厚厚度度为为50100 nm的的二二氧氧化化硅硅(SiO2)层层,然然后后在在其其上上面面蒸蒸发发一一层层钯钯(Pd)的的金金属属薄膜,作为栅电极,如图薄膜,作为栅电极,如图9-5(a)所示。所示。图图 9-5 MOS二极管结构和等效电路二极管结构和等效电路(a)结构;结构;(b)等效电路;等效电路;(c)C-U特性特性 (2)MOS场场效效应应晶晶体体管管气气敏敏器器件件 钯钯-MOS场场效效应应晶晶体体管管(Pd-MOSFET)的结构,的结构,参见图参见图9-6。图图 9-6 钯钯MOS场效应晶体管的结构场效应晶体管的结构(1)气敏元件灵敏度特性气敏元件灵敏度特性烧烧结结型
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