模拟电子技术总复习课件.ppt
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1、模拟电子技术模拟电子技术期末总复习期末总复习模拟电子技术模拟电子技术1题型:题型:一、填空题(一、填空题(12、14分)分)二、选择题(二、选择题(16分)分)三、分析题(三、分析题(18、16分)(分)(3、2题)题)四、计算题(四、计算题(44分)分)(5题)题)五、设计题(五、设计题(10分)分)(1题)题)期中前约期中前约 50%期中后约期中后约50%21 1 绪论绪论一、电子电路中的信号:一、电子电路中的信号:模拟信号和数字信号模拟信号和数字信号二、放大电路性能指标:二、放大电路性能指标:1 1、电压放大倍数、电压放大倍数Au电压增益电压增益=20lg|Au|(dB)2、输入电阻、输
2、入电阻ri3、输出电阻、输出电阻ro4、通频带、通频带5、失真:、失真:失真失真线性失真线性失真非线性失真:非线性失真:幅度失真幅度失真:相位失真相位失真:3半导体半导体的性质:负温度系数、光敏特性、掺杂特性的性质:负温度系数、光敏特性、掺杂特性一、半导体与本征半导体:一、半导体与本征半导体:半导体的共价键结构:半导体的共价键结构:惯性核价电子3 3 二极管及其电路二极管及其电路+4+4+4+4+4+4+4+4+44本征半导体:本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。载流子载流子自由电子自由电子空穴空穴本征激发本征激发复合复合本征半导体中本征半导体中电流
3、电流由两部分组成:由两部分组成:1.1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。动态平衡动态平衡5二、二、杂质半导体杂质半导体P 型半导体型半导体(空穴空穴导电型半导体)导电型半导体):掺:掺3 3价元素使用价元素使用空穴空穴浓度大大增加的杂质。浓度大大增加的杂质。N 型半导体型半导体(电子导电型半导体)(电子导电型半导体):掺:掺5 5价元素使用自由价元素使用自由电子浓度大大增加的杂质。电子浓度大大增加的杂质。施主原子(离子)施主原子(离子)多数载流子(多子):多数载流子(多子):自由电子,自由电子,少数载流子(少子):少数载流子(少子
4、空穴空穴。受主原子(离子)受主原子(离子)多子:多子:空穴空穴,少子:,少子:自由电子自由电子。61、PN结的形成过程:结的形成过程:三、三、PN结与半导体二极管结与半导体二极管扩散扩散接触接触形成空间电荷区形成空间电荷区内电场内电场漂移漂移动态平衡动态平衡PN结结空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区、PN结结2、PN 结的最主要的特性结的最主要的特性单向导电性:单向导电性:PN 结加结加正向正向电压电压导通导通,PN 结加结加反向反向电压电压截止截止73、PN结的伏安特性:结的伏安特性:导导通通压压降降:硅硅管管0.60.7V,锗锗管管0.20.3VVB
5、RVDIDIR=-IS死死区区电电压压 硅硅 管管 0.6V,锗管锗管0.2V反反向向特性特性正正向向特性特性击穿击穿特性特性反向击穿反向击穿(电击穿电击穿)雪崩击穿雪崩击穿和和齐纳击穿齐纳击穿正向特性正向特性反向特性反向特性击穿特性击穿特性稳压二极管利用击穿特性稳压二极管利用击穿特性4、PN结的电容效应:结的电容效应:势垒电容势垒电容CB(PN结反偏)结反偏)和和扩散电容扩散电容CD(PN结正偏)结正偏)8PN二极管的电路符号:二极管的电路符号:5、半导体二极管:半导体二极管:主要参数主要参数:最大整流电流最大整流电流 IFM、反向峰值电压、反向峰值电压URM、反、反向直流电流向直流电流 I
6、R 等等分为:分为:点接触型、面接触型、平面型点接触型、面接触型、平面型。特殊二极管:特殊二极管:稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、稳压二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、发光二极管、激光二极管等光电二极管、发光二极管、激光二极管等特别是特别是稳压二极管稳压二极管,利用其,利用其反向击穿反向击穿效应效应9四、四、二极管的基本电路及其分析方法二极管的基本电路及其分析方法1、图解分析法:、图解分析法:RDVDDiD+vD-iDvDIDVDQVDDVDD/R2、简化模型分析法:、简化模型分析法:简化模型:简化模型:理想二极管模型、恒压降模型、理想二极管模型、恒压降模型、折线模型、小信号
7、模型折线模型、小信号模型应用简化模型分析:应用简化模型分析:10(一)(一)BJT的结构与工作原理的结构与工作原理:becNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基基极极发射极发射极BcePNP型型bcebce发射结发射结集电结集电结一、一、BJT的结构、原理与特性的结构、原理与特性4 4 双极型三极管及放大电路基础双极型三极管及放大电路基础两种类型:两种类型:NPN型和型和PNP型。型。11内部结构:内部结构:发射区:发射区:掺杂浓度较高掺杂浓度较高 基区:基区:较薄,掺杂浓度低较薄,掺杂浓度低 集电区:集电区:面积较大面积较大 为使发射区发射电子,集电区收集电子,
8、必须具备为使发射区发射电子,集电区收集电子,必须具备的的外部条件外部条件是:是:a.发射结发射结加加正向正向电压电压(正向偏置正向偏置):NPN管:管:Vbe0;PNP管:管:Vbe0 b.集电结集电结加加反向反向电压电压(反向偏置反向偏置):NPN管:管:Vbc0;PNP管:管:VbcIEP IEN=ICN+IBN 且有且有IEN IBN ,ICNIBN IC=ICN+ICBO IB=IEP+IBNICBOIE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEPICBO)IE=IC+IB电流关系式电流关系式:13(二)(二)BJT的的V-I特性曲线特性曲线1 1
9、输入特性:、输入特性:UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降:工作压降:硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管锗管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE=0.5V 死区电压,死区电压,硅管硅管0.5V,锗管锗管0.2V。142 2、输出特性、输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满足此区域满足IC=IB称为称为线性区(放线性区(放大区)。大区)。此区域中此区域中UCE UBE,集电结集电结正偏,正偏,IBIC,UCE 0.3V称称为饱和区。为饱和区。此区域中此区域中:IB=0,IC=ICE
10、O,UBEIC,硅管:硅管:VCE 0.3V 锗管:锗管:VCE 0.1V(3)截止区:截止区:VBE1M,有的可达有的可达100M 以上。以上。理想运放为理想运放为。(4)输出电阻)输出电阻roro=几几-几十几十。理想运放为理想运放为0。3、主要参数:主要参数:57三、变跨导式模拟乘法器:三、变跨导式模拟乘法器:1、模拟乘法器电路:、模拟乘法器电路:582、模拟乘法器的应用:、模拟乘法器的应用:(1)运算电路:)运算电路:乘方、开方、除等运算乘方、开方、除等运算(2)压控放大器()压控放大器(VCA):):(3)调制和解调:)调制和解调:(a)调制:调制:载波信号vC CcosCtvO1带
11、通滤波器调制信号vS ScosSt单边带信号输出vo Vcos(C -C)t(b)解调:解调:vC CcosCtvO2低通滤波器vA cos(S-C)tvo VOcosSt59四、四、放大电路的噪声与干扰放大电路的噪声与干扰1、放大电路的噪声:、放大电路的噪声:(1)(1)电阻的热噪声电阻的热噪声:(2)(2)三极管的噪声三极管的噪声:热噪声、散粒噪声、闪烁噪声热噪声、散粒噪声、闪烁噪声热噪声的功率频谱密度:热噪声的功率频谱密度:热噪声的电压密度:热噪声的电压密度:(3 3)放大电路的噪声指标)放大电路的噪声指标噪声系数:噪声系数:602、放大电路中的干扰:、放大电路中的干扰:(1 1)杂散电
12、磁场干扰)杂散电磁场干扰:(a)(a)合理布局合理布局:(b)(b)屏蔽屏蔽:(2 2)由直流电源电压波动引起的干扰)由直流电源电压波动引起的干扰:(3 3)由交流电源串入的干扰)由交流电源串入的干扰:(a)(a)多级放大电路的接地多级放大电路的接地:(b)(b)电子设备共同端的正确连接电子设备共同端的正确连接:(4 4)由接地点安排不正确而引起的干扰和正确接地:)由接地点安排不正确而引起的干扰和正确接地:61一、概念:一、概念:虚短虚短虚断虚断虚地虚地二、基本电路:二、基本电路:ViRf Rp R1I1IfVo1 1、反向放大器:、反向放大器:2 2 运算放大器运算放大器622 2、同向比例
13、电路:、同向比例电路:ViRf Rp R1I1IfVoViVo电压跟随器电压跟随器:633 3、减法电路、减法电路Vi1R4 R3R1I1I4VoVi2R2由由虚短虚短和和虚断虚断的性质,可得:的性质,可得:64Vi1Rf1 Rp1R1I1If1Vo1Vi2Rf2 Rp2 R2I2If2Vo654 4、加法运算电路、加法运算电路VoVi1Rf Rp R1I1IfVi2R2I2-R1RF+ui1uoR21R22ui266viC Ri1ifvov=v+=05 5、积分运算:、积分运算:6 6、微分运算:、微分运算:v=v+=0viC Ri1ifvo677 7、对数运算电路、对数运算电路8 8、指数
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